название | год | авторы | номер документа |
---|---|---|---|
Способ измерения ширины запрещенной зоны полупроводникового варизонного слоя | 1980 |
|
SU938218A1 |
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ИСТОЧНИК ИНФРАКРАСНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ (ВАРИАНТЫ) | 1999 |
|
RU2154324C1 |
ПОЛЕВОЙ ФОТОТРАНЗИСТОР | 1976 |
|
SU580777A1 |
Способ определения параметров варизонного полупроводника | 1980 |
|
SU1056315A1 |
ФОТОДИОДНЫЙ ПРИЕМНИК ИНФРАКРАСНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ | 2006 |
|
RU2310949C1 |
ФОТОВОЛЬТАИЧЕСКИЙ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ | 1992 |
|
RU2080690C1 |
СПОСОБ СОЗДАНИЯ ВАРИЗОННЫХ СТРУКТУР НА ОСНОВЕ ТВЕРДЫХ РАСТВОРОВ &&& | 1990 |
|
RU2022402C1 |
ФОТОЧУВСТВИТЕЛЬНАЯ СТРУКТУРА | 2008 |
|
RU2373606C1 |
УСТРОЙСТВО ФОРМИРОВАНИЯ СИГНАЛОВ РЕЗИСТИВНЫХ ФОТОСЕНСОРОВ | 2004 |
|
RU2263374C1 |
Спектрометрический элемент | 1974 |
|
SU506242A1 |
Полевой фототранзистор по авт. свид. № 280777, отличающийся тем, что, с целью расширения функциональных возможностей за счет осуществления в нем оптической записи и оптического считывания информации, область истока выполнена в виде варизонной структуры, ширина запрещенной зоны которой увеличивается к светочувствительной поверхности, причем варизонные структуры областей истока и затвора имеют разные градиенты ширины запрещенной зоны.
Авторы
Даты
2007-09-27—Публикация
1978-01-04—Подача