Управляемый мультивибратор Советский патент 1979 года по МПК H03K3/281 

(54) УПРАВЛЯЕМЫЙ МУЛЬТИВИБРАТСР

Изобретение относится к импульсной технике, может быть использовано в автоматике и измерительной технике.

Известен управляемый мультивибратор, содержащий основные транзисторы, эмиттеры которых соединены между собой и с общей шнной источника питания, которая через резисторы соединена с эмиттерами управляемых транзисторов, коллекторы которых соединены с одними обкладками времязадающих конденсаторов, ключевой и два дополнительных транзнстора, два резистора II.

Однако этот мультивнбратор имеет недостаточную стабильность при низком напряжении источника питания.

Цель изобретения - повышение температурной стабильиости при низком напряжении источника питания.

Для этого .в управляемый |ультнвибратор, содержащий основные транзисторы, эмиттеры которых соедннеиы между собой и с общей шиной источника питания, а коллекторы через резнсторы связаны с шиной источника питания, которая через резисторы

соединена с эмиттерами управляемых транзисторов, коллекторы которых соединены с одними обкладками времязадающих конденсаторов, ключевой и два дополнительных транзистора, два резистора, введены конденсатор и два резистора, один из которых включен между коллектором основного транзистора и базой первого дополнительного транзистора, змнттер которого соединен с эмиттером второго допо чкительного транзистора и общей шиной источника питания, а коллекторы дополнительных транзисторов через резисторы соединены с шиной источника питания. Коллектор первого дополнительного транзнстора соединен через конденсатор с общей щиной источника питания и непосредственно с базой второго дополнительного транзистора, коллектор которого через резистор соединен с базой ключевого транзистора, эмиттер которого соединен с шиной источника питания, а коллектор - с базами управляемых транзисторов, коллекторы которых соединены с базами основных транзисторов. Коллекторы последних соединены с другими обкладками времязадающих конденсаторов.

На чертеже приведена схема мультивибратора.

Мультивибратор содержит основные транзисторы. I и 2, управляемые транзисторы 3 и 4, ключевой транз1гстор 5, дополнительные транзисторы 6 и 7, Бремязадающие конденсаторы 8 и 9, конденсатор 10, резисторы И - 8и тины 9-22 - входную, выходную, общую и источника питания соответствёнгю. Шина 22 соединена с эмиттерами траизисторон I, 2, 6 и 7 непосредственно, а через конденсатор 10 - с базой транзистора 6 н коллектором транзистора 7, база которого через резистор 18 связана с шиной 20 и с коллектором транзистора 2, соединейным через конденсатор 9 с базой транзистора и коллектором транзистора 4, база которого соединена с базой транзистора 3, шиной 19 и коллектором транзистора 5. База транзистора 5 через резистор 15 подключена к коллектору транзистора 6, а эмиттер соединен с шиной 21, связанной через резисторы II-14, 16 и 17 соответственно с коллектором транзистора 1, эмиттерами транзисторов 3 н 4 и коллекторами транзисторов 2, 6 н 7. Коллектор транзистора I через конденсатор 8 соединен с базой транзистора 2 и коллектором транзистора 3.

Мультивибратор работает следующим образом.

Допустим, в начальный момент один из транзисторов, например 1, насыщен, а транзистор 2 закрыт. Транзистор насыщен током заряда конденсатора 9 и током генератора тока на транзисторе 4. Ток транзистора 4 удерживает транзистор 1 в насыщенном состояний, пока конденсатор 8 разряжается током транзистора 3, который опред&чяется величиной входного напряжения .. Следует отметить, что конденсатор 8 разряжается полностью, а затем перезаряжается до напряжения отпирания транзистора 2. После этого транзистор закрывается, транзистор 2 открывается, конденсатор 8 заряжается, а конденсатор 9 начинает разряжаться током транзистора 4, и процесс повторяется.

При работе мультивибратора в широком диапазоне частот транзисторы могут входить в глубокое насыщение, что приводнт к жесткому режиму возбуждения. При жестком режиме возбуждения колебания могут срываться. При отсутствии выходных импульсов мультивибратора транзистор 7 находится в закрытом состоянии, так как напряжение насыщения транзистора 2 мало, и конденсатор 10 начинает заряжаться через резистор 17. Когда напряжение на конденсаторе 10 достигает напряжения отпирания транзистора 6, он открывается, и база транзистора 5 через резистор 15 и промежуток коллектор-эмиттер транзистора б подключается к шине 22. Транзистор 5 также открывается н закорачивает базы транзисторов 3 и 4 на шину 21, что приводит к закрыванию

транзисторов 3 и- 4. а также транзисторов 1 н 2.

Закрываясь транзисторь и 2 выходят из насыщения, напряже life на коллекторе

транзистора 2 возрастает, траизисгор 7 открывается и закорачивает конленсатор 10, который практически мгновенно разряжается до напряжейнн насьпдення транзистора 7, вследствие чего транзисторы б и 5 закрываются, а колебание мультивибратора возобновляется. Постоянную времени заряда конденсатора JO выбирают значительно больше периода колебаний мультивибратора, а постоянную времени разряда - значитель-но меньше, поэтому при наличии выходных

импульсов мультивибратора конденсатор 10 не успевает зарядиться до напряжения отпирания транзистора 5. и схема депи управления ключевым тра} зистором 5 не влияет на работу мультивибратора.

Формула изобретения

Управляемый мультивибратор, содержащий основные транзисторы, эмиттеры которых соединены между собой и с общей шиной источника питания, а коллекторы через резисторы связаны с шиной источника питания, которая через резисторы соединена с эмиттерами управляемых транзисторов, коллекторы которых соединены с одними обкладками времязадающих конденсаторов, ключевой и два дополнительных транзистора, два резистора, отличающийся тем, что, с целью повышения температурной стабильности при низком напряжении источника питания, в него введены конденсатор и два резистора, один из которых включен между

коллектором основного транзистора н базой первого дополнительного транзистора, эмиттер которого соединен с эмиттером второго дополнительного транзистора и с общей шиной источника питания, а коллекторы дополиигельных транзисторов через резисторы соединены .с шиной источника питания, коллектор первого дополнительного транзистора соединен через конденсатор с общей шиной источника питания и непосредственно с базой второго дополнительного транзистора,

коллектор которого через резистор соединен с базой ключевого транзистора, эмиттер которого соединеи с шиной источника питания, а коллектор - с базами управляемых транзисторов, коллекторы которых соединены с базами основных транзисторов, коллекторы которых соединены с другими обкладками времязадающнх конденсаторов.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе;

I. Управляемый напряжением мультивибратор, обеспечивающий коэффициент перекрытия частоты 10000:1. «Электроника, I97i, № 5, с. 49-50.

figff

о Я