Способ отбраковки мощных транзисторов Советский патент 1978 года по МПК G01R31/26 

(54) СПОСОБ ОТБРАКОВКИ МОЩНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ

Изобретение относится к полупровод никовой технике, в частности к способам контроля полупроводниковых приборов, и может быть использовано для отбраковки мощных транзисторов с дефектами, которые приводят к неоднородному распределениютока. К таким дефектам в первую очередь следует отнести наличие пустот в эвтектике под кристаллом, неоднородност стабилизирующих сопротивлений, а также сопротивления в области омических контактов эмиттера и базы. Наличие этих дефектов приводит к неоднородному распределению тока и существенно снижает надежность мощности транзисторов ., Известен способ контроля и отбрако ки мощных транзисторов с неоднородным .распределением тока, заключающийся в контроле инфракрасного излучения, исходящего от полупроводниковой структуры ri . В местах повышенной плотности тока, т. е. в дефектных неоднородных структурах, тепловое излучение превышает фоновое, что позволяет находить потенциально ненадежные приборы. Однако этот способ может быть осуществлен только при наличии дорогой и сложной инфракрасной техники, кроме того скорость отбраковки ограничивается временем разогрева исследуемой структуры. . Известен также способ контроля транзисторов, заключающийся в измерении статических характеристик транзистора и сравнении их с эталонными 2J . Однако этот способ не позволяет надежно выявить дефектные приборы, так как для этого необходимо снять несколько различных зависимостей и при разных режимах. Целью изобретения является повыиение скорости и эффектиэности отбраковки. Это достигается тем, что по предлагаемому способу при заданном постоянном токе эмиттера измеряют статическую зависимость напряжения между эмиттерным и ба1эовым выводами от напряжения между Ъмиттерным и базовым выводами от напряжения между базовым и коллекторным выводами транзисторной : структуры и о неисправности транзистора судят по наличию перегиба на данной зависимости. Способ отбраковки мощных транзисторов опробован на транзисторах типов КТ904 и КТ912.