Полевой транзистор Советский патент 1979 года по МПК H01L29/812 

(54) ПОЛЕВОЙ ТРАНЗИСТОР

1

Изобретение относится к полупроводниковым приборам, и частности к интеграЛьным схемам. Наиболее эффективно оно может быть использовано при построении больших интегральных схем, логических и запоминающих устройств.

Известен полевой транзистор с затвором в виде выпрямляющего перехода металлполупроводник (1)..

Наиболее близким к изобретению по технической сущности является полевой транзистор с затворными областями, расположенными на поверхности подложки и выполненными в виде перехода металл-полупроводник, со стоковой областью, расположенной между затворными областями, и с истоком 2.

Известные конструкции полевых транзисторов имеют существенный недостаток, заключающийся в относительно малой щирине стоковой области и большом сопротивлении растекания тока стока, что ограничи-. вает величины коммутируемых приборам токов и в результате ограничивает быстродействие прибора. Кроме того, реализация прибора обуславливает повышение требований к минимальным размерам окон на фотошаблоне и к разрешающей способности фотолитографических операций.

Цель изобретения - увеличение быстродействия полевого транзистора.

Эта цель достигается тем, что в подложке на расстоянии .введения в область стока от пойерхности, не превЬ1шающем толщины слоя объемного заряда выпрямляющего контакта затвор-исток, расположена дополнительная область противоположного подложке типа проводимости таким . образом, что ее проекция полностью перекрывает контакт стоковой области г подложке.

На чертеже изображен полевой транзистор, имеющий область истока 1, омический контакт 2 области стока, затворные области .3, дополнительную область 4 противоположного истоку типа проводимости и область канала 5.

В предложенной конструкции (6ласть канала 5 перекрывается слоем объемного заряда затвор-исток перехода, выполненного в виде диода Шоттки, когда на затворе .имеет место отрицательный или нул.евой (по отношению к области 1) потенциал. Когда

в области 3 приложен продолжительный потенциал, то область объемного заряда уменьшается и между истоком 1 и стоком 2 имеет место гальваническая связь.

Уменьшение длины канала в предложенном транзисторе достигается посредством расположения краев области 4 и области 3 в одном вертикальном сечении.

В , данной структуре ширина области 2 может быть выбрана достаточно большой и, следовательно, транзистор имеет малое последовательное сопротивление между истоком и стоком. Это позволяет истгользовать прибор для коммутации токов относительно больших величин и, следовательно, уменьшить время переходных процессов паразитных емкостей.

Транзистор может быть изготовлен по рбычной технологии, принятой при производстве пoлyп Jвoдниkoвыx приборов и интегральных схем.

Формула изобретения

Полевой транзистор с затворными областями, расположенными на поверхности подложки и выполненными в виде перехода металл-полупроводник, со становой областью, расположенной между затворными областями, и с истоком, отличающийся тем, что, с целью повышения быстродействия, в подложке на расстоянии от поверхности, не превышающем толшины слоя объемного заряда выпрямляющего контакта затвор-исток, расположена - дополнительная область противоположного подложке типа проводимости таким образом, что ее проекция полностью перекрывает контакт стоковой Области в подложке.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1,Патент США № 3804681, кл. 148-188, 1974.

2.Авторское свидетельство СССР № 602055,-кл. Н 01 L 27/04, 06.01.77.