Фазокорректирующая линза Советский патент 1978 года по МПК H01Q15/02 

K r:rp-tg. где hi, hz - толщины плоских параллельных пластин и диэлектрнческих прокладок; 81, 82 - диэлектрические проппцаемости материалов параллельных пластин и диэлектрических прокладок; К - ; А - длина волны. Если же вектор Е перпендикулярен к плоским параллельным пластинам 2, то эквивалентная диэлектрическая проницаемость среды определяется выражением , АГЛаКез -tgY , Kh,V4- 7.tg Как видно из выражений (1) и (2) эквивалентная диэлектрическая проницаемость зависит от толщины плоских параллельных пластин 2 и диэлектрических прокладок 3 hi и hz. Следовательно, при изменении величин/г и 2 эквивалентная диэлектрическая проницаемость решетки 1 будет зависить от координат точек тела рещетки 1. Предложенная фазокорректирующая линза проста в изготовлении, имеет малые искажения фазового фронта электромагнитной волны и широкую полосу рабочих частот. Формула изобретения Фазокорректирующая линза, содержащая решетку из плоских параллельных пластин, разделенных диэлектрическими прокладками, отличающаяся тем, что, с целью расширения рабочей полосы частот, в нее введена дополнительная решетка, расположенная над основной, причем плоские параллельные пластины обеих решеток взаимно ортогональны и выполнены из однородного диэлектрика с диэлектрической проницаемостью, отличной от диэлектрической проницаемости материала диэлектрических прокладок. Источники информации, принятые во внимание при экспертизе 1. Патент -Великобритании № 1311971, кл. Н 4А, 21.09.67.

А-

ж

/ ,1 7ГТГ|7ГЧ

Я

1| 1 |-4f l , |1 ifV

гт гл;тГ1ГТ

4

13

XL,

7

MUI

г

-е

-S