(54) МАЛОБАЗНЫЙ ТЕНЗОДАТЧИК
название | год | авторы | номер документа |
---|---|---|---|
Малобазный тензодатчик | 1985 |
|
SU1263996A1 |
Малобазный тензотермодатчик | 1982 |
|
SU1024697A1 |
Малобазный тензодатчик | 1986 |
|
SU1375945A2 |
Полупроводниковый тензодатчик | 1983 |
|
SU1142729A1 |
МАЛОБАЗНЫЙ ТЕНЗОДАТЧИК | 1967 |
|
SU205353A1 |
ВЫСОКОТОЧНЫЙ ТЕНЗОДАТЧИК | 2008 |
|
RU2367061C1 |
Датчик температуры с частотным выходом | 1980 |
|
SU972258A1 |
Насадок термоанемометра | 1976 |
|
SU609094A1 |
Способ определения деформаций и температуры | 1989 |
|
SU1714337A1 |
Динамометр | 1981 |
|
SU1016701A1 |
Изобретение относится к измерительной технике к может быть использовано для одновременного измерения деформации и температуры. Известны тензодатчикн для измерения статических деформаций в условиях йзменяюашхся температур, содержащие генэо и термочувствительные элементы, расположенные параллельно, и изоляционное покрытие тензочувствительного элемента. Тенэочувствительньй элемент выполнен в виде отрезка микропровода, изоляционное пок жггие в виде слоя стек лянной изоляции на нем, а терлгочувстЭительный элемент выполнен в виде микропровода , намотанного на изоляционное покрытие l . Известные тензодатчики неудобны тем, что они недостаточно чувствительны к деформациям к температуре. Наиболее близким по технической сущности к, предлагаемсилу является малобазньай тензодатчик, содержащий тензочувствительный элемент в виде стериня из монокристалла полупроводника, например, в виде нитевидного кристалла, изоляционное покрытие, нанесенное на поверхность тензочувствительного элемента и термочувствительный эле|%«ент J2. Основнь недостатком этого датчика является недостаточная чувствительность к деформациям. Цель изобретения - повышение чувсгвительности малобазного тензодатчика. Для этого предлагаекЕЛй тензодатчик снабжен дополнительным тенэочувствительньм элементом, выполненным в виде стержня из монокристалла полупроводника с проводимостью, противополож- ной типу проводшюсти основного тензочувствительного элементе и расположеннм относительно основного элемента так, что поверхности контактируют с Образованием р-п перехода, а в качестве изоляционного покрьгтия и термочувствительного элемента использован полученный р-п переход. На фиг. 1 изображен малобазный Тензодатчик с тензочувствительным ЬдентоМ, вьаполнанньм в виде 2,-х смежных Ьаралле.п€пипедов и р-п типа проводимости, общий вид и разрез; на фиг,Й- то Же, с коаксиальньм расположением 2-х областей тензочувствительного элемента. Малобазный тензодатчик состоит иэ танзочувствительного элемента 1 в вида стержня из монокристалла полупро водника, например нитевидного к емния, тенэочувствительного элемента 2 в виде стержня из монокристалла полупроводника с проводимостью, про ивоположной проводимости элеменta 2. Тенэочувствительные элементы 1 и имеют оковыводы З-б по два от каждоVO элемента для 1включения их в электрическую цепь.. Измеритель 7 тока, источник 8 тока и р-п переход, образуемый между контактирующими поверхностями тензоэлеМентов, служаЕций термочувствительным Элементом и включенный в запиргиоцем Направлении с источником тока, образуют последовательную цепь. Применение тензодатчйка позволяет повысить чувствительность при измерёИйи деформаций в условиях переменных температур и создать одинаковые температурные условия тенэо и термочувст ительным элементам. ФоЕмлула изобретения Малобазный тенаодатчик, содержащий ензочувствительный элемент в виде стержня из монокристалла полупроводника, например, Б виде нитевидного кристалла, изоляционное покрытие, найесенное на поверхность тензочувствнтельного элемента, и те1 ючувств 1тельйый элемент, отличающийся тем, что, с целью повьаиения чувствительности, он снабжен дополнительным тензочувствительнш4 элементом, выполйенньвл в виде стержня из монокристгшла полупроводника с проводимостью, противоположной типу проводимости основного тензочувствительного элемента, и расположенным параллельно относительно основного элемента так, что их поверхности контактируют с образованием р-п перехода, а в качестве изоляционного покрытия и термочувствительного элемента использован полуkeнный р-п переход. Источники информации, принятые во внимание при экспертизе 1.Авторское свидетельство СССР Л 205553, кл, С 01 ES 7/18, 66. 2.Авторское свидетельство СССР 2342137, кл. От 01 В 7/18, 76,
1%
X 7.
йй/
Авторы
Даты
1978-07-05—Публикация
1976-03-30—Подача