Ограничитель амплитуды Советский патент 1979 года по МПК H03G11/00 

Описание патента на изобретение SU646419A2

(54) ОГРАНИЧИТЕЛЬ АМПЛИТУДЫ

Похожие патенты SU646419A2

название год авторы номер документа
Рограничитель амплитуды 1975
  • Воеводин Виталий Степанович
SU542331A1
Транзисторный генератор -образного напряжения 1975
  • Пункевич Виталий Семенович
  • Прошин Иван Александрович
  • Токарев Николай Николаевич
SU738123A1
Источник питания электрофильтра 1983
  • Баранов Сергей Евгеньевич
  • Сикорский Владимир Иванович
  • Сухопаров Юрий Дмитриевич
SU1201807A1
ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ ЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ЕМКОСТИ ДЛЯ ЕМКОСТНОГО ДАТЧИКА 2019
  • Минин Петр Валерьевич
  • Дюмин Максим Иванович
RU2724299C1
Транзисторный ключ 1988
  • Варламов Олег Витальевич
  • Гончаров Игорь Александрович
  • Дегтев Владимир Ильич
  • Лаврушенков Валерий Гаврилович
SU1573535A1
Электронное экспонометрическое устройство 1979
  • Иодвалькис Витаутас Юргио
SU873199A2
Устройство для защиты от утечек тока в трехфазной электрической сети 1985
  • Дзюбан Виталий Серафимович
  • Воронцов Олег Михайлович
  • Кононенко Виктор Прокофьевич
SU1358032A1
ФАЗОВЫЙ ДЕТЕКТОР 1973
  • А. А. Лопатин В. А. Мелькумов
SU389610A1
УСТРОЙСТВО ДЛЯ ТАКТОВОЙ ВЫБОРКИ СИГНАЛА 1973
SU436377A1
УСТРОЙСТВО РЕГИСТРАЦИИ КОЛИЧЕСТВА U-- ЭЛЕКТРИЧЕСТВА В ПИКАХ МАСС-СПЕКТРА 1971
SU435841A1

Иллюстрации к изобретению SU 646 419 A2

Реферат патента 1979 года Ограничитель амплитуды

Формула изобретения SU 646 419 A2

Изобретение относится к радиотехнике и может использоваться в радиоизмерительной, радиоприемной и радиопокационной аппаратурах.

По основному авт. св. N 542331 известен ограничитель амплитуды, содержащий ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ диод и цепь обратнсй связи из последовательно соединенных усилителя, детектора, интегрирующей цепи и транзисторного ключа, напрнмер, выполненнся о по схеме с общим эмиттером, причем к вь1ходу полупрово ьHHKDBcro диода подключён генератор тока, а ко входу - эмиттер дополнительного транзистора, включенного по схеме с общим коллектором, база под кдючена к выходу транзисторного ключа.

Однако этот ограничитель амплитуды не позволяет производить двустороннее симметричное ограничение амплитуды слабых сигналов.

Цель изобретения - двустороннее матричное ограничение амплитуды в области слабых сигналов.

Для этого в рЖнйЧйтель аХйшйтуды, содержащий полупроводниковый диод и цепь обратной связи из последовательно соединенных усилителя, детектора, интегрирующей цепи и,транзисторного ключа, например, выполненного по схеме с общим эмиттером, причем к выходу полупроводникового диода подключен генер тор тока, а ко входу - эмиттер (дополнительного транзистора, включенного по схеме с общим коллектором, база которого подключена к выходу транзисторного ключа, включены последовательно соединенные полупроводниковый диод и фазоийвертор, между выходом усилителя и входом дополнительн(Х0 полупроводникового диода включены последовательно соединенные дётёктг, интегрирующая цепь, транзисторный ключ, выполненный, например, по схеме с обиюй базой, и эмиттерный повторитель, к выходу допо ннтельного полупроводникового диода подключен дополнительный генератор , а к точке соединения эмиттера дополнительного транзистора и полупроводни3кового диода подкпючен выход фазоинвер ТОра. ,,-;-,:;-,:-,-:-:,:;::c r-:I.--v:-.-::.-. -i--::На чертеже приведена функциональная электрическая схема предложенного устройства, Ограничитель амплитуды -содержит по лупроводниковый диод 1 и цепь обратной Связи из последовательно соединенных усилителя -2, детектора 3, интегрирующей цепи 4 и транзисторного ключа 5, например, выполненного по схеме с общим эмиттером, причем к выходу полу проводниковсяо диода 1 подключен генератор 6 тока, а ко входу - эмиттер 7 дополнительнш о транзистора, в Ь1Юченно го по схеме с общим KonaeKTqpOM, база которого подключена к выходу транзисторного ключа 5, включены последовательно соединенные полупроводниковый диод 8 и фазойнвертор 9, между выходом усилителя 2 и аходом дополнительного полупроводникового диода S включены последовательно соединенные детектор 10, интегрирующая цепь 11, транзисторный ключ 12, вьшалненный, например, по схеме с общей базой, и эмиттерный повторитель 13, к выходу дополнительного полупроводникового дио да 8 подключен допопнительпый генератор 14 тока,а к точке соединения эмиттера дополнительного транзнстс а 7 и полупроводникового диода 1 подключен вьнход фазоннвертора 9. Устройство работает следующим образом. При отсутствии входнЕяго сигнала транзисторные ключи 5 и 12 за1фыты, а полупроводниковые диоды 8 и 1 открь тц положительными потешиалами, снимаемыми с коллекторов ключей 5 и 12 через дополнительный транзистср 7 и эмиттерный повторитель 13. В режиме ограничения входной сигнал поступает через попупроводниковь1Й диод 8, фазоинвертор 9 и полупроводниковый диод 1 на усилитель 2. С вь1хо да усилителя 2 положительный пЬлуп&94иод сигнала через детектор 3 и рирующую цепь 4 открывает транзистор- ный ключ 5, а отрицательный нопупериод сигнала через детектор 10 и интегрирующую цепь 11 открывает транзисторный ключ 12. 1адение напряжений на коллекторах транзисторных ключей 5 и 12 через дополнительный транзистор 7 и эмиттерный повторитель 13 закрывает диоды i и 8 по постоянному напряжению. Уровень ограничения снизу и сверху устанавливается величиной коэффициента усиления одного общего усилителя 2, что дает симметрию двустороннего ограничения. Генераторы тока 6 и 14 обеспечивают наличие прямых токов через полупроводниковые диоды 1 и 8, чем достигается линейность ограничения в облаоти слабых сигналов. Соблюдение фаз обеспечивается включением фазоинвертора 9, применением разнополярных транзисторных ключей 5 и 12 и разнополярьных детекторов 3 и 10. Формула изобретения Ограничитель амплитуды по авт. ев, N9 542331, отличающийся тем, что, с целью двустороннего симмет ричного ограничения в области слабых сигналов, в него включены последовательгно соединенные полупроводниковый диод и фазоинвертор, между выходом усилителя и входом дополнительного полупроводникового диода включены последовательно соединенные детектор, интегрирующая цепь, транзисторный ключ, выполненный, например, по схеме с общей базой, и эмиттерный повторитель, к выходу дополнительного полупроводникового диода подключен дополнительный генератор тока, а к точке соединения эмиттера дополни- тельнот-о транзистора и полупроводникового диода подключен выход фазоинвертора.

SU 646 419 A2

Авторы

Воеводин Виталий Степанович

Даты

1979-02-05Публикация

1977-10-10Подача