Адаптивный запоминвающий элемент Советский патент 1978 года по МПК G11C11/14 

(54) АДАПТИВНЫЙ ЗАПОМИНАЮЩИЙ ЭЛЕМЕНТ Адаптивный запоминающий элемент содержит тонкую магнитную пленку 1, распо.юженную вдоль оси легкого на.магничивания пленки (ОЛН), шину 2 возбуждения, размещенную вдсиь тонкой магнитной пленки, токопроводящую катушку 3, расположенную у коппа тонкой магнитной пленки, и uii-niy 4 запрета, расположенную перпендикулярно тонкой магнитной пленке на ее конце. Адаптивный запо.минаюш.ий элемент работа ет следующим образом редиоложим, что на щину 4 (фиг. 1) не подается электрический ток и магнитное иоле отсутствует. Пусть в начальный момент времени пленка насып;е11а и представляет собой однодо.менную конфигуранию (фиг. 2а). Стрелкой указано направление намагниченности. Если на шину 2 возбуждении (фиг. 1) подать переменный ГОК, создающий переменное поле вдоль оси трудного намаг 1ичивания ОТН, а .на токоироводящую катун:ку 3 подать о.а,ин или несколько импульсов тока, создаюни1.х иоле вдоль ОЛН, иротивопо/южное на.магнпченности в пленке, то на краю образуется домен обратной намагниченности, который увеличивается с иодачей новы.ч импульсов тока, тем самым создавая эффект движения доменной границы вдоль Т.МГ1 (фиг. 26). Определенное положение доменной границы в ТМП соответствует определенному состоянию адаптивного элемеита. Пусть теперь требуется изменить направление движения доменной границы. Это достигается изменением по,;1ярности ноля ио О.ПН. В этом случае с началом движения домеиной границы в противоположную сторону на конце ТЛ1Г1 нроис.ходит образование нового домена обратной наМагннченностл (фиг. 2в), который является «вредным для работы устройства. При продолжении нропесеа продвижения границы в ту и другую сторону, что часто бывает необходимо при работе адаптивно1о элем.ента, будут возникать все новые и новые доменi i обратной намагниченности и будут существовать не одна, а несколько домепны.х границ (например как это показано на фиг. 2). Это ириводит к тому, что отношение илощадей доменов с противоиоложными направлениями намагниченности усредияется, все более стреми ся к единице в процессе адаитации и ста KJBИтcя невозможным измешпь его в сторону увеличения или уменьи)еРН1я. В итоге у.меньшается диапазон счптываемы.х сигналов с адаптивного эле.меита, у.меньшается число устойчивы.х состояний, .характеристики адаптации изменяются, у.худшается их линейность. Падежность э.темента ухудшается. (Считывание производится путем возбуждения ТМП переменны.м .маг Ц|тным нолем по ОТП и снятием индуцированного сигнала с эле.мента 3 продвижения,фиг. 1). Изменение .характеристик адаитации зависит от предыстории адаптап.ии, и его практически невозможио учесть. Рассмотрим работу элемента в случае, когда на 4 (фиг. 1) подается электрический ток, создающий иостоянное поле П Нзо. где Нэо - поле зародышеобразовапия. Направление этого поля противоположно нанравлению намагниченности Р. .-асышенной пленке. Т.к. поле Н постоянно и бо.льше по величине поля Нзо, то на краю пленки всегда имеется домен с намагниченностью, обратной первоначальной (фиг. .З.а}. Наличие в первоначальный момент времени этого домена не влияет ни на линейность характеристик адаптации, ни на число устойчивы.к состояний, а лишь незначительно изменяет исходный уровень считывае.мого сигнала, соответствующий начально.му насыщенному состоянию элемента, что не имеет значения. При подаче поля возбуждения по ОТН и ЮЛЯ по ОЛН, противоположного исходному наирав.ению намагниченности, происходит рас1пиреш е этого домена обратной намагниченностиМфиг. 36). При изменении направления дви/1/ения доменной границы на противополож ное путем изменения полярности импульсов з токопроводящей катущке на крдю пленки до,лжен был бы образоваться домен обратной иамагничеиности, как было показано на фиг. 2в, но этого не происходит (фиг. Зв), т.к. процесс его образования подавляется полем Н Нзосоздаваемым тиной 4 запрета (фпг. 1). В итоге не происходит изменения характеристик адаптации и у.меньщепия числа устойчивых состояний адаптивного эле.мента. Надежность элемента повыщается. Следует отметить, что на щину 4 запрета можно подавать импульсы тока, которые синхронизированы во вре.мени с импульсами тока в токопроводящей катущке 3 (фиг. 1) и не меньше их ио длительности. В этом случае достигается тот же эффект, что и в случае подачи постоянного тока, с той лишь разницей, что в исходно.м насыщенном состоянии ТМП не будет принудительного образования домена обратной намагниченности и не будет некоторого изменения исходного уровня считанного сигнала. Но такой режим работы, по мнению авторов, является менее целесообразным, т. к. он ириводит к усложнению схем обрамления адаптивного элемента из-за необходимости синхронизации и введения дополните.льных импульсных схе.м. В иредложеннол.-,адаптивном, запоминающе.м эле.менте значительно уменьшена нестабильность характеристик адаптации, что имеет важное значение при использовании элемента в обучающихся матричных структурах, улучшена линейность характеристик адаптации, увеличено число устойчивых состояний адаптивного запоминающего элемента. Надежность элемента повышена. Изготовление адаптивного запоминающего элемента осуществляется метода.ми групповой тонкоиленочной технологии, что делает его весьма перспективным при создании обучающихс5 матричных структур большого объема. Формула изобретения Адаптивный запоминающий элемент, содержа И1и и тонкую магнитную пленку, расположенную вдоль оси .легкого намагничивания пленки, нжну возбуждения, размещенную вдоль тонкой магнитной пленки, и токопроводяшую катушку, расположенную у конца тонкой магнитной пленки, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности элемента, он содержит шину запрета зарождения доменов обратной намагниченности, расположенную перпендикулярно тонкой магнитной пленке на ее конце. Источники информации, принятые во внимание при экспертизе: 1.IEEE Tzams.Magn., V.MAG-4, 3, 1968. 2.Гостев В. А. Характеристики тонкопленочных адаптивных элементов с использованием доменных границ. «Приборы и системы управления, 1971, № 12, с. 12.

Пале прпдВиисемия

атн

Поре продвижения

Поле продби/нениц

Поле прайоигкения