Запоминающий элемент Советский патент 1978 года по МПК G11C11/34 

(54) ЗАПОМИНАЮЩИЙ ЭЛЕМЕНТ

Изобретение относится к автоматике и вычислительной технике и может быть применено в качестве запоминающего элемента или порогового переключателя.

Известны запоминающие элементы, выполненные на основе полупроволннкового выпрямляющего контакта селен-селинид кадмия, в которых приконтактный слой селена легирован серебром |1). Эти элементы не обеспечивают длительного хранения информации, а увеличеиие числа и частоты обращений при считывании вызывает ее исчезновение. Наиболее близким к изобретению техническим решением является запоминающий элемент, содержащий герметичный корпус из изоляционного материала, внутри которого установлены токовые электроды, между которыми размещены последовательно расположенные активный слой селена и слой селенида серебра, причем один из электродов, контактирующий, например, с селенидом, выполиен обычно нз золота, а другой из висмута и алюминия 2. Известному запоминающему элементу свойстпенна сравнительно быстрая дегра.чяиня характеристик при жсплуатапни, кошр; особенно сильно проявляется при раГмис п режиме порогового стабильного переключения, что приводит к постепенному увеличению сопротивления элемента, а в конечном итоге - к выходу его из строя.

Цель изобретения - повышение надежности. В предложенном элементе это достигается тем, что он содержит наполнитель, например селеновый, размешенный внутри герметичного корпуса. Кроме того, в нем токовые электроды выполнены из фнзически и химически нейтрального по отношению к селениду серебра и селену тугоплавкого материала, например вольфрама.

На чертеже показан предложенный запоминающий элемент.

Он содержит два токовых электрода } и 2, между которымн размещены слои селена 3 и селенида серебра 4, и наполнитель 5, размещенный внутри герметичного корпуса 6 из изоляционного материала. К электродам 1 и 2 подключены токопроводы 7 и 8.

Работа запоминающего элемента основана на изменении его сопротивления, которое происходит из-.а образования или соответственно разруп ения проводяпшх кана.юи и се.юнс при вп.ч/и-йгтвии переключающего напряжения. Hun, чаги)минУн Н1ий

элемент находится в исходном состоянии (высокоомном). При воздействии переключающего напряжения ноложительной полярности (плюс на электроде 1) его сопротивление уменьшается, и он постепенно переходит в крайнее низкоомное состояние, в котором остается также и после снятия переключающего напряжения.

В исходное состояние запоминающий элемент возвращается при воздействии импульсом напряжения определенной величины н длительности, но обратной полярности.

Состояние запоминающего элемента не меняется, когда на него воздействуют импульсами напряжения, амплитуда, длительность и частота следования которых меньuie некоторых критических величин, что позволяет многократно считывать записанную информацию без ее регенерации.

Если в высокоомном состоянии прилождть к запоминающему элементу отрицательное напряжение амплитудой, равной или , больше определенной пороговой величниы, он после некоторой задержки переходит также в Иизкоомное состояние. Однако после

.,, .

-

снятия илпряжоння в дяпиом случае элемент возвращается в ксхоинпе состояние. Формула изобретения

. Запоминающий элемент, содержащий герметичный корпус нз изоляционного материала; внутри которого установлены токовые электроды, между которыми размешены последовательно расположенные активный слой селена н слой -селенида серебра, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности элемента, он содержит наполнитель, например селеновый, размещенный внутри герметичного корпуса.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе:

2.Авторское свидетельство СССР № 368646. кл. G II С 11/34, 1970.