дывая электрическое поле. Изменение И, естественно, приведет к изменению коэффициента отражения. Таким образом .:если световой поток падает на кристалл под некоторь м постоянным углом, то, прикладывая к кристаллу электрическое поле, можно управлять интенсивностью отраженного от него света. В сегнетоэлектрических кристаллах изменение показателя преломления происходит скачком, когда электричес кое поле достигает величины коэрцитивного поля Е | /причем эти изменения зaiвиcят от полярности приложенного напряжения. Вследствие этого зависимость интенсивности отраженного света от переменного напряжения, приложенного к сегнетоэлёктрику, имеет гистерезисный характер. Измерительный преобразователь работает следующим образом. Непрерывный светово и поток-, идущий от источника 1, падает на грань сегнетоэлектрического кристалла 2 под соответствующим углом. Если .к электродам 3 приложено питающее синусоидальное напряжение Uj и аналоговое напряжение Us , то при отражении от кристалла непрерывный световой поток преобразуется в импульсы света, в длительности которых заключена информация о напряжении иПредлагаемый преобразователь превосходит прототип по точности. Это обусловлено тем, что выходного импульса предлагаемо1 о преобразователя определяется только.состоянием отражающей поверхности кристалла, в ,то время как работа прототийа зависит и от состояния поверхности крис талла и от качества (дефектности) объема кристалла. Кроме того, предлагаемый преобразователь может работать как в поляризованном так и обычном (естественном) свете. Последнее позволит работать без поляроидов. Это (Обусловливает более высокую надежность устройства, так как поляроиды являются термически нестойкими элементами и при работе на высоких частотах возможна их деградация из-за разогрева кристалла, к которому примыкают поляроиды. Кроме того, введение в предлагаемый преобразователь дополнительных сегнетоэлектрических кристаллов позволит расширить его функциональные возможности. Формула изобретения Измерительный преобразователь напряжения, содержащий источник света, сех нетоэлектрический кристалл ,с электродами и фртоприемник, о т л и ч а ю щ и и с я тем/ что, с. целью повышения точности преобразования, источник света и светоприемник расположены по одну сторону кристалла симметрично нормали к его грани под углом-Ч, к этой нормали/ при этом f atCtg«n, где И - показатель преломления сегнетоэлектрического кристалла. Источники информации/ принятые во внимание при экспертизе: 1.Мирский Г.Я. Радиоэлектронные измерения. М., Энергия/ 1975. с. 296. 2.Авторское свидетельство СССР № 529429/ 19/26. 23.09.75.
название | год | авторы | номер документа |
---|---|---|---|
Способ выявления топографии 180-градусных @ -доменов в пластинчатых кристаллах титаната бария | 1982 |
|
SU1038840A1 |
СПОСОБ МОДУЛЯЦИИ ФАЗЫ СВЕТА И ОПТИЧЕСКИЙ МОДУЛЯТОР ДЛЯ ЕГО ОСУЩЕСТВЛЕНИЯ | 2008 |
|
RU2373558C1 |
СПОСОБ КОМПЕНСАЦИИ ДИСПЕРСИИ СОСТОЯНИЙ ПОЛЯРИЗАЦИИ СВЕТА И БЫСТРОДЕЙСТВУЮЩИЙ ЭЛЕКТРООПТИЧЕСКИЙ МОДУЛЯТОР НА ОСНОВЕ ХИРАЛЬНЫХ ЖИДКИХ КРИСТАЛЛОВ | 2012 |
|
RU2522768C2 |
СПОСОБ УПРАВЛЕНИЯ ПОЛЯРИЗАЦИЕЙ СВЕТА И БЫСТРОДЕЙСТВУЮЩИЙ УПРАВЛЯЕМЫЙ ОПТИЧЕСКИЙ ЭЛЕМЕНТ С ПРИМЕНЕНИЕМ ХОЛЕСТЕРИЧЕСКОГО ЖИДКОГО КРИСТАЛЛА (ВАРИАНТЫ) | 2007 |
|
RU2366989C2 |
ВОЛОКОННО-ОПТИЧЕСКИЙ ИЗМЕРИТЕЛЬ НАПРЯЖЕННОСТИ ЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ПОЛЯ И НАПРЯЖЕНИЯ | 1991 |
|
RU2032181C1 |
СПОСОБ ВОСПРОИЗВЕДЕНИЯ ИЗОБРАЖЕНИЯ ПЛОСКИМ ЭКРАНОМ | 1998 |
|
RU2146382C1 |
СПОСОБ ПРОСТРАНСТВЕННО НЕОДНОРОДНОЙ МОДУЛЯЦИИ ФАЗЫ СВЕТА И ОПТИЧЕСКИЙ МОДУЛЯТОР ДЛЯ ЕГО ОСУЩЕСТВЛЕНИЯ | 2014 |
|
RU2561307C2 |
ЖИДКОКРИСТАЛЛИЧЕСКОЕ УСТРОЙСТВО | 1994 |
|
RU2081443C1 |
ОПТИЧЕСКИЙ МОДУЛЯТОР | 2016 |
|
RU2649062C1 |
СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ ТРЕХМЕРНЫХ ПОЛНОЦВЕТНЫХ ИЗОБРАЖЕНИЙ И УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЕГО ОСУЩЕСТВЛЕНИЯ | 2002 |
|
RU2219588C1 |
Авторы
Даты
1978-10-25—Публикация
1976-04-19—Подача