(54) СПОСОБ ОРИЕНТАЦИИ ЖИДКИХ КРИСТАЛЛОВ при складывании двух пластин во взаимно перпендикулярных направлениях с целью получения закрученной па 90° структуры ЖК с равной вероятностью образуются области, закрученные на ЭО- в разные стороны. Наличие множества таких областей нриводит к образованию исходно-рассеивающей структуры ЖК, что резко снижает контраст ЖК-устройств. Цель изобретения - получение высококонтрастных жидкокристаллических устройств в условиях массового производства, Поставленная це..Ч1) .достигается тем, что вакуумное наныле1п-1е диэлектрического слоя производят в два этана, причем на нервы и слой, напыленный нри одном положении плоскости напыления, наныляют второй слой, который, по меньп1ей мере, частично покрывает первый слой. П1)и этом во время или перед нанылением второтх) слоя изменяют положение пластины но отношению к источнику напыления таким образом, что плоскость напыления на втором этапе приблизительно перпендикулярна плоскоети напыления на первом этане. На фиг. 1 показана схема установки для реализации предложенного способа; на фиг. 2 (а, б) - схема размещения испарителя и пластины на первом и втором этапах напыления. Устройство для реализации предложенного способа ориентации ЖК содержит вакуумную камеру 1 и вакуумный насос 2, напылительное устройство 3, держатели 4 образцов, которые можно поворачивать вокруг точки 5, например, посредством шарового шарнира. На держатели 4 накладывают пластины 6 с электродами, на поверхность которых и наносят ориентирующие слои. В камере 1 посредством насоса 2 создают вакуум с остаточным давлением порядка 10 торр, после чего посредством источника тока 7 нагревают проволочный нагреватель 8 и имеющий с ним тепловой контакт испаритель 9 до температуры более 1000°С. В качестве испаряемого материала используют, например, моноокись кремния. Сущность предложенного способа ориентации ЖК заключается в том, что ориентирующий слой наносят в два этапа, причем на каждом из этапов углы встречи испаряемого потока частиц и поверхности пластин различаются и изменяются режимы напыления. Угол встречи потока частиц с поверхностью пластины, т.е. угол между нормалью 10 к поверхности пластины и направлением 11, 12 потока частиц, зависит от положения испарителя 9 относительно поверхности пластин 6. Для упрощения юстировки предусмотрена возможность перемещения нагревателя 8 и испарителя 9 из одного положения в другое. На фиг. 2 поясняется принцип определения угла встречи i ,J 2 потока частиц с поверхностью пластины 6, на которую наносят ориентирующий слой; плоскостей напыления 13, 14, линий 15, 16 пересечения этих плоскостей с поверхностью пластин 6 и углов ft между плоскостями напыления 13, 14 и плоскостями пластин 6. Углы встречи у i , а могут быть установлены за счет поворота держателей 4 относительно точки 5 и/или за счет перемещения испарителя 9. Угол /ff может быть установлен или поворотом держателя 4 или путем соответствующей установки испарителя 9. Пример 1. На первом этапе моноокись кремния испаряют при угле встречи , равном 70°, ТОЛЩИН} слоя в среднем выдерживают около 550 А. На втором этапе изменяют положение плоскости напыления на 90° (j 90°) и напыляют второй слой моноокиси кремния толщиной порядка 30 А при угле встречи - 80°. При сборке ЖК-ячейки из пластин с ориентирующими слоями, нанесенными описанным способом, получают высококонтрастное устройство. Пример 2. На первом этапе моноокись кремния испаряют при угле встречи у 80°, толщин слоя в среднем выдерживают около 280 А, на втором этапе изменяют положение плоскости напыления на угол /) 90° и наныляют второй сло моноокиси кремния толщиной около 100 А при угле встречи -jc 70°. Пример 3. На нервом этапе моноокись кремния испаряют при угле встречи у 70°, толщину слоя выдерживают в среднем около 550 А, на втором этапе изменяют положение плоскоети напыления на угол /) 90° и напыляют второй слой моноокиси кремния толщиной около 80 А при угле встречи Y 70°. Описываемый способ получения ориентации ЖК пригоден для условий массового производства, поскольку между этапами напыления вакуум не нарушается, загрязнения в слои ЖК не вносятся. Способ пригоден для ориентации жидких кристаллов нематического, смектического и холестерического типов, а также смесей различных видов жидких кристаллов. Формула изобретения 1. Способ ориентации жидких кристаллов, включающий нанесение на поверхность пластин вакуумным испарением ориентирующих слоев при расположении поверхностей пластин под углом к направлению потока испаряемых частиц, отличающийся тем, что, с целью получения высококонтрастных устройств в условиях массового производства, напыление производят в два этапа, причем иа первый напыленный в первой плоскости напыления слой, по меньшей мере, частично
покрывающий поверхность пластины, напыляют во второй плоскости напыления второй слой, по меныпей мере, частично покрывав:) щий первый слой, при этом во время напыления или перед напылением второго слоя относительное положение поверхности пластины к источнику испарения изменяют таким образом, что вторая плоскость напыления проходит приблизительно перпендикулярно первой плоскости напыления.
2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что первый слой наносят под углом напыления меньше 75° при средней толпдине более 200 А и второй слой наносят под углом напыления больи1е 75° при средней толщине менее 100 А
3.Способ по п. 1. отличающийся тем, что первый и второй c.i{.)ii нанылякя по ч iламп напыления 70°.
4.Способ по одному из пп. I Л. отличающийся тем, что в качестве материа.кч .ыя напыления предусмотрена MOHOOKHCI. к|Нмния, которую иап1)1ляют на понерхпснть n.iar тинь при скс рости папы.:еппя миппмхм 10 А/с, при давленпи газа н вакуумной клмере торр.
Источники инфор.мации, принятые но iinnмание при экспертизе
1.Патепт CILIA № 3864021, кл. 350 160, 1975.
2.Патент Франции № 2179841. кл. G 02 F 1/13. 1975.
75
№
/
г
к
15
