Высоковольтный транзисторный переключатель Советский патент 1978 года по МПК H03K17/08 H03K17/60 

(54) ВЫСОКОВОЛЬТНЫЙ ТРАНЗИСТОРНЫЙ ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЬ

П1);1М111.яжение на транзис1Ч)рах -1 -- l-ii. Конде1-;саторы 3-1 3-п заряжены, диод 5-1---5-П ,ч;)1ерты ii iiaiijjH/KoiiHe ма каждол; из iiiix рагз110 )i i eiini i, 11р11ложенному i каждому из T)aM3iiCTOpoB 1-1 -i:. Ддя защиты от псре1 а 1ряжсгИ Г| llC)cx(ды база-э.мнттер транзисторов 1-1---1-1 могут б|.-;ть зашунтировапы диодами.

Ill-ii 1:рих()де запуокаьэщсго ямиу.аьса на базу транзистора i-i. иосдедний иач.инает отиирьчться, папркжеиьс на сто коллекторе и, соответстнемпо, -la эмиттере тра.тзистора 1-2 умснымасгся. Вс.чедствис этого транзистог 1-2 также 1 :чинает отпираться и через его переход база-эмиттер течет ток разряда конденсатора 3-1 и емкости стабилитрона 4-1, вв13Ь ваг vcKO|HMiiie от11 1рания транзистора 1-2 и сниж:е ii:t на его коллектс ре и на эмиттере т)анз ;стора 1-3.Таким образол;, ироисходит .лавинный процесс, приводящий к oTfuijiaiiiiio и нас-ып1ени1о веех траизжторов и формированию (рроита ими.тьса напряжения на наг Пзке () высоковольтногч) т);1изиеторного нерсключатсля. При умешдиенми напряжения на граизисторах 1-1- 1-г. до уровня а.мплитуды занускакмцего имнудьса, отпираются диоды 5-- 5-ii и через них протекает ток в базы транзисторов 1-2---1-П, удерживая iix в открытом состоянии ПОС.ЛС разряда конденсаторов 3-1--П-1. В момент окончания запускающего пмпульса

транзисторы 1-1--1-11 н диоды 5-1-5-п-1 заннра оте5 li формировател) 7 (Ьормирует спад выходного имн,1ьеа напряжен ;- на на рузке б.

Наличне конденсаторов 3-1--З-п и емкостей

сгаби/ И ронов 4-1-4-п, вк; ючеииых в базовь е нен; тра - 3 1сторов 1- --1-11 искл Очило затя и.ai;:ie М :улвса на1 ряженг я па нагрузке о высоковольтного транзисторного нерек.мючателя.

Соединение диодов 5-1- 5-п-1 в носледся атс. неночку позволяет .малвное напряжение, которое .может коммутировать выеоковольтный транзиетор1 В Й | ерекл очатель, так как в эго.м едучае обратное напряж:е 1ие, 1рп С1адываемое к каждому из диодов 5-1--5-П-1 не нревьииает 1апряжения, надаюП1СГО на каждом из транзисторов 1-1 - 1-п, и новыщение числа тра 1зисторов i, соответственно, коммутируемого напряжения не ириводит к увеличению обратно -о напряжении на диодах 5-1-5-11-1,

Испытания предложенного высоково.тьтного транзисторного переключателя- показали, что длительность фронта умепьнлилась в три раза. Снижение обратного панряжеп 1я на диодах 5-1--5-П-1 позволило пов 1сить .макеимальн(;е напряжение, коммутируемое высоковольтным транзисторным переключателем.

Формула изобретения

Выеоковольтный транзисторный переключатель, содержащий п-ноеледовательно соедине ных транзнеторов с базовыми резисторами, етаб1 л 1троны, диоды И формирователь, вход которого соединен с входной щиной и базовым резистором первого транзистора, а выход - с коллектором п-го транзистора, нагрузкой и выходной щиной, отличающийся тем, что, с целью уменьщения длительности фронта выходного импульса и г овыщения ком.мутируемого напряжения, введены и-конденеаторов, каждый из которых подключен между эмиттером предыдуц его и базой последующего транзисторов, кроме носледнего, который 1одключен между

0 базол п-го транз 1стора i питания, причем с--абилитрО ы включены между базами соседних транз 1еторов, кроме ноеледнего, кото) нодк, между базой п-транзистора i

выходной Н -1НОЙ, Нри ЭТ( ВКДЮЧСНЫ

.между () базовгмх резисторов .-.() транзисторов.

Источник) 1П фО|1мации. нринятые во вни. при экспертизе:

1. Авторское евидетельст 5о CCCi Ле 332573, к-. Н 03 К 7/08, 20.07.70.

2. .BTopcKoe cвидeтeльcтв(J СССР ЛЬ 493918, кл. il 03 К 17/04, 21.02,74.