Способ измерения напряженности магнитного поля Советский патент 1977 года по МПК G01R33/02 

предлагаемому способу; на фиг. 2 - зависимость от температуры (Т) для магнитной монокристаллической вленки состава

Y2,7BiOi3Fe3,8Ga,.20i2,

выращенной на немагнитной подложке из гадолиний-галиевого граната.

Выращивание производилось на поверхности (Ш подложки.

Датчик 1 (фиг. 1) состоит из монокристаллической подложки 2, с нанесенными на нее монокристаллической магнитной пленкой 3 и нагревательным пленочным элементом (пленка SnOa) 4. В состав датчика также входит термопара 5. Датчик помещают в зону действия полей рассеяния от исследуемого образца 6. Наблюдение за ЦИД ведут в проходящем поляризованном свете за счет эффекта Фарадея. Свет от источника 7 через поляризатор 8, датчик и анализатор 9 поладает на микроскоп 10.

Процесс измерения наиряженности магнитных полей рассеяния от исследуемого образца сводится к следующему. Сначала, фокусируя микроскоп 10 и меняя угол между плоскостями цоляризатора 8 и анализатора 9, добиваются резкого контрастного изображения доменов в магнитной пленке 3 датчика /. В тех участках пленки, где -нормальная к поверхности пленки составляющая напряженности поля рассеяния (Яр) от исследуемого образца 6 больше, чем критическая величина поля (Я), сбудет наблюдаться разрушение доменов. Граница области существования до.менов в пленке определяется соотношением

//р Як. Для измерения напряженности поля рассеяния (Яр) в данной точке изменяют температуру датчика до тех пор, пока, граница области существования доменов не пройдет через данную точку. Значение Як, соответствующее данной температуре, определяют по известной зависимости f(T) (фиг. 2). Напряженность поля рассеяния в исследуемой точке пространства определяется равенством //р Я.

Динамические измерения .производят путем скоростной киносъемки или путем фотографирования при стробоскопическом освещении.

Формула изобретения

Способ измерения напряженности магнитного поля путем регистрации изменений доменной структуры монокристаллического пленочного датчика при помещении последнего в измеряемое поле, отличающийся те.м, что, с целью повышения точности измерения, изменяют температуру датчика до тех лор, пока граница исчезновения доменов в пленке не пройдет через определяемую точку, и по величине температуры определяют значение магнитного поля в данной точке прострапства.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе:

1.Авторское свидетельствоСССР AI-O 457786, кл. G 01 R ЗЗЮ2, .1973.

2.Авторскоесвидетельство СССР 459999, кл. G 01 R 33/02, 1973.

/

20

80 С