Ионная пушка Советский патент 1982 года по МПК H05H5/00 

Описание патента на изобретение SU638221A1

1

Изобретение отноеитея к уекорительной технике и может быть использовано для генерации сильноточных ионных пучков.

Извеетиа ионная пушка Ll, 21, состоянии из солеио 1л.а, создаюи1,его имнульсное магиитиое no/ie, и отражательного триода, имеющего два полупрозрачных металлических катода с общим тонким анодом, состоящим из металла и диэлектрика и укрепленным иа высоковольтном электроде.

В такой пушке при поступлении иоло;кнтельн()го высоковольтного нмпульеа на анод под действием электрического поля электроны эмиттнруются с катодов и ускоряются, совершая многократные прохождения аиода, колеблясь между катодами. Потери эиергии электронов иучка иа ионизацию материала анода способствуют разогреву материала аиода н образованию в прианодиой области плаз.мы. Из илазмы иод действием электрического иоля вытягиваются в направлении к катодам ионы, которые выводятся из пушки для использования. Создаваемое сОоТеиоидо.м нмпульеное магннтиое иоле необходимо для ликвидации иотерь электронов из-за кулоновского расталкивания на обо; анода.

Это устройство позволяет получпть ионные пучкн с плотностью тока, рассчитаииой

по закоиу Чайльда-Лэнгмюра, и полным током в десятки килоампер.

К недостаткам устройства относится быстрое разрушение анода за одно или несколько срабатываний ионной пушки под действием электронного пучка.

Известна ионная пушка, содержаш,ая внешний соленоид, анод, выполненный из проводника с дпэлектрическимп вставками,

ироводящий катод с диэлектрической вставкой на торце, расположенный коаксиально внутри анода. В катоде имеются отверстня, размещенные напротив диэлектрических вставок анода 131.

При поступлении высоковольтного полон нтельного импульса на внешний метал.ический анод за счет разно) электрической длины в металле и в диэлектрике по цоверхности анодной диэлектрической

вставкой иа торие, расположеиный коаксииробоя по.Пчается плазма. Из илазмы в пределах каждой анодной диэлектрической вставки формируется ноток иоиов, ускоряется электрическим пoлe и проходит через

отверстия в катоде. Двигаясь внутри катода, ионы, нейтрализованные во всем объеме катода но заряду электронами плазмы, образованной бомбардировкой катодной диэлектрической вставки частью

ионов, достигают оси катода и затем оседают либо на стенках детектора, лиоо па стенках катода. РЬтульспое магнитное поле, создаваемое соленондом, обеепечивает полную отсечку электронного тока в диоде.

Устройство позволяет увеличить срок службы анода, однако вывод иучка ионов в нем невозможен.

Цель изобретения - вывод сильноточного нонного нучка из пушки.

Цель достпгается тем, что апод и катод ионной пушкп выполнены в ви71,е усеченных конусов раструбами в сторону вывода нонного нучка, причем радиус днзлектрической вставки соотносится с радиусом менынего основания катода как

/ - /

Ч в - А к с

где t/o - напряжение, приложеппое к дподу;

б - объемная плотность заряда ионов, а высота катодной диэлектрической вставкн равпа длине отрезка, ограниченного точками иерссечеиия осп катода с плоскостью, проходящей через меньшее основание катода, с одной стороньг, п перпендикуляром, восстановленным в центре отверетня нервого ряда от основания катода.

На чертеже показана конструкция ионной пушки.

Ионная пушка содержит внешний соленоид 1, анод 2-6 и катод 7, выполненные в виде усеченных полых конусов раструбами в сторону вывода ионного пучка, причем катод расположен коакспально внутрн анода. Анод состоит из внешнего металлического конуса 2, соединенного с высоковольтным электродом, изолятора 3 и внутренного металлического конуеа 4 с отверстня.ми на его боковой поверхности иод анодные диэлектрические вставки 5, являющиеся источниками нонов. В центр каждой анодной диэлектрической вставки 5 введен металлический стержневой электрод 6, соединенный с внешним металличеекнм коиусом 2. На боковой поверхности катода 7 в соответствии с иоложенне.л анодных диэлектрических вставок 5, сделаны отверстия для вывода ионных пучков. Диаметр отверстий d ; d где d - диаметр анодной днэлектричеекой ветавки 5. К торцу 7 кренится диэлектрический колпак 8, служащий для подавления эмиссии электронов с основаиия катода, и катодная диэлектрическая вставка 9, обесиечпваюшая нейтрализацию объемного заряда ионов, движущихся внутри катода 7. Катодная диэлектрическая вставк-а 9 выполнена в виде цилиндра с радиусом основания R и высотой h. Одним нз оснований она кренится к диэлектрическому колнаку 8. а высота ее выбрана равной длиие отрезка, ограничеиного точками нересечеиня оси катода с плоскостью, проходящей через меньшее основа.ние катода, н перпендикуляром к боковой поверхности катода, восстановленным в центре отверстия иервого ряда от осиоваиия катода.

При поступлении высоковольтного имнульса положительиой полярности на внешний металлический конуе 2 анода и соединенный с 1П1М металлический стержневой электрод 6 происходит иробой по поверхности анодной диэлектрической вставки 5 между виутреппим металлическим конусом 4 п электродом 6 за счет разной электрической длины изолятора 3 и электрода 6. Этот пробой приводит к образованию плазмы, служащей источником ионов. Под действием электрического поля в пределах каждой анодной диэлектрической вставки 5 в направлении к катоду 7 формируется ионный ноток. Цмиульсное магнитное поле внешнего соленоида 1 обеспечивает отсечку электрониого тока в зазоре между аиодом п катодом в течеиие всего импульса, т. е. выполнено условие магнитЕгой нзоляции

В 3.4 ,

где К - масштабиый фактор, К 2;

d - зазор г ежду анодом п катодом, см;

UQ - напряжение, приложенное к диоДУ, МБ,

В - напряженность магнитного иоля, кГс.

Сформированные потоки ионов входят через отверстия внутрь катода и движутся цод углом |5 90° к его оеи. За счет кулоновских сил расталкивания между симметрично сходящимися к оси конуса потоками их радиальная составляющая скорости уменьшаетея до нуля, но при этом продольная составляющая скорости сохраняется. Часть ионов, входящих через отверстия ряда, расположенного ближе других к меньшему основанию катода, бомбардирует катодную диэлектрическую вставку 9 и создает на ее поверхности плазму. Под действием электрического ноля, создаваемого объемным зарядом ионов, входящих через остальные отверстия, из плазмы вытягиваются электроны п движутся вдоль силовых линий магнитного ноля 10, образуя капал плазменных электронов. Радиальный размер канала определяется радиальным размером катодной диэлектрической вставки 9. Радиус катодной диэлектрической ветавкн 9 выбран равным радиусу, на котором ионы, движущиеся к оси катода, иотеряли полностью или большую часть радиальной скорости, п рассчитывается по формуле

R - Р Q-UIK

J в - к )

где Ra - радиус катодной диэлектрической вставки 9; /,i - радиус меньшего основания катода .7; Ни - напряжение, приложенное к диоду;5 - объемная плотность заряда После иопадания в область канала плазменных электронов нонный ноток становится зарядо-нейтральным (отсутствует кулоновское расталкивание) н при движении вдоль оси катода со скоростью, определяемой формулой; V где Ко --напряжение, приложенное к диоду;. , g - заряд иона; ;VI - масса нона; |5 - угол, нод которым нормаль к боковой поверхности катода пересекает ось катода, выводится из иун1ки. Предлагаемая ноиная иуи1ка позволяет получать спльноточные ионные иучкп высоких плотностей ( А/см), представляющие бо,1ьи:ой интерес в плане peaлпзаиии уиравляемого термоядерного синтеза, а также в (лгзнке ядра и смежных с нею областях. Формула изобретения 1. Ионная nyuiKa, содержащая виешнпП соленоид и диод, анод которого служит источником иоиов и расиоложен коаксиально снаружи катода, выполненный из проводника с днэлектрическимн вставками проводящий катод с диэлектрической вставкой на торне, с отверстнямн напротив диэ.лектрических вставок анода, отличающаяся тем, что, с целью вывода сильноточного ионного иучка из пущкп, аиод и катод ее выполнены в виде усеченных конусов раструбами в сторону вывода понного пучка, причем радиус диэлектрической вставки соотносится с радиусом меиьп1его осиоваиия катода как Р Rp-1J-f: V В к ) где /о - наиряжение, ириложениое к диоду;б - объемная плотность заряда 2. Пушка по п. 1, отличающаяся тем, что высота диэлектрической вставки равна длиие отрезка, ограннченного точками пересечения оси катода с плоскостью, гфоходящей через меньптее основание катода, и иериснднкуляром к боковой поверхности катода, восстановленным в центре отверстия первого ряда от основания катода. 11сточники информаиин, прииятыс во внимание ирп экспертизе 1.W. М. Black; Golden I.; Kapetana kos С. A. Bull. Am. Phys. Soc. 20, 1381, 1975Г. 2.C. A. Kapetanakos, R. K. Parker; I. R. Chu. Appl. Phys. Lett. 26, 284. 1975 r. 3.A. niimphries; Ir. R. N. Sudan; L. Willey. I. Appl. Phys. 47, N 6, 2382,

Похожие патенты SU638221A1

название год авторы номер документа
Ионная пушка 1980
  • Толопа А.М.
SU854198A1
Ионная пушка 1981
  • Сулакшин С.С.
SU986225A1
ПУЧКОВО-ПЛАЗМЕННЫЙ СВЧ-ПРИБОР 1986
  • Переводчиков В.И.
  • Завьялов М.А.
  • Неганова Л.А.
  • Лисин В.Н.
  • Мартынов В.Ф.
  • Шапиро А.Л.
  • Цхай В.Н.
RU2084985C1
УСТРОЙСТВО ДЛЯ ПОЛУЧЕНИЯ ПУЧКА ИОНОВ 1997
  • Петров А.В.
  • Карпов В.Б.
  • Полковникова Н.М.
  • Толмачева В.Г.
RU2119208C1
ПЛАЗМЕННЫЙ ИСТОЧНИК ЭЛЕКТРОНОВ НА ОСНОВЕ ПЕННИНГОВСКОГО РАЗРЯДА С РАДИАЛЬНО СХОДЯЩИМСЯ ЛЕНТОЧНЫМ ПУЧКОМ 2003
  • Нархинов В.П.
RU2256979C1
СИЛЬНОТОЧНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ ПУШКА 2006
  • Озур Григорий Евгеньевич
  • Проскуровский Дмитрий Ильич
  • Карлик Константин Витальевич
RU2313848C1
СИЛЬНОТОЧНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ ПУШКА 2003
  • Озур Г.Е.
  • Проскуровский Д.И.
  • Карлик К.В.
RU2237942C1
СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ ЭЛЕКТРОННЫХ ПУЧКОВ С ПОМОЩЬЮ ВЗРЫВОЭМИССИОННОЙ ЭЛЕКТРОННОЙ ПУШКИ 1989
  • Озур Г.Е.
  • Окс Е.М.
  • Проскуровский Д.И.
RU1706329C
Ионная пушка 1980
  • Быстрицкий Виталий Михайлович
  • Толмачева Вера Григорьевна
SU947929A1
Ионная пушка 1982
  • Матвиенко В.М.
SU1102474A1

Иллюстрации к изобретению SU 638 221 A1

Реферат патента 1982 года Ионная пушка

Формула изобретения SU 638 221 A1

SU 638 221 A1

Авторы

Быстрицкий В.М.

Красик Я.Е.

Подкатов В.И.

Толмачева В.Г.

Даты

1982-04-23Публикация

1977-01-17Подача