Одновибратор Советский патент 1978 года по МПК H03K3/284 

1

Изобретение относится к импульсной технике и предназначено для формирования импульсов стабильной длительности и амплитуды.

Известен одновибратор с базовыми времязадающими цепями, который, однако, имеет недостаточную стабильность длительности выходного импульса 1.

Наиболее близким техническим решением к изобретению является одновибратор, содержащий транзисторы одного типа проводимости, эмиттер первого из которых соединен с общей щиной коллектор - с эмиттером и коллектором второго транзистора, база которого соединена через резистор с шиной источника питания, а через конденсатор- с базой третьего транзистора, которая через резистор соединена с щиной источника иитания, коллектор этого транзистора соединен через один резистор с щиной источника питания, а через другой резистор- с базой первого транзистора .

Однако и этот одновибратор имеет недостаточную термостабильность длительности выходного импульса, поскольку во время формирования импульса разряд конденсатора протекает через коллекторно-эмиттерный переход транзистора, падение напряжения на котором имеет температурный

дрейф, вследствие чего возможно изменение длительности импульса.

Целью изобретения является повышения термостабильности длительности выходного

имнульса.

Для этого в одновибратор, содержащий транзисторы одного типа нроводимости, эмиттер первого из которых соединен с общ,ей щиной, коллектор - с эмиттером п

коллектором второго транзистора, база которого соединена через резистор с щиной источника питания, а через конденсатор - с базой третьего транзистора, которая через резистор соединена с щиной источника питания, коллектор этого транзистора соединен через один резистор с шиной источника нитания, а через другой резистор-с базой первого транзистора, введены резистор и транзистор, коллекторно-эмиттерный нереход которого соединен соответственно с эмиттером третьего транзистора и общей щиной источника питания, а база через резистор соединена с щиной источника питания.

На чертел е приведена электрическая схема одновибратора.

Одновибратор содержит транзисторы 1 - 4, конденсатор 5, резисторы 6-10 и шины И -14, соответственно входную, выходную

и питания. Шина 11 соединена с базой транзистора 1, а через резистор 8 - с коллектором транзистора 3 и шиной 12. Эмиттеры транзисторов 1 и 4, соединены шиной 14, а коллекторы - соответственно с эмиттерами транзисторов 2 и 3, базы которых соединены между собой через конденсатор 5, а с шиной 13 - соответственно через резисторы 9 и 6. Шина 13 соединена через резисторы 7 и 10 соответственно с базой транзистора 4 и коллектором транзистора 3, а эмиттер и коллектор транзистора 2 объединены.

Одновибратор работает следующим образом.

В исходном состоянии транзистор 1 закрыт, а транзисторы 3 и 4 открыты и насыщены. Конденсатор 5 заряжен через резистор 9, базоэмиттерный переход транзистора 3 и коллекторно-эмиттерный переход транзистора 4 до напряжения, .примерно равного напряжению питания. При подаче на вход запускающего импульса транзистор 1 открывается, транзистор 3 закрывается, а конденсатор 5 разряжается через резнетор 6 и транзисторы 2 и 1 до напряжения, равного потенциалу отпирания транзистора 3. В это время происходит формирование выходного импульса.

При увеличении температуры увеличивается начальное напряжение на конденсаторе 5 вследствие температурного уменьшения падения напряжения на транзисторе4. Одновременно уменьшается падение напряжения на транзисторе 1, и, следовательно,

разряд конденсатора 5 будет происходить с меньшей постоянной времени. Таким образом, благодаря транзистору 4 компенсируется температурный дрейф транзистора 1.

Формула изобретения

Одновибратор, содержащий транзисторы одного типа проводимости, эмиттер первого из которых соединен с общей шиной, коллектор - с эмиттером и коллектором второго транзистора, база которого соединена через резистор с шиной источника питания, а через конденсатор - с базой третьего транзистора, которая через резистор соединена с шиной источника питания, коллектор этого транзистора соединен через один резистор с шиной источника питания, а через другой резистор - с базой первого транзистора, отличающийся тем, что, с целью повышения термостабильности длительности выходного импульса, в него введены резистор и транзистор, коллекторно-эмиттерный переход которого соединен соответственно с эмиттером третьего транзистора и общей шиной источника питания, а база через резистор соединена с шиной источника питания.

Источники информации,

принятые во внимание при экспертизе

1.Яковлев В. Н. Импульсные генераторы на транзисторах. Киев, «Техника, 1968, с. 77-98.

2.Патент США № 3854058, кл. 307-273, опубл. 1974.

Влод

И