ГЕНЕРАТОР СВЕРХВЫСОКИХ ЧАСТОТ Советский патент 1995 года по МПК H03B7/14 

Изобретение относится к радиотехнике и может использоваться в установках СВЧ диапазона.

Известен генератор сверхвысоких частот, содержащий отрезок волновода, в котором установлена диафрагма с включенным в нее полупроводниковым диодом.

Однако известный генератор сверхвысоких частот имеет большие габариты и вес.

Цель изобретения упрощение конструкции генератора.

Для этого в генераторе сверхвысоких частот, содержащем отрезок волновода, в котором установлена диафрагма с включенным в нее полупроводниковым диодом, диафрагма выполнена П-образной, а полупроводниковый диод установлен по оси симметрии диафрагмы.

На чертеже изображен предлагаемый генератор.

Генератор содержит отрезок волновода 1, в котором установлена диафрагма с включенным в нее полупроводниковым диодом 2, диафрагма выполнена П-образной, а полупроводниковый диод 2 установлен по оси симметрии диафрагмы, а также корпус 3 генератора, фильтр нижних частот 4, теплоотвод 5, причем П-образная диафрагма образована стержнями 6, соединительной линией 7 и лепестками 8 диафрагмы, кроме того, диэлектрический изолятор 9 конструктивной емкости, образованный волноводом 1 и лепестками 8 диафрагмы, диэлектрический изолятор 10 конструктивной емкости, образованный волноводом 1 и соединительной линией 7.

Генератор работает следующим образом.

Индуктивное сопротивление, вносимое решетчатой диафрагмой, подключается параллельно емкости полупроводникового диода 2, величина его сопротивления определяется длиной l _с.л. соединительной линии 7, равной расстоянию между стержнями 6, и протяженностью (длиной) стержней 6 решетчатой диафрагмы (l_с.л.< λb/8), вдоль волновода 1.

Выбирая определенное расстояние между стержнями 6 (для 3-см диапазона волн l_с.л.=7-5 мм), осуществляют грубую настройку генератора (порядка нескольких сотен мГц на средней частоте 10 гГц).

Точная настройка частоты достигается путем изменения величины конструктивных емкостей, образованных лепестками 8 и теплоотводом 5. Для предотвращения утечки СВЧ мощности в цепи питания полупроводникового диода 2 предусмотрен фильтр нижних частот 4. Соединительная линия 7 и корпус 3 создают конструктивную емкость ячейки фильтра нижних частот 4.

П-образная диафрагма одновременно вносит индуктивность, компенсирующую емкость полупроводникового диода 2 на резонансной частоте (баланс фаз), и регулирует связь, протяженностью стержней 6 вдоль волновода 1, с нагрузкой, необходимую для выполнения баланса амплитуд.

Конструкция диафрагмы предусматривает замыкание токов СВЧ через стержни 6 и конструктивные емкости диэлектрических изоляторов 9 и 10.

При подаче определенного напряжения смещения на полупроводниковый диод 2 им в рабочем диапазоне частот в схему генератора СВЧ вносится отрицательное сопротивление. Изменяя расстояние между стержнями 6 и величину вносимого отрицательного сопротивления в генераторе СВЧ, можно добиться колебаний как при наличии внешнего сигнала, так и без него.

ГЕНЕРАТОР СВЕРХВЫСОКИХ ЧАСТОТ, содержащий отрезок волновода, в котором установлена диафрагма с включенным в нее полупроводниковым диодом, отличающийся тем, что, с целью упрощения конструкции, диафрагма выполнена П-образной, а полупроводниковый диод установлен по оси симметрии диафрагмы.