Дифференциальный усилитель с высокочастотным и низкочастотным выходами Советский патент 1977 года по МПК H03F3/45 

xou fiaaa - эмиттер транзистора 1,2 кажаого плеча, дополнительные транзисторы 12,1 Оазы ко1тэрых являются входами 14,15 аифференинального усилителя, а коллекторы подключены к базам транзисторов 1,2 соответствуюших плеч, и генератор тока 16, подключенный к эмитгерам граизисторов 12, 13,

Устройство работает следующим образом.

Дифференциальный сигнал, поступающий на входы 14,15 транзисторов 12,13, вызывает изменения коллекторных токов этих транзисторов, эти токи протекая через диоцы 1О,И, вызывают.смещение напряжения в цепи баз транзисторов 1,2 и изменение их коллекторных токов, протекающих через резисторы 5,6 и обеспечивающих усиление сигнала и переоачу его на низкочастотный еыхоа 17, Изменения эмиттерных токов

эранзнсторов 1,2 складываются с изменениями коллекторных токов транзисторов 12, 13. Суммарные значения этнх токов с учетом коэффициентов передачи по току транзисторов 3,4 равны их коллекторным токам. Изменение на1фяження на транзисторах 7,8, вызванное протеканием коллекторных токов транзисторов 3,4, обеспечива т формирование сигнала, поступающего на высокочастотный выход 18,

Таким образом, в данном устройстве обеспечивается ускоренное прохождение усиливаемого сигнала.

Формула изобретения

Дифференциальный усилитель с высокочастотным и низкочастотным выходами, каждое плечо которого содержит последовательно соединенные по цепи питания первый и второй транзисторы разных типов проводимости, эмиттеры которых объединены, в коллекторные цепи включены соответствующие нагрузки, а базы вторых транзисторов объединены и подключены к общему источнику смещения, отличающийся тем, что, с целью повышения быстродействия, в него введены диоды, шунтирующие переход база - эмиттер первого транзистора каждого плеча, дополнительные транзисторы, базы которых являются входами дифференциального усилителя, а коллекторы подключены к базам первых транзисторов соответствующих плеч, и генератор тока, подключенный к эмиттерам дополнительных транзисторов.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе:

1. Патент США № 3828268, кл. ЗЗО-ЗО, 1974.