Способ получения эмиттера ионов щелочных металлов Советский патент 1978 года по МПК H01J3/04 

Описание патента на изобретение SU619982A1

Изобретение относится к технике получения ускоренных нонных пучков и может быть использовано при создании высоконнтенсивных стабильных источников нонов щелочных металлов.

Известен способ получения эмиттера нонов щелочных металлов, основанный на поверхностной ионизации атомов на нагреваемой металлической поверхности {1.).

Однако при работе такого эмиттера формируется ионный пучок, который загрязнен нейтральными атомами щелочных металлов.

Наиболее близким техническим решением к предлагаемому изобретению является способ получения эмиттера ионов щелочных металлов, включающий -нагреванне металлнческого каТода, помещенного в вакуум, с последующей поверхностной ионизацией атомов щелочных металлов (2).

Рабочее вещество наносят на поверхность металлического катода, который затем нагревается подогревателем, и на поверхности которого Осуществляется ионизация атомов 1ЦеЛ(Очяых металлов.

Недостатком этого способа является малая плотность тока, получаемого с эмиттера.

и больщой расход рабочего вещества, что снижает срок службы эмиттера.

Целью изобретения является увеличение плотности тока ионов и увеличенне срока службы эмиттера.

. Это достигается тем, что по предлагаемому способу на катод наносят оксидное покрытие, состоящее из одного или нескольких окислов бария, стронция и кальция, которое перед нагревом подвергается бомбардировке ионами щелочных металлов с энергией ионов 25-30 кэВ и плотностью заряда на единицу поверхности эмиттера 500-750 мкА-час/см 2.

Эмиттер ионов щелочных металлов получают следующим образом.

Оксидный катод и вольфрамовую спираль с нанесенным алюмосиликатом помещают в вакуум. При давлении остаточного газа в вакуумной системе не менее 5-10 тор производят активировку оксидного катода. После этого производится бомбардировка оксидного катода. Для бомбардировки оксидного катода ионами нагревают вольфрамовую спираль и подают напряжение 25-30 кВ между вольфрамовой спиралью и оксидным катодом, плотность тока

поддерживают 50 мкА/см на протяжении 10-15 я. Для получения ионов щелочных металлов вольфрамовую спираль необходимо нагреть для цезия в пределах 500-650°С, калия 750-850°С, натрия 800-1000°С, лития 1200-1400°С. После бомбардировки ионами оксидный катод при нагревании способен испускать ионы. При испускании ионов выделения газов не происходит. Плотность тока достигает 300-350 мкА/см.

Эм-иссионные свойства эмиттера не менжвгся после вскрытия его иа атмосферу в холодном состоянии.

Фoffмyлa изобретения

Способ получения эмиттера ионов щелочных металлов, включающий нагрев катода, помещенного в вакуум, с последующей

поверхностной ионизацией атомов щелочных металлов, отличающийся тем, что, с целью увеличения плотности тока нонов и увеличения срока службы эмиттера, на катод наносят оксидное покрытие, состоящее из

одного или нескольких окислов бария, стронция и кальция, которое перед нагревом подвергается бомбардировке ионами 1це очных металлов с энергией 25-30 кэВ и плотностью заряда на единицу поверхности эмиттера 500-750мкАчас/см2.

Источники информации, принятые вр внимание при экспертизе:

1. Дж. Хостед «Физика атомных столкновений. М., 1954, с. 121 - 138. 2. Ткачик 3. А., Кульварская Б. С. «Исследование твердотельных источников нонов цезия. «Электронная техника. Серия 4, «Электровакуумные и газоразрядные приборы, выпуск б, 1976, с. 3-8.

Похожие патенты SU619982A1

название год авторы номер документа
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ЭМИТТЕРА ЭЛЕКТРОНОВ ВАКУУМНОГО ИЛИ ГАЗОНАПОЛНЕННОГО ДИОДА 2013
  • Корюкин Владимир Александрович
RU2526541C1
Способ изготовления термоэлектронных эмиттеров 1982
  • Федоринов Виктор Пантелеевич
  • Нешпор Вячеслав Степанович
  • Стефановская Евгения Михайловна
  • Соколов Василий Васильевич
SU1056304A1
САМОЗАТАЧИВАЮЩИЙСЯ ТОЧЕЧНЫЙ АВТОЭЛЕКТРОННЫЙ КАТОД ДЛЯ РАБОТЫ В ТЕХНИЧЕСКОМ ВАКУУМЕ 2007
  • Зайцев Сергей Владимирович
  • Бобков Анатолий Федорович
RU2343583C1
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ИОННЫХ ПУЧКОВ ЩЕЛОЧНЫХ МЕТАЛЛОВ 1995
  • Пустовит А.Н.
  • Загороднев В.Н.
  • Вяткин А.Ф.
  • Личкова Н.В.
RU2148870C1
Автоэлектронный эмиттер с локализованной эмиссией 1982
  • Кузнецов Валерий Андреевич
  • Васичев Борис Никитович
  • Рыбаков Юрий Леонидович
SU1069029A1
СПОСОБ ПОВЫШЕНИЯ ПЛОТНОСТИ И СТАБИЛЬНОСТИ ТОКА МАТРИЦЫ МНОГООСТРИЙНОГО АВТОЭМИССИОННОГО КАТОДА 2016
  • Бушуев Николай Александрович
  • Шалаев Павел Данилович
  • Яфаров Андрей Равильевич
  • Яфаров Равиль Кяшшафович
RU2653843C2
УСТРОЙСТВО ДЛЯ ФОРМИРОВАНИЯ ПУЧКА КЛАСТЕРНЫХ ИЛИ АТОМАРНЫХ ИОНОВ ГАЗА 2022
  • Черныш Владимир Савельевич
  • Миннебаев Дамир Кашифович
  • Шемухин Андрей Александрович
  • Воробьева Екатерина Андреевна
  • Киреев Дмитрий Сергеевич
  • Назаров Антон Викторович
  • Балакшин Юрий Викторович
  • Евсеев Александр Павлович
RU2796652C1
Импульсный магнетрон с безнакальным запуском с трехмодульным активным телом в катодном узле 2021
  • Ли Илларион Павлович
  • Мельников Владимир Александрович
  • Лифанов Николай Дмитриевич
  • Скрипкин Николай Игоревич
  • Капустин Владимир Иванович
  • Шуманов Алексей Владимирович
RU2776305C1
Способ изготовления автоэлектронных катодов 1981
  • Дранова Жанна Ильинична
SU997128A1
ЭЛЕКТРОДОВ ДУГОВЫХ ГАЗОРАЗРЯДНЫХЛАМП высокого ДАВЛЕНИЯ 1972
SU324677A1

Реферат патента 1978 года Способ получения эмиттера ионов щелочных металлов

Формула изобретения SU 619 982 A1

SU 619 982 A1

Авторы

Злупко Василий Николаевич

Савчин Лев Степанович

Даты

1978-08-15Публикация

1976-10-28Подача