Способ дефектоскопии тонких магнитных пленок Советский патент 1989 года по МПК G01N27/82 

Изобретение относится к дефекто- .скопии магнитных материалов, приводящих к снижению величины поля Н зарождения доменов, и может быть использовано для обнаружения дефектов в тонких магнитных пленках (ТМП) с плоскими магнитными доменами.

Цель изобретения - повьтение надежности дефектоскопии тонких магнитных пленок с плоскими магнитными доменами за счет возможности выявления дефектов, приводящих к снижению величины поля Hj зарождения доменов.

Способ о существляют следующим образом,

ТМП с намагниченностью, лежащей в плоскости образца, помещают в однородное магнитное поле величиной Н,

большей величины коэрцитивной силы Н в 2 раза, направление которого параллельно оси легкого намагничивания (ОЛН), Под воздействием этого поля происходит перемагничивание исследуемой пленки в направлении действия магнитного поля. Затем на поверхность ТМП накладывают токовую шину и пропускают по ней импульсный электрический ток. При этом ширина токовой шины должна быть меньше ширины пленки, а поле, создаваемое током шины, должно удовлетворять соотношению H Hp+Hj., поскольку должно быть достаточным для того, чтобы компенсировать поле Н о и вызвать зарождение домена под шиной. На участке пленки, содержащей дефект в области

СП

о

Од

оо { ел

действия поля Н , образуется домен обратной намагниченности. Длина домена определяется шириной шины и амплитудой поля Н,. После прекращения действия поля Н, домен коллапсирует под действием поля Н, Если вновь подействовать полем на пленку, то домен возникает на прежнем месте. Таким образом, действуя периодически полем на участок пленки с дефектом, можно вызывать появления и исчезновения доменов. Если в пленке имеются дефекты, то они приводят к снижению величины поля зарождения домена Н, При отсутствии дефектов поле Н равно полю анизотропии Нц, При их наличии поле Н. меньше Н. Если действовать периодически импульсами поля Н, то домен периодически появляется и исчезает с частотой следования импульсов поля и его можно легко наблюдать с помощью магнитооптического эффекта Керра, рассматривая поверхность пленки со стороны стеклянной подложки. Перемещая шину по поверхности пленки или пленку относительно шины, можно выявить все имеющиеся в пленке дефекты. Зная величину тока,протекающего по шине, ления и наблюдают образование доме0

5

0

5

Благодаря тому, что на ТМП действуют локальным магнитным полем обратной полярности, домены возникают только на тех участках пленки, где имеются дефекты. Воздействие на ТМП локальным магнитным полем осуществляют путем подачи тока в токовую шину. В результате обеспечивается надежность регистрации дефектов. Кроме того, использование токовой шины позволяет осуществить многократную проверку полученных результатов.

Визуализацию доменов можно осуществлять с помощью простых методов, не требующих высокого разрешения, например с помощью магнитооптического эффекта Керра.

Формула изобретения

Способ дефектоскопии тонких магнитных ппенок, заключающийся в том, что на тонкую магнитную пленку воздействуют постоянным магнитным полем Пр, направленным параллельно ее плоскости, затем постоянным магнитным полем И противоположного направ

Изобретение относится к дефектоскопии магнитных материалов и может быть использовано для обнаружения дефектов в тонких магнитных пленках (ТМП). Цель изобретения - повышение надежности дефектоскопии. Для этого на ТМП действуют внешним магнитным полем Н_о, в 2 раза превышающим коэрцитивную силу Н_с пленки и направленным вдоль оси легкого намагничивания. В поле Н_о происходит намагничивание пленки в направлении действия магнитного поля. Затем по токовой шине, расположенной на поверхности ТМП, пропускают электрический ток, создающий поле Н₁*98Н_о + Н_с, направленное противоположно полю Н_о. В результате на участках действия поля Н в местах нахождения дефектов возникают домены обратной намагниченности, которые фиксируются с помощью магнитооптического эффекта Керра. Перемещение шины по поверхности пленки позволяет выявить все дефекты.

трудно рассчитать соответствующую ему величину поля,, действующего на пленку.

По Появлению доменов обратной намагниченности судят о наличии и местоположении дефектов на пленке, а по величине тока в токовой шине - о размерах дефектов.

ПГ р и м е р. На пленку с Э

ным магнитным полем Н противоположного направления осуществляют в импульсном -режиме с помощью токовой щины, величины полей Н и Н , выбираи Э действуют внешним магнитным 40 намагничивания, воздействие постоян- полем величиной 4 Э, Затем на поверхность пленки накладывают проводник диаметром О,1 мм. По проводнику пропускают импульсный ток частотой 20 Гц с длительностью импульсов 10 МКС и амплитудой 1 А. После этого ошну перемещают по пленке. В результате на участках пленки, содержащих дефекты, периодически возникают и исчезают домейы обратной намагничен- д ности.

Редактор А. Козориз

45 ют из условий , H Hg-t-H, где Не - коэрцитивная сила пленки, и дополнительно измеряют величину тока в токовой шине, соответствующую появлению доменов обратной намагниченности, по которой определяют размеры дефектов.

Составитель И, Рекунова

Техред М.Ходанич КорректорД. Малец

нов обратной намагниченности, по которым определяют наличие и местоположение дефектов в пленке, отличающийся тем, что, с це- лью повышения надежности дефектоскопии тонких магнитных пленок с плоскими магнитными доменами, воздействие постоянным магнитным полем Н осуществляют в направлении оси легкого

ным магнитным полем Н противоположного направления осуществляют в импульсном -режиме с помощью токовой щины, величины полей Н и Н , выбиранамагничивания, воздействие постоян-