Способ измерения относительной магнитной проницаемости Советский патент 1976 года по МПК G01R33/12 

1

Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к измерению относительной магнитной нроиицаемостн.

Известен способ определения относительной магнитной проницаемости дифференциальным баллистическим методом, основанный на компенсации количеств электричества, индуцированных потоками двух ламагничивающих катушек 1.

Однако использование указанного метода в диапазоне высоких частот связано с определенными трудностями: с возникновением паразитных ЭД( и необходимостью учитывать емкости и индуктивности соединительных проводов.

Известен также способ измерения относительной магнитной проницаемости, основанный на измерении датчиком собственного магнитного ноля образца, помещенного в переменное магнитное поле 2.

Однако указанный способ не обладает достаточной точностью измерений в диапазоне высоких частот.

Цель изобретения - повышение точности измерения на высоких частотах.

Это достигается тем, что в зону действия магнитного поля образца помеш,ают монокристаллическую магнитную пленку, имеюшую доменную структуру, пропускают через магнитную пленку поляризованный свет, регистрируют амплитуду переменной составляюш.ей светового потока, вызванную колебаниями доменной структуры с частотой магнитного поля образца, по кото-рой судят о магнитной

проницаемости образца.

Способ основан на том, что при действии на датчик переменного магнитного поля, перпендикулярного к плоскости датчика, наблюдается колебание доменной структуры с частотой, равной частоте действующего поля, причем граница области датчика, гре прекращается колебание доменной структуры, определяется из соотношения;

,

где Яс - коэрцитивность пленки, т. е. площадь этой области пропорциональна значению Я

Пропустив через датчик поляризованное излучение (например, если датчик прозрачен в видимой области) и поместив после анализатора преОбразователь светового сигнала в электрический (фотодиод, ФЭУ), частота электрического сигнала, соответствующего- переменной составляющей переменного светового потока, будет частотой собственного магнитного поля образца, а амплитуда сигнала будет пропорциональна амплитуде этого поля, т. е. магнитной проницаемости образца.

Формула изобретения

Способ измерения относительной магнитной проницаемости, основанный на измерении датчиком собственного магнитного поля образца, помещенного в переменное магнитное поле, отличающийся тем, что, с целью повышения точности на высоких частотах, в зону действия магнитного поля образца помещают мо.но«ристаллическую магнитную пленку, имеющую доменную структуру, пропускают через магнитную пленку поляризованный свет.

регистрируют амплитуду переменной состайляющей светового потока, вызванную колебаниями доменной структуры с частотой магнитного поля образца, по которой судят о магнитной проницаемости образца.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1.Черныщев Е. Т., Чугерина Е. Н. Магнит ные измерения, Изд-во Комитета стандартов, 1969, стр. 153.

2.Авторское свидетельство СССР N° 270875, М. Кл.2 G 01R 33/16, 01.07.68 (прототип).