(54) УСТРОЙСТВО ДЛЯ СТАТИЧЕСКОГО МИКРОФИЛЬМИРОВАНИЯ
| название | год | авторы | номер документа |
|---|---|---|---|
| Узел экспонирования для статического микрофильмирующего устройства | 1978 |
|
SU718829A1 |
| Устройство для статического микрофильмирования | 1976 |
|
SU563663A1 |
| Устройство для записи и воспроизведения информации | 1973 |
|
SU474028A2 |
| Способ получения изображения на термопластическом носителе | 1975 |
|
SU510688A1 |
| Устройство для записи и воспроизведения информации | 1972 |
|
SU438030A1 |
| Устройство для статического микрофильмирования | 1977 |
|
SU651299A1 |
| Устройство для фототермопластическойзАпиСи иНфОРМАции | 1978 |
|
SU805241A1 |
| Устройство для фототермопластическом записи информации | 1974 |
|
SU511562A1 |
| Способ записи оптической информации на электрофотографическом носителе | 1982 |
|
SU1056126A1 |
| Способ формирования изображения на термопластическом носителе | 1975 |
|
SU510687A1 |
Изобретение относигся к обпасти приборостроения, а именно к технике фототермоппастической записи.
Известно устройство цпя статического микрофильмирования информации с термопластическим носителем jl .
Устройство содержит поспецователько распопсмсеииые на оптической оси кадрового окна записи растр в вице темных и CBeiv. . лых полос, нанесенных на стеклянную подложку, записываемый кацр (участок термоппастическогх носителя), светочувствительную фотополупровоцниковую пластину с у&прм поцвоца и отвода ее при осуществлении фототермопластической записи.
Недостатком известного устройства я&ляется низкая разрешающая способность записи.
В процессе осушесгвпения записи происходит контактирование растра с основой термопластического носителя и при экспозиции копирование его на рабочий слой носителя посредством фотополупроводниковой пластины через основу носителя. Так как толщина основы носителя составляет мкм, то при размерах растрирующих| элемен гов ме нее 15 мкм изображение рас тра на поверхности термопластического слоя будет размытым. При тахом расположении растра удается получить запись с . плотностью не выше 4О лин/мм и практически осуществлять запись с плотностью до 33 ЛИН/ММ.
Целью изобретения является повышение разрешающей способности записи.
Поставленная цель достигается тем, что в кадровом окне записи установлена прозрачная плоско-ПЕ аллельная стеклянная пластин , а растр,, выполненный в виде пленки толщиной О,ЗтО,5мкм, например из диэлектрика, расположен на поверхности фотополупроводниковой пластины.
При таком расположении растра копирование его на термопластический слой осуществляется при непосредственном тактировании его с поверхностью термопластического слоя носителя при осуществлении записи ( а не через его основу). Ввиду этого имеетсйГ возможность повысить час.тоту растра и, соответственно.
