Ключевое устройство Советский патент 1979 года по МПК H03K17/60 

1

Изобретение относится к силовой полупроводниковой электронике и может использоваться в системах управления и регулирования.

Известны ключевые устройства, содержащие силовой транзистор, транзисторы запирания, соединенные последовательно с переходом база-эмиттер силового транзисто-. ра, и транзисторы отпирания.

Известно также ключевое устройство, содержащее силовой транзистор, транзистор запирания, соединенный последовательно с переходом база-эмиттер силового транзистора и источником запирания, и траизистор отпирания.

Цель изобретения - уменьшение потерь мощности.

Это достигается тем, что в предлагаемое ключевое устройство введен управляемый ключ и элемент задержки, причем выходная цепь управляемого ключа подключена к базе транзистора запирания, а управляющий электрод управляемого ключа через элемент задержки соединен с коллектором силового транзистора.

На чертеже приведена принципиальная электрическая схема предлагаемого ключевого устройства.

На схеме приняты следующие обозначения: 1 - силовой транзистор, 2 - общая

шина, 3 - резистор, 4 - клемма питаиия,

5- диод, 6 - транзистор отпирания, 7 - резистор, 8 - вывод источника отпирания, 9 - резистор, 10 - ключ запирания, 11 -

вывод источника запирания, 12 - резистор, 13 - транзистор отпирания, 14 - резистор, 15 - управляемый ключ, 16 - резистор,

17- конденсатор интегрирующей цепи,

18- резистор интегрирующей цепи, 19- диод.

Ключевое устройство работает следующим образом.

При отсутствии сигнала положительной полярности на базе транзистора 13 транзистор 13 и управляемый ключ 15 заперты, а силовой транзистор 1 открыт током, задаваемым Б базу через резисторы 7 и 12 и транзистор 6.

Поступление входного сигнала вызывает

отпирание транзистора 13 и управляемого

ключа 15. При этом запирается транзистор

6силового транзистора 1 и током источника входного сигнала, задаваемым через управляемый ключ 15, отпирается диод 19

цепи запирания силового транзистора. Ток через ключ запирания 10 и резистор 9 обеспечивает форсированное рассеивание заряда в базе силового транзистора 1. По окончании процесса рассасывания начинается

повышение потенциала на коллекторе это