ФОРМИРОВАТЕЛЬ ИМПУЛЬСОВ Советский патент 1971 года по МПК H03K5/04 

Изобретение относится к области импульсной техники, а именнО к формирователя.м импульсов. В |Настояш,ее время в связи с развитие.м твердосхемных конструкций существует тенденция к .переходу на «схемы, не содержащие конденсаторов, трансформаторо:в и др., вследствИе их нетехнологичиости.

Известны формирователи с высокой крутизной фронтов импульсов «а двух последовательно соединенных транзисторах одного тина проводимости, недостагками которых являются невозможность получения импульсов малой длительности « необходимость использования в них трансформатора.

В предлагаемом формирователе, содержаще.м по1следовательно включенных траНвистора и дополнительный ключевой транзистор, переход база-эмиттер тра.нзистора, включенного в эмиттерную цепь другого транзистора, шунтирован «переходом коллектор - эмиттер упомянутого дополнительного ключевого транзистора, база которого подсоединена чербз резистор к источнику входного сигнала. Это позволяет -получать импульсы с крутыми фронтами и малой длительностью, не зависящей от длительности входного сигнала.

база которого через резистор 2 подсоединена iK источнику 3 входного сигнала, а в цепь эмиттера (включен транзистор 4, базово-эмиттерный переход которого щунтироваи ключевым транзистором 5, база которого через резнстор б подсоединена к источнику 3 входного сигнала.

Формирователь управляется прямоугольным напряжением и работает следующи.м образом. До прихода отпирающего фронта входного прямоугольного напряжения основной транзистор / находится в отсечке, а транзистор 4 в цепи эмиттера основного транзистора .насыщается за счет «вспрыскиваемого в его базу тока. В момент прихода переднего фроита входного .напряжения основной транзистор / входит в н-асыщение, и на выходе формирователя (в цепи коллектора основного транзистора) Появляется ток. Одновременно насыщается дополнительный ключевой тра/нзистор 5, При этом ток коллектора дополнительного ключевого транзистора рассасывает заряд базы транз; стора 4, затем тра;нзистор 4 переводится в отсечку, и ток в цепи коллектора основного транзистора / прекращается. В предлагаемом формирователе крутизна переднего фронта может быть высокой, так как соответствует фронту Насыщения основного транзистора. 3,лительность импульса равна времени рассасывания заряда транзистора 4 током коллектора дополиительного- ключевого транзистора; рассасывание начинается с момента прихода переднего фронта входного отпирающего иапряжеНИЯ.

Длительность импульсов иможет быть малой при соответствующем выборе степени и&сыщения транзистора 4 и тока /коллектора дополнительного ключевого транз истора 5. KpjTHSHa заднего фронта импульса определя.ется скоростью входа в отсечку тр анзистора 4 и может быть большой нри соответствующем выборе тока коллектора дополнительного ключевого транзистора 5 и других параметров схемы. Верхний частотный предел предл1агае:мого форлгирователя определяется временем входа в 1отсечк:у дололлительпого ключевого транзистора. Это время быть малым, так как определяется только инерционностью транзисторов и не связано с восстановлением каких-либо реактивных элементов. Соответственно, в -предлагаемом формирователе, по сравнению с известными, увеличивается частота следования имнульсов.

Предлагаемый формирователь при применении его для запуска транзисторных устройств может обеспечить запуск устройства имнульсами тока. Выходным током формирователя является ток коллектора основного транзистора.

Предмет изобретения

Формирователь им:пульсов, выполненный на основе двух последовательно соединенных транзисторов одного типа проводимости, содержащий дополнительный ключевой транзистор, отличающийся тем, что, с целью уменьшения длительности формируемых импульсов, база упомянутого ключевого транзистора, шунтирующего базово-эмиттерный

переход одного из транзисторов формирователя, подсоединена через резистор к источнику входного сигнала.