§С?ООЮЗНД>&1 Советский патент 1973 года по МПК G11C11/35 

1

Предлагаемый ионотрон предназначен для использования в области автоматики и вычислительной техники в качестве запоминающего элемента.

Известны ионотроны, выполненные на основе селена с фиксирующим электродом, образующим со слоем селена невыпрямляющий контакт.

Однако известные элементы не обеспечивают длительного хранения информации, а увеличение числа и частоты обращений при считывании вызывает ее исчезновение.

Предлагаемый ионотрон выполнен на основе кристаллического селена, с одной стороны которого размещен фиксируюндий электрод с иевынрямляющим контактом, и отличается от нзвес1цого тем, что, с целью повьпления надел ностм его работы и увеличения длительности хранения информации, в нем на другой стороне слоя кристаллического селена размещен слой селенида серебра, на котором расположен второй фиксирующий электрод с невЫ1пр я.мл яющи м ко.нTaiKTOM.

На фиг. 1 приведепа схема предлагаемого «онотрона; иа фиг. 2 - .вольтампе рные характеристики устройства.

Ионотрон содержит слой 1 кристаллического селена; слой 2 селенида серебра; электроды 3, образующие с соответствующим слоем селена или селенида невыпрямляющие контакты.

Действие предлагаемого ионотрона основано на изменении параметров его импульсной вольтамперной характеристики вследствие изменения распределения примеси серебра в приконтактной области селена под воздействием приложенного извне напряжения. Источником подвижных ионов серебра в данном

случае, в отличие от известных нонотронов, служит слой селенида серебра. В зависимости от полярности прнлол енного формирующего напряжения ионы серебра либо вводятся в приконтактную область селена, либо выводятся обратно в селенид серебра, изменяя тем с.мьв форму вольтамнерной характеристики нонотрона. Под воздействием отрицательного (минус - на электроде, имеющем контакт с селеном) формирующего напрянсення ионотрон переходит в крайнее состояние, в котором он имеет паибольщее сопротивление и наибольщЗю асимметрию проводимости (Л. на фиг. 2). Под воздействием импульса положительного напряжения (на выщеуказанном

электроде подан плюс), имеющего определенные (критические) амнлитуду и длительность, ионотрон из состояния с нанбольщим сопротивлеппем переходит в другое крайнее состояние, где он имеет меньшее сонротивление и

меньшую асимметрию проводимости (Б. на

фиг. 2), Если продолжить воздействовать на ионотрон положительным напряжением, то его сопротивление и асимметрия проводимости опять увеличиваются, и ои из состояния Б постепенно переходит в состояние, в котором его вольтампериая характеристика имеет форму В. При последующем воздействии отрицательпым напряжением ионотрон сначала переходит в крайнее состояние, в котором он имеет наименьшее сопротивление, а его вольтамперная характеристика (Г на фиг. 2) имеет наименьшую асимметрию и в дальнейшем возвращается в исходное крайнее состояние, в котором имеет вольтамнерную характеристику А.

Состояние ионотрона не меняется, когда на него воздействуют импульсами нанряжения, амнлнтуда, длительность и частота следования которых меньше некоторых критических величин. В случае использования ионотрона в качестве запоминающего элемента, это его свойство представляет возможность проводить многократное считывание записанной информации без ее регенерации.

Поскольку наибольшее изменение сонротивлеиия ионотрона наблюдается при его переходе из состояния А в состояние Г и наряду с этим указанные состояиия являются наиболее стабильными, при записи ииформации целесообразно перевести ионотрон в состояние Г, а

при ее стирании - в состояние А. При этом для записи информации в предлагаемом ионотроне в отличие от известных необходимо применить двойной импульс - сначала положительной, а затем отрицательной полярности,

а при стирапии информации - один импульс напряжения отрицательной полярности.

Предмет изобретения

Заномииающий элемент - «ионотрон, содержащий слой кристаллического селена, с одной стороны которого размещен фиксирующий электрод с невыпрямляющим контактом, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности его работы и увеличения длительности хранения информации, в нем на .другой стороне слоя кристаллического селена размещен слой селенида серебра, на котором расположен второй фиксирующий электрод с певыпрямляющим контактом.

12

5

cpuz.1

г 6 в А

А В