Способ изготовления диодного или транзисторного р-п перехода на полупроводниковом кристалле п-типа Советский патент 1979 года по МПК H01L21/02 

тем самым более четкую, гранииу меж ду Р-п-о6ластями, увеличивая эффек вьтрямления и, следовательно, улуч шая качество изделий. Примеры выполнения предлагаемого способа. Пример. Изготовление полевого транзистора из монокристалл кремния п-типа с исходным удельным сопротивлением 100 Ом-см, выращенного по методу Чохральского и содер жащего ростовые дислокации 10 см Деформацию осуществляют пуансонами из jv., при 900С в...тёчейиё 60 мин с нагрузкой 1 кг/мм. Толщина исход ной пластины кремния равна 0,1 мм. Для одновременности проведения дефо мации и легирования перед началом деформации на острия пуансонов наносят каплю спиртового раствора Н В или спиртового раствора АС(NOj), . Перед изготовлением контактов пластину кремния, содержащую р-п-перехо промывают в HF для удаления окисной пленки. Омические контакты изготовляют термокомпрессией обычным способом. После операции изготовления контактов проводят отжиг готового изделия при 550°С в течение 30 мин с последующей закалкой в гликоле. Примерз. Изготовление диода из монокристалла германия п-типа с исходным удельным сопротивлением 100 , выращенного по мето ду Чохральского и содержащего ростовые дислокации 10 см . Деформацию осуществляют коррундовыми пуансонами при 700°С в течение 60 мин с нагрузкой 12 кг/мм. Толщина исходной пластины германия равна 1 мм. Для одновременности про ведения деформации и легирования перед началом деформации на острия .пуансонов;наносят каплю спиртового раствора . Перед изготовлением контактов пластину германия, содержащую р-п-пёреход, промывают в капящей перекиси водорода для удаления окисной пленки. Омические контакты изготовляют термокомпрессией обычным способом. После операции изготовления контактов проводят отжиг готового изделия при 450°С в течение 90 мин с последующей закалкой в силиконовом масле. Использование предлагаемого способа изготовления р-п-перехода обеспечивает по сравнению с известным повышение качества р-п-перехода за счет уменьшения сопротивления р-рбласти на два, три порядка, что в свою очередь, ведет к увеличению эффекта выпрямления на границе р- и п-области по крайней мере на порядок. Кроме того, повторение операции отжига позволяет увеличить длительность эксплуатации изделия, поскольку полностью восстанавливает исходные характеристиФормула изобретения 1 Способ изготовления диодного или транзисторного р-п-перехода на полупроводниковом монокристалле п-типа путем создания р-области давлением сосредоточенной нагрузкой , отличающийся теМ, что, с целью повышения качества р-п-перекода, давление осуществляют двумя соосными пуансон 1ми, содержащими на острие легирующую добавку. ,А Способ по п.1, о -Т л и ч а ющ и и с я тем, что давление кг/мм осуществляют при. в течение 20-120 мин. 3, Способ по пп 1 и 2, отличающийся тем, что после создания р-области проводят отжиг при 450-550С в течение 3090 мин с закалкой в масле, преимущественно силиконовом. Источники информации, принятые во внимание при экспертизе 1.Патент США 2970229, кл. 307-885, 1961. 2.Авторское свидетельство СССР № 348129, кл. Н 01 е 21/02, 1971.