Запоминающее устройство Советский патент 1982 года по МПК G11C11/14 

, 1, . Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при разработке накопителя информации на цилиндрических магнитных доменах (ЦМД) для внешней памяти ЭВМ. Одно из известных запоминающих устройств (ЗУ) содержит магнитоодноосную пленку с ЦМД, на поверхности которой расположены ферромагнитные аппликации, образующие основные замкнутые и дополнительные каналы продвижения ЦМД, соединенные между собой посредством токопроводяшей шины, и магниторезистивные датчики, подключенные к дополнительному каналу продвижения ЦМД. Это ЗУ широко используется в системах памяти на ЦМД Недостатком такого ЗУ является невысокая помехоустойчивость и, как следствие, повышенная чувствительность к воздействию внешних и внутренних факторов йЧнедостаточно хорошая взаимозаменяемость его модулей. Наиболее близким к предлагаемому явля-, ется ЗУ на ЦМД, содержащее магнитоодноосную пленку с ЦМД, на поверхности которой расположены ферромагнитные аппликации, образуюшие магнитосвязанные между собой основные и дополнительные каналы продвижения ЦМД и магниторезистивные датчики, подключенные к дополнительным каналам 2. Последнее ЗУ является более помехоустойчивым, чем первое. Недостатками данного устройства являются большие времена вывода и ввода информации в режимах считывания и записи из-за того, что ЦМД проходят расстояния между областями магнитной связи основньгх и дополнительных каналов за два периода управляющего поля. Кроме того, дополни,тельные каналы содержат большое количество аппликаций. Цель изобретения - повышение быстродействия и упрощение ЗУ. Поставленная цель достигается тем, что в ЗУ, содержащем магнитоодноосную пленку с цилиндрическими магнитными доменами, на которой расположены основные замкнутые и два дополнительных канала продвижения цилиндрических магнитных доменов из ферромагнитных аппликаций, один из которых магнитосвязан с основными замкнутыми каналами продвижения Цилиндрических магнитных доменов, магниторезистивные

датчики, подключенные к дополнительным каналам продвижения цилиндрических магнитных доменов, токопроводящие шины, расположенные в основных замкнутых и дополнительных каналах продвижения цилиндрических магнитных доменов, токопроводящие шины основных замкнутых и второго дополнительного каналов продвижения цилиндрических магнитных доменов магнитосвязаны с первым дополнительным каналом продвижения цилиндрических магнитных доменов.

При этом дополнительные каналы выполнены из асимметричных С-образных ферромагнитных аппликаций, причем первые концы каждой из аппликаций второго дополнительного канала продвижения цилиндрических магнитных доменов магнитосвязаны с первыми концами и внешними сторонами соответствующих смежных аппликаций первого дополнительного канала продвижения цилиндрических магнитных доменов, а вторые концы каждой из аппликаций второго дополнительного канала продвижения цилиндрических магнитных доменов магнитосвязаны с внешними сторонами соответствующих смежных аппликаций второго дополнительного канала продвижения цилиндрических магнитных доменов.

На чертеже изображена принципиальная схема запоминающего устройства.

Предлагаемое ЗУ содержит магнитоодноосную пленку 1 с ЦМД 2, на поверхности которой расположены ферромагнитные аппликации 3, образующие основные замкнутые каналы 4 продвижения ЦМД, первый дополнительный 5 канал продвижения ЦМД с аппликациями 6 ассимметричной С-образной формы, имеющими первые 7, вторые 8 концы и внешние стороны 9, второй дополнительный канал 10 продвижения ЦМД с аппликациями 11 асимметричной С-образной формы, имеющими первые 12, вторые 13 концы и внешние стороны 14. Указанные аппликации дополнительных каналов магнитосвязаны между собой в узлах магнитной связи 15.

Дополнительные каналы заканчиваются магниторезистивными датчиками 16 и 17, включенными в мостовую схему. Для обеспечения работы ЗУ под аппликациями располагаются токопроводящая шина 18 с петлями 19 и токопроводящая щина 20 с петлями 21 магнитосвязанные с каналом 5 в узлах 15 магнитной связи каналов, и соединённые между собой последовательно. ЗУ содержит также генератор 22 единиц с шиной 23, генератор 24 записи ЦМД с шиной 25.Шины 23 и 25 соединены последовательно и заканчиваются выводами 26 и 27, а работа генераторов разделена по времени друг относительно друга на 180°.

Работа предлагаемого ЗУ производится путем управления перемещения ЦМД с помощью ферромагнитных аппликаций и вращаю щегося в плоскости магнитоодноосной пленки управляюшегося магнитного поля, а также с помощью токопроводящих шин и подаваемых по ним импульсов тока.

Управляющее поле наводит в аппликациях магнитнйе полюса А, Б, В, Г, взаимодействие которых с ЦМД обеспечивает движение последних.

Запоминающее устройство работает следующим образом.

Перед началом работы по выводам 26 и 27 и шине 24 генератора22 подают импульсы тока, зарождают ЦМД, и заполняют, таким образом, единицами все ячейки первого дополнительного 5 канала продвижения ЦМД. В дальнейшем импульсы тока в генератор 22 подают постоянно и постоянно записывают ЦМД-единицы в канал 5.

При осуществлении режима записи информации в каналы 4 по выводам 26 и 27 0 и шине 25 генератора 24 со сдвигом по времени на 180° относительно момента работы генератор,а 22 подают импульсы тока, соответствующие записываемой информации. Эта информация продвигается по каналу

10и при положении В вектора поля Hi по5 падает в позиции 13 и 14 аппликаций 11.

В это время в канале 5 в позициях 9 и 12 также находятся ЦМД. В момент записи (положение В вектора Hi) по щинам 18 и 20 и, следовательно, по петлям 19 и 21

Q подают импульсы токов разной полярности, в результате чего обеспечивается взаимодействие доменов в каналах 5 и 10, и ЦМД канала 5 из позиций 9 и 12 и узлов связи 15 переходят (переключается) в позиции каналов 4.i

5 При осуществлении режима считывания информации, находящейся в каналах 4, в момент В вектора Ни подают импульс тока в проводники 18 и 20 и петли 19 и 21 одинаковой полярности. В это время в канале

Q 10 ЦМД отсутствуют, а ЦМД канала 5 занимают те же позиции, что и при указанном режиме записи.

В каналах 4 находится информация в виде наличия (единица) или отсутствие (нуль) ЦМД. При положении В вектора Ни

эта информация находится в позициях 8 аппликаций 6. Если считываются единицы, то при подаче импульса тока в проводники 18 и 20 и в результате взаимодействия ЦМД канала 5 из позиции 9 и 12 и мост связи 15 переходят в позиции 13 и 14 аппликаций

11канала 10. При дальнейшем продвижении по каналу 10 ЦМД считываются датчиком 17. Если считываются нули, то описанного перехода ЦМД из канала 5 в канал 10 не происходит и нули считываются (в

5 виде активных нулей) датчиком 16.

Таким образом осуществляется парафазное считывание ЦМД датчиками 16 и 17.

Предлагаемое ЗУ на ЦМД с парафазным выводом информации имеет следующие преимущества: повышается быстродействие ЗУ за счет уменьшения времени записи ЦМД путем магнитных связей токопроводяш,их шин основных замкнутых и второго дополнительного каналов продвижения ЦМД с первым дополнительным каналом продвижения ЦМД; при ocyщectвлeнии режимов записи и считывания информации ЦМД продвигается по дополнительным каналам 5 и 10 в два раза быстрее по сравнению с известным устройством, так как проходят расстояния между узлами 15 магнитной связи за один оборот поля упрош,ается построение ЗУ с парафазным считыванием информации за счет сокрашення кoличecJвa аппликаций дополнительных каналов и включения общих для этих каналов С-образных аппликаций. Формула изобретения 1. Запоминающее устройство, содержащее магнитоодноосную пленку с цилиндрическими магнитными доменами, на которой расположены основные замкнутые и два дополнительных канала продвижения цилиндрических магнитных доменов из ферромагнитных аппликаций, один из которых магнитосвязан с основными замкнутыми каналами продвижения цилиндрических магнитных доменов, магниторезистивные датчики, подключенные к дополнительным каналам продвижения цилиндрических магнитных доменов, токопроводящие шины, расположенные в основных замкнутых и дополнительных каналах продвижения цилиндрических магнитных доменов, отличающееся тем, что, с целью повышения быстродействия и упроще ния устройства,, токопроводящие шиньг основных замкнутых и второго дополнительного каналов продвижения цилиндрических магнитных доменов магнитосвязаны с первым дополнительным каналом продвижения цилиндрических магнитных доменов. 2. Устройство по п. 1, отличающееся тем, что дополнительные каналы выполнены из ассиметричных С-образных ферромагнитных аппликаций, причем первые концы каждой из аппликаций второго дополнительного канала продвижения цилиндрических магнитных доменов магнитосвязаны с первыми концами и внещними сторонами соответствующих смежных аппликаций первого дополнительного канала продвижения цилиндрических магнитных доменов, а вторые концы каждой из аппликаций второго дополнительного канала продвижения цилиндрических магнитных доменов магнитосвязаны с внешними сторонами соответствующих смеж ных, аппликаций второг.о дополнительного канала продвижения цилиндрических магнитных.доменов. Источники информации, принятые во внимание при экспертизе 1.ТИИЭР, т. 63, 1975, с. 107. 2.Авторское свидетельство СССР № 526017, кл. G 11 С 11/14, 1976 (прототип).