(54) СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ДЕФОРМАЦИЙ
Таким образом, введение полупроводникового объекта в режим ЗП, например, путем оптического возбулсдения существенно увеличивает тензочувствительность и позволяет варьировать ее величину в широких пределах.
Формула изобретения
1. Способ определения деформаций с использованием полупроводникового тензочувствительного элемента, отличающийся тем, что, с целью- повышения чувствительности, в качестве тензочувствительного элемента используется полупроводниковый датчик в состоянии замороженной проводимости.
2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что тензочувствительность элемента изменяют путем изменения уровня замороженной проводимости.
| название | год | авторы | номер документа |
|---|---|---|---|
| Полупроводниковый тензодатчик | 1983 |
|
SU1142729A1 |
| Высокотемпературный полупроводниковый тензорезистор | 2016 |
|
RU2634491C1 |
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ТЕНЗОРЕЗИСТОРОВ НА ОСНОВЕ МОНОСУЛЬФИДА САМАРИЯ | 1991 |
|
SU1820790A1 |
| Малобазный тензотермодатчик | 1982 |
|
SU1024697A1 |
| ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ МЕХАНИЧЕСКОГО ВОЗДЕЙСТВИЯ В ЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ СИГНАЛ | 1985 |
|
SU1387812A1 |
| ТЕНЗОЧУВСТВИТЕЛЬНЫЙ ИНТЕГРАЛЬНЫЙ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ | 1986 |
|
SU1393265A1 |
| МИКРОМЕХАНИЧЕСКИЙ ПРИБОР И СПОСОБ ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ | 1999 |
|
RU2170993C2 |
| Высокотемпературный металлооксидный тензорезистор | 2021 |
|
RU2794500C1 |
| Полупровлдниковый преобразователь давления | 1978 |
|
SU713444A1 |
| Термокомпенсированный интегральный датчик давления (его варианты) | 1981 |
|
SU1000804A1 |
0
