I
Изобретение относится к области магнитных измерений и может быть использовано для измерения напряженности пос- стоянного магнитного поля, в частности для измерения больших значений напряженности магнитного поля в широком интервале температур.
Известны датчики магнитного поля, в которых используется эффект магиитосопротивленИя. С использованием этого эффекта разработаны датчики на базе спла- вй In5b-Ni5t) с разпичной концентрацией легирующей примеси ij.
Однако технология изготовления сплава и датчика сложна. Кроме того, в за-г висимости магнитосопротивления датчика от магнитного поля наблюдается, в общем случае, скачок.
Наиболее близким техническим решением к данному изобретению является датчик магнитного поля, содержащий катушку из висмутовой проволоки, намотан.ной на сердечник из немагнитного мате3)иала 2; .
В связи с тем, что проволока из висмута является мягкой, изготовление самой проволоки и намотка катушки представляют собой сложную технологическую операцию. Целью изобретения является упрсвденяе технологии изготовления датчика магнитного поля.
Эга цель достигается тем, что в датчике магнитного попя, содержащем сердечник из немагнитного материала и катушку из провода, электрическое сопро- тивлени которого зависит от магнитного поля, катушка выполнена из мант-анинового провода, имеющего отрицательную величину магнитного коэффициента сопротивления.
Сущность изобретения заключается и экспериментально обнаруженном эффекте магнитосопротивления катушки из манганинового провода, помещенной в магнитное Поле, Магнитный коэффициент сопро- , тивления манганина является отрицательHof величиной. Сравнительно большая вели- чина этого кбэффициента в манганине обусловлена наличием бсадьшой концентрации парамагнитной примеси ( « 12% Ми), в
CU,. Ni
где .
качесгве примера можно привести следующие параметрь датчика: диаметр сердечника- 1 мм, высота катушки,- 1мм диаметр катушки - 3 мм, провод - МЭМС диаметром 0,06 мм, сопротивление при
Т и Н О - 600 Ом. Чувствительность такого датчика в интервале полей 4О-6О кЭ достигает 0,О2 Ом на 100 Э.
Датчик прост в изготовлении, дешев и стабилен по сравнению с известным. Он позволяет измерять сильные магнитные поля Б широко 1 температурном интервале (от 15О°К до 1,5°К).
Формула изобретения
Патчик магнитного поля, содержащий сердечник из немагниг-ного материала и катушку из провода, электрическое соп- ротивление которого зависит от магнитного поля, отличающийся тем, что, с целью упрощения технологии изготовления, катушка выполнена из манганинового провода, имеющего отрицательную величину магнитного коэффициента сопротивления.
Источники информации, принятые во внимание при экспертизе
1. Измерительная техника , № 2, 197 с. 80.
2.Ttie Review of Scientn-ic Gnstrument% 29, № 5, p. 349, 1958.
название | год | авторы | номер документа |
---|---|---|---|
Полупроводниковый магниторезистор и способ его изготовления | 1990 |
|
SU1728903A1 |
Способ измерения коэрцитивной си-лы МАгНиТНОгО НОСиТЕля зАпиСи | 1979 |
|
SU834750A1 |
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МАГНИТОРЕЗИСТОРОВ | 1986 |
|
SU1466595A1 |
Датчик магнитосопротивления на основе немагнитного полупроводникового материала | 2024 |
|
RU2825969C1 |
СПЕКТРАЛЬНЫЙ МАГНИТОЭЛЛИПСОМЕТР С УСТРОЙСТВОМ ДЛЯ МАГНИТОРЕЗИСТИВНЫХ ИЗМЕРЕНИЙ | 2013 |
|
RU2549843C1 |
УСТРОЙСТВО АВТОНОМНОЙ РЕГИСТРАЦИИ ИМПУЛЬСНОГО МАГНИТНОГО ПОЛЯ | 2013 |
|
RU2533347C1 |
Тепловой зонд | 1977 |
|
SU664094A1 |
СЕНСОР НА ПЛОСКОЙ КАТУШКЕ | 2015 |
|
RU2594072C1 |
ДАТЧИК ИЗМЕРЕНИЯ МЕХАНИЧЕСКИХ НАПРЯЖЕНИЙ | 2013 |
|
RU2552124C1 |
Согласующий трансформатор | 1980 |
|
SU980174A1 |
Авторы
Даты
1979-03-15—Публикация
1977-06-03—Подача