Пассивный элемент интегральных оптоэлектронных устройств Советский патент 1978 года по МПК G02B6/122 

(54) ПАССИВНЫЙ ЭЛЕМЕНТ ИНТЕГРАЛЬНЫХ ОПТОЗЛЕКТРОНКЫХ

УСТРОЙСТВ

кой cHQTeMbi, например меди или серебра, а слой 4 - из халькогенндиого соединения мышьяка, например AstS или AssSctФормула изобретения

Пассивиый элемент интегральных оптоэлектронных устрЫ1ств, выполненный в виде рабочего слоя, нанесенного на подложку, отличающийся тем, что, с целью расширения диапазона используемых материалов подложки, рабочий слой выполнен в виде расположенных друг над другом на слое проэкспонированного светочувствительного материала промежуточного слоя из материала элементов побочной подгруппы группы периодической системы и проэкспонированного верхнего слоя светочувствительного материала, при этомуказанные проэкспонированные слои выполнены из халькогенидпого соединения ммшьяка.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе:

1.«Зарубежная радиоэлектроника, М., «Советское радио, 1970, № 12.

2.«Зарубежная электронная техника, М., ЦНИИ «Элёктроннка, 1975, № 12.