Способ определения ориентации полупроводниковых кристаллов Советский патент 1982 года по МПК H01L21/66 

1

Изобретение относится к методам исследования полупроводниковых кристаллов.

Наиболее широко используе.мым способом определения кристаллографической ориентации монокристаллов является рентгенографический способ, основанный на использовании дифракции рентгеновских лучей.

Известны также способы, основанные на использовании для той же цели ультразвука, света и ионного пучка.

Все эти способы основаны на воздействии решетки исследуемого монокристалла на зондируюш,ий сигнал, который обусловливает появление структурно зависимых изменений указанного сигнала.

Недостатком известных способов является существенная сложность определения кристаллографической ориентации.

Известен способ изучения свойств полупроводниковых кристаллов, заключаюш.ийся в том, что к кристаллу прикладывают импульс электрического поля и изучают индуцируемые в кристалле явления. Этот способ не позволяет определять кристаллографическую ориентацию исследуемого полупроводника.

Известен способ определения ориентации кристаллов, заключающийся в .том, что в кристалле инициируют структурно зависиМ1 физическое явление, регистрируют его

параметры, по которым определяют ориентацию, причем структурно зависимым явлением служит возникновение двойниковой прослойки при воздействии на кристалл, а

параметрами этого явления служат углы, образованные двойниковой прослойкой с гранями кристалла, и высота двойниковой ступеньки.

Недостатком этого способа является поврежденне кристалла и относительная слоЛСность нроведения исследований, связанная

с необходимостью специальной подготовки

кристалла.

Цель изобретения - упрош,ение определения ориентации поверхности скола кристаллов.

Это достигается тем, что к кристаллу прикладывают высоковольтный и.мпульс электрического поля в режиме возникновения стримеров, в кристалле измеряют углы между стримерами и по измеренны.м значениям судят об ориентации поверхности скола.

При это.м используют импульс электрического иоля напряжением от 20 до 40 кВ. На чертеже изображено устройство, реализующее предлагаемый способ.

С помощью игольчатого электрода 1 к полупроводниковому образцу 2 из монокристалла CdS, имеющему подлежащую