Акустоэлектрическое устройство Советский патент 1977 года по МПК H01L41/00 

(54) АКУСТОЭЛЕКТРИЧЕСКОЕ УСТРОЙСТВО

1

Изобретение относится к. попупроводникоB(d электронике и может быть использовано для генерации акустических колебаний BJ твердом теле н электромагнитных колебаний.

Известно акустоалектрическое устройство для гевераднн электрических и акустических колебавий, содержащее кристалл полупроводника с электродами подключения источника питавня l , Z

Недостатком этих устройств явлшотся уэкий частотный диапазон, вевысокий коэфициевт полезного действия, высокая рассеива&мая мощвость,г

Цель изобретения - расширение частотного двапазова,повыоаение коэффициента полезнсаб действия, снижение рассеиваемой мощности.

Для этого предлагаемое устройство дополнительно снабжено источником постоянного

магнитногопопя, ориентированнымотноситепьво кристалла так, что магнитное поле перпендикулярно к направлению распространения акустических волн, при этом один из электродов расположен внутри кристалла, а другой - по его внешнему периметру,

На чер-теже приведев пример реализации устройства

Перспективным материалом для создания предлагаемого акустозлектрического устройства является подупроводниковое соединение группы A В - антимонид индия (Основой, для изготовления устройства служит пластина материала толщиной 0,,5 нм, ориентированная по плоскости |001j . В этой плоскости лежат два 1взаимно перпендикулярных пьезоактивных направления 110 для сдвиговых упругих вйлн. Образец вырезают в форме; правильного восьмиугольника со стороной 2-3 мм, причем четыре из восьми граней параллельны пьезоактивным направлениям. Именно вдоль этих направлений и,возникают , ультразвуковые волны, показанные на чертеже пунктиром. Один из индиевых контактов располагают в центре восьмиугольника, другой наносят по периметру. Диаметр центрального контакта составляет 0,5 - 1 мм, толщина внешнего контакта равна 0,05 - О,2 м Величина магнитного поля, направленного перпендикулярно к плоскости пластины при подвижности Д 5,10 и поле 4 В/см, равна 1 кэ. Скорость пьвзоактиваых упругих волн в направлении равна 2,2 3-1 О см/сек. Оптимум усиления акус тнческих волн при концентрации электронов 10 см составляет v 2 ГГц, Такое же значение имеет и генерирующая частота, Длв повышения частоты генерации оледуе увеличивать концентраошо апектронове к параллельности отражающих граней кр талла предъявляют высокие требования.На частоте генерации 10 ГГц параллельность граоей должна быть не хуже 5, Формула изобретения Акустоэлектрическое устройство дла г& верашш электрических и акустических колебаний, содержащее кристалл полупроводника с электродами для подключения источника питания, отличающееся тем, что, с целью расширения частотного диапазона, повьаиения коэф(}шциента полезного действия, снижения рассеиваемой мощности, оно дополнительно снабжено источником постоянного магнитного поля, ориентированным относительно кристалла так, что магнитное поле 11е рпендикуля(шо к направлению распростраие ния акустических волн, при этом один из электродов расположен внутри кристалла, а другой по его внешнему периметру. Источники информации, принятые во вш мание при экспертизе; 1 Alb.While .fourna of Phy&(Св .33, 1962, 2547-2554. 2, Авторское свидетельство № 619985, МКИ 2 Н Oib 41/00, 16.04.74

fm

8