Способ изготовления электронного прибора Советский патент 1978 года по МПК H01J9/12 

(S4) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ЭЛЕКТГОННОГО ПРИБОРА

Изобретение относится к электровакуумной технике, в частности к способу изготовления электронных приборов с эмиссионными поверхвестями, активиров.анными цезием, например, с фотокатодами и вторично - эмиссионными динодами.

Известен способ изготовления электронного прибора, в котором пары цезия при активировке получают с помощью генератора на основе юмещешюго в металлическую оболочку однофазного соединения церия и металла, давление паров которого знаштельно меньше давления паров цезия 1.

Недостатком такого способа является невозможность одновременното получения достаточного количества чистого цезия и сохранения сверхвысокого вакуума в приборе в процессе активировки эмиссионных поверхностей.

Известен также другой способ изготовления электронного прибора с эмиссионной поверхностью, вкпючаюцщй активировку. парами цезия эмиссионной поверхности и вспомогательного источника паров цезия на основе однофазных соединеннй цезия, представляющего собой напыленный на внутреннюю поверхность стек1ЯННОГО баллона прибора спой вещества, обладающего низким давлением паров по сравнению с цезием и .образующего с ним однофазное соединение, которое диссоциирует с вьщелением

чистого цезия при нагреве прибора 2.

Недостатком этого способа является невозможность регулирования количества цезия, поступающего от вспомогательного источника, и зависимость скорости поступления цезия от

температуры активирования эмиссионной поверхности и, как следствие этого, малая стабильность параметров.

Целью изобретения является увели«1В1е стабильности параметров.

Это достигается тем, что после активирования вспомогательного источника парами цезия, прибор обезгаживают при температуре не ниже 150°С и не выше телшературы разложения или испарения эмиссионной поверхности,

а затем производят активировку этой поверхносте путем регулируемого нагрева вспомогательного источника паров цезия.

В процессе обезгаживания прибора при температуре выше 150° С происходит разрушение геттерных пленок, образованных на различных поверхностях внутри прибора, и активная дессорбция неконтролируемых загрязнений, кО торые отгоняются из прибора путем откачки. В то JKC время происходит частичный распад пленок, содержащих цезий, образованных на эмиссионных поверхностях во время предварителыюй активировки вспомогатепыюго источника. При этом выделяется цезий, что при темпе ратуре выше 150° С, ведет к образованию на конструктивных элементах прибора пленок иэ хемосорбированного и растворенного цезия, тем самым повышается стабильность прибора. Верхний предел используемого njMi обезгаживании диапазона температур ощжделяется .необходимостью сохранения материалов, являкь щихся ОС1ЮВОЙ для изготовления эмиттнруюишх поверхностей. Примером способа изготовления электронного п жбора может служить изготовление фотоп{Я1боров с сурьмяно-цезиевыми эмиттерами. В этом случае оптимальный диапазон температур при обезгаживании составляет 180-200° С, т. к. при температуре свыше 200° С начинается испарение слоя сурьмы. Регулируемый нагрев вспомогательного источника производят с помощью встроенного в него подогревателя. Способ позволяет получить оптимальное давление свободных от загряя1ешш паров цезия в объеме прибора, что обеспенивает улучшение и стабильность параметров электронных приборов. Формула из обретения Способ изготовления электронного прибора с эмяссяотюя лрверхностьй), включающий активировку парами цезия эмиссионной поверхности и вспомогательного источника паров цезия на основе однофазных соеданений цезия, отличающийся тем, что, с целью увеличения ста&шы| сти параметров после активировки всшмогательного источника парами цезия, прибор обе гаживагат при температуре не ниже 150° С и не выше температуры разложения или испарения Э1 шссионной поверхности, а затем производят акт1шировку этой поверхности путем регулируемого нагрева вспомогательного источника паров цезия. Исготаики инфо1яиации, принятые во внимание при экспертизе: 1.Патент Франции Н 2189860,кл. Н 01 J 19/70, 1974. 2.Патент США N 3858955, кл. 316-19,1975.