(54) СПОСОБ ЭЛЕКТРОЛИТИЧЕСКОГО ТРАВЛЕНИЯ ФОСФИДА ГАЛЛИЯ
| название | год | авторы | номер документа |
|---|---|---|---|
| Способ определения типа проводимости слоев полупроводниковых структур | 1982 |
|
SU1045313A1 |
| Способ определения электрофизических параметров слоев арсенида галлия | 1984 |
|
SU1187650A1 |
| Способ образования объемного изображения на металлической поверхности и защитная краска для покрытий | 1986 |
|
SU1425096A1 |
| Устройство для измерения площади | 1987 |
|
SU1408208A1 |
| Штырь для настройки элементов СВЧ трактов | 1958 |
|
SU116438A1 |
| Прибор для доводки точных пружин | 1960 |
|
SU136145A1 |
| Способ горячей разгладки заднего шва голенища кирзового сапога и пресс для осуществления этого способа | 1953 |
|
SU96751A1 |
| Помехоустойчивый трансформатор | 1986 |
|
SU1415248A1 |
| Фотоионизационный спектрометр для исследования источников излучения с линейчатым спектром | 1986 |
|
SU1402814A1 |
| Водорастворимое связующее для литейного производства | 1987 |
|
SU1518073A1 |
Ичобрстеипс oTiiociiTCH к технологии ироизпо.чства полупроводниковых материалов и Mo/KiT быть ис1К)ль;м)Е5апо при подготовке liopjepxiiocTi (liue(|)iifla иллия поередством -j.ji г);/1Г1гимеск()1Ч) травления.
-i-.iU4--ien спосоГ) электро.ш гическо1о трав. Ml). | |;1)(;1()Д 1пковых материалов, наnpii i;-p KiHMium. в ;)а,ч,1:. электроли а |i. .-) споеобол;, п|)имепяя извеетпыг V, Кктро ;Пгь, КI5(i3МОжно ПОЛУЧИТЬ зерKa/ibiio-iio.inpHKinnyio по верх поет ь фоефпfia га.мия.
Han6o:iee 6/ni:5KiiM к предла1 аемому яв.1яетея епособ - лектролитичеекого травления (|)()е(|) 1а.1,1пя, вк;1ючаюпип1 трав.1еппе пу|-е П1)-|Пже11ия образца рабочей етоpoiioii л -;)лекгролит. подеоедииепие к электро:пгг кат(1да. а к противоположной стороне образца - ано.ча и создание потока э.чектро.лита 2 . При этом электролитичеекую ячейку ),1ня1от 1 /о-11ым раствором плавиковой Kiie;ioTbi.
Однако при травлении образцов эпитаксиальпых структур типа п - со стороны н()верх:1остн НОД.10ЖКП n-Tinia, еовиадающей е кр11ета.1;1О -рафической нлоскостью
(11Г| .. практически невозможно добшч,ея зерка. 1 ачеетва поверхности трав.чеппя. Зго езязано е те, что травленпе пдет еелективпо е образованием ь;а i 0iie i поети травления. 3.:ект;ч: С :мичес чая реакПИЯ с пенользуемым электро.ш Г{:л; сопровождается образованием oKneiioi- плег.ки желтозеле1и)о 1вета. При скО|Ч)сть o6p;i3oвапия окисла бол1,1не екороети раст;имчм1ия Cio в лектро/нгге. Подобные npecci)i обус.1овле;1ы структурой межатом}|ых химнческнх С15язей па roBejixncicrn (llll Л. имеюmiix наибо; ьп1ее .начение :U) сравнению с другим: К|1иста.1.к)гра41ически и1 орнеитания iil П(Г к рхности.
Це..ь пзобре 1ення -- ио.пчение зерка.чьио-глад и1; новерх-юетп транлепия.
Это ДОС гигасгся тел , что Tpaii.ieiine проводят Б ii;) iiuixi paciBopc ) натрня нри напря/кешлч :: лектр1:;ес1 я1Ч) 1о,1я 14017(1 i: ci4:;:x;CTii потока т.1е1чтрол11та о о .; с.
СЛК Ч;;;-1. iC:x pCi, И;1 ,:ЧССК: i П Т;МВ. |еНИЯ
фосфида :а, ;:::;;c i ic i с- ч ;мчНч(.
Образе;: 1 -li.i: a xci:;:. i:. , ix: ры Gal
1ниа 1 п г ;,. -,,, ;: -,.
ПС) всему иер11мет|) к 1к),1().1ьному электроду .3 поверхностью /ьобласти. По поверхности нод.южки п-типа создают поток электро.1ита (1 /о-|||)1Й раствор NaOH) со скоростью 3 5 м/с, в который погружают отрннате,)Нып э.1ектрод 4. Затем напряжение между электродами 3 и 4 повьипают до образования электрического нробоя в структу)е. При этом ток через образен 1 резко возрастает, а напряжение иа нем надает. Достигнув экстремальных величин, пан|1яжеине н ток стремятся к первонача.тьным значениям. Как только ианряже1Н1е иа (бразнс достнгает величины, необходимой для образова1П1я нробоя. ipouecc повторяется. Зтот автоколебательный процесс сопровож.чается световым пзлучеинем в видимой об.1асти спектра.
Величина нанряженпя между э.лектродамп в момент пача.ча пробоя состав.чяет 140 170 В li 3aiinciiMocrn от конпентранпи э;1ект)онов в подложке. {аиряжениость э.чсктрического по.чя виолие доетаточиа для )азруп1ения межатомных ( на новерхности (11 f i .Л. Кроме того, ускоренные в этом no.ic электроны нриобре1aioT энергию, необходнмую д.чя образования квантов свс а нрн взаимодействии с веществом. Световой поток частичио поглощается в ()б)азпе с образованием новых носителей заряда, а частпчно ВЫХОД1ГГ па)ужу, снособст1Пя растворепню oKHCHoii п.1енкп па ;;оверхностп подложки. ()()CTb протеканпя э,:1ект)о,1нта устапавлпвают в соответстви 1 с максимумом п.ютности э.1ект )оли гического тока, проходя1пе1Ч) чс)ез об)азсп (0,2 - - 0,3 А/см ). Такой оптпмал1 111)(11 ре/ким cooi-iuTCTByei иаибо:1ее ио.чпому расгворгпию продуктов э,1ектрохимическоГ: реакции. протекает в режиме дипампческого равпошспя. Таким образом, одповремеипое соччтаиме излучательпого электрического ла)иппо) пробоя в образце с оптимальным почоком э.тектро.1пта иозо.чяет создать режим зерка,1ьноГ1 по,чировки при травлении эиитаксиальных структур GaP тина п - со cropOHi i по0 верхпости НОД.ЮЖКИ с ориентапие|| (ГГ1) .Л.
Формула и: обретен11Я
Источники информапни, принятые во ниимание ири экспертпзе
