| название | год | авторы | номер документа |
|---|---|---|---|
| ПОЛЕВОЙ ФОТОТРАНЗИСТОР | 1978 |
|
SU764569A2 |
| ФОТОТРАНЗИСТОР | 1980 |
|
SU862753A1 |
| ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ДАТЧИК ОСВЕЩЕННОСТИ | 1994 |
|
RU2086042C1 |
| Способ изготовления фотоприемника | 2021 |
|
RU2781461C1 |
| ФОТОЧУВСТВИТЕЛЬНАЯ К ИНФРАКРАСНОМУ ИЗЛУЧЕНИЮ СТРУКТУРА И СПОСОБ ЕЕ ИЗГОТОВЛЕНИЯ | 2009 |
|
RU2396635C1 |
| ПОЛЕВОЙ ТРАНЗИСТОР С ПЛАНАРНЫМ ЛЕГИРОВАНИЕМ | 1986 |
|
SU1389611A1 |
| ФОТОТРАНЗИСТОР И ОСНАЩЕННОЕ ИМ ДИСПЛЕЙНОЕ УСТРОЙСТВО | 2010 |
|
RU2488193C1 |
| ДИСПЛЕЙНОЕ УСТРОЙСТВО | 2009 |
|
RU2473937C2 |
| ФОТОЧУВСТВИТЕЛЬНАЯ СТРУКТУРА | 2008 |
|
RU2373606C1 |
| ФОТОРЕЗИСТОР НА ОСНОВЕ ГЕТЕРОЭПИТАКСИАЛЬНОЙ СТРУКТУРЫ CdHgTe (ВАРИАНТЫ) | 2003 |
|
RU2244366C1 |
1. Полевой фототранзистор, содержащий исток, сток, затвор с областью канала и металлические контакты, отличающийся тем, что, с целью расширения спектрального диапазона и повышения чувствительности, затвор выполнен в виде варизонной структуры, ширина запрещенной зоны которой увеличивается к светочувствительной поверхности.
2. Фототранзистор по п.1, отличающийся тем, что, с целью повышения эффективности модуляции сопротивления области канала, канал расположен в узкозонной части варизонной структуры.
