Матричное запоминающее устройство на цилиндрических магнитных доменах Советский патент 1979 года по МПК G11C11/14 

1

Изобретение относится к области вычислительной техники и может быть использовано в запоминающих устройствах на цилиндрических магнитных доменах (ЦМД).

Известны запоминающие устройства (ЗУ) на ЦМД с последовательно-параллельной организацией регистров .I, при которой несколько замкнутых регистров небольшого объема объединены общей петлей, причем каждому регистру соответствует магнитный ключ. С помощью этой летли и магнитных ключей осуществляется ввод и вывод информации, хранящейся в малых регистрах. При считывании информация в малых регистрах разрушается, переносится в большую петлю, и нри необходимости дальнейшего хранения, пройдя всю длину большой петли, перезаписывается в малые регистры. При этом вероятность сбоя информации при перезаписи пропорциональ. на длине общей петли. Кроме того, с увеличением объема ЗУ растет время доступа, так как такая организация исключает возможность непосредственного доступа к достаточно малому объему информации, например, к одному из малых регистров.

Известно также ЗУ на ЦМД 2, содержащее пластины магнитоодноосного материала с расположенными на иих регистрами сдвига, магнитными ключами, соединенными с каналами продвижения цилиндрических магнитных доменов, и электропроводящими щинами. Пластины магнитоодноосного материала

объединены между собой в виде этажерки. Каждому из регистров соответствуют три магнитных ключа, образующих три множества ключей, управляемых тремя устройствами выбора ключей. С помощью двух

множеств ключей и каналов ввода-вывода информации, по одному на каждый столбец регистров, осуществляется соответственно запись и считывание информации. Третье множество ключей используется при стираНИИ информации.

Каждое множество ключей объединено своей матричной системой электропроводящих щин. Действие ключей основано на том, что пр;и одновременном возбуждении

горизонтальной и вертикальной щин на пересечении перемагничивается пленочный элемент из магнитотвердого материала, что приводит, к изменению пути продвижения ЦМД. Указанное ЗУ лишено недостатков устройства 1. Однако формирование ЗУ из нескольких пластин доменосодержащего материала приводит к увеличению габаритов устройства, а также к уменьшению его надежности вследствие большого

числа соединений.

При изготовлении такого ЗУ необходимо формирование и точное совмещение элементов в нескольких слоях, в частности необходимо форм-ирование многослойной структуры электропроводящих щин. Каждому множеству ключей соответствует свое устройство управления, что усложняет управление работой ЗУ.

Целью настоящего изобретения является повышение надежности устройства.

Поставленная цель достигается тем, что устройстве содержит раШойтэженные нГ пластине магнитоодноосного материала дополнительные регистры сдвига -и дополнительные каналы продвижения ЦМД, выполненные между регистрами сдвига и дополнительными регистрами сдвига, а магнитные ключи подключены к электропроводящим ЩИнам. Электропроводящие шины имеют матричную структуру.

Предложенное запоминающее устройство отличается от известных типов ЗУ на ЦМД тем, что появляется возможность формировать ЗУ произвольного объема на основе замкнутых регистров достаточно малой емкости. Сокращается время доступа к произвольному, достаточно малому, объему информации.

На фиг. 1 показана схема устройства; на фиг. 2 представлен пример реализации, .магЖтного ключа ; на фйгГЗ изображены фазовые диаграммы работы ключа в режимах деления и переноса магнитного домена.

ЗУ состоит из столбцов 1 замкнутых регистров сдвига, каналов 2 ввода-вывода информации, дополнительных отрезков пути 3 продвижения ЦМД, магнитных ключей 4, 5, 6, электропроводящих щин 7 матричной структуры, пластины 8 магнитоодноосного материала.

В качестве магнитного ключа может быть использован элемент (фиг. 2), представляющий собой пёрмаллоевую полоску 9, которая пересекает два отрезка 10, 11 пути продвижения ЦМД, выполненных на основе шевронов.

ЗУ работает следующим образом. По каналу ввода-вывода -информации ЦМД продвигаются до выбранного замкнутого реистра сдвига. Соответствующий этому реистру магнитный ключ 4 с помощью имульсов тока, проходящего по горизонтальой щипе, осуществляет перенос доменов в ополнительный отрезок нути продвижения МД 3. По этому отрезку домены продвиаются до ключа 5, который возбуждается помощью соответствующей шины. Этот ключ также работает в режиме переноса

доменов. Таким образом осуществляется запись информации.

При считывании домены с помощью ключа б, работающего в режиме переноса, попадают в дополнительный отрезок пути продвижения ЦМД 3, продвигаются до ключа 4, который при считывании без разрушения информации работает в режиме деления доменов (фиг. За), а при считываНИИ с разрушением информации в данном регистре сдвига - в режиме переноса

(фиг. 36). Во втором случае домены после деления продолжают движение по отрезку 3 до ключа 5, соединенного с ключом 6 одной и той же вертикальной шиной и, следовательно, работающего одновременно с ним в режиме переноса. Происходит перезапись информации в регистр сдвига. При этом вертикальная щина возбуждается

вплоть до окончания перезаписи.

На фиг. За фазовый сектор 12 соответствует длительности импульса тока, с помощью которого домен растягивается. С помощью короткого импульса 13 противоположной полярности домен разрезается пополам. В момент деления основной домен проходит по пути 10.

На фиг. 36 фазовый сектор 14 соответствует переносу домена вверх - вводу информации. При выводе информации подается импульс тока, соответствующий фазовому сектору 15.

Формула изобретения

Матричное запоминающее устройство на цилиндрических магнитных доменах, содержащее пластину магнитоодноосного материала с расположенными на ней регистром сдвига, магнитным и ключами, соединенными с каналами продвижения цилиндрических магнитных доменов, и электропроводящими шинами, отличающееся тем, что, с целью повышения надежности устройства, оно содержит расположенные на пластине магиитоодноосного материала дополнительные регистры сдвига я дополнительные каналы продвижения цилиндрических магнитных доменов, выполненные между регистром сдвига и дополнительными регистрами сдвига, а магнитные ключи подключены к электропроводящим шинам.

, Источники информации,

принятые во внимание при экспертизе Р. I. Bonyhard et el. Magnetic Bubble Memory Cheep Design. SEEE Magn, MAG-9, № 3, 433, 173. ,

2. Патент США № 3737882, кл. 340-174, 1974.

)T.

.-«v.

в

Фчг.1

cfae.3