Устройство для отбраковки полупроводниковых приборов Советский патент 1979 года по МПК G01R31/26 

Описание патента на изобретение SU667918A1

(54) УСТРОЙСТВО ДЛЯ ОТБРАКОВКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ ма для подключения коллектора соединена с точником напряжения коллектора. Схема устройства приведена на чертеже. Устройство содержит источник 1 тока эмиттера, генератор 2 измерительного тока, ключ 3 цепи памяти, пороговое устройство 4, источник 5 напря жения коллектора, запоминающий конденсатор 6, генератор 7 интервала времени. Устройство работает следующим o6pa3oiU, К схеме подключают испытуемый транзистор. Начальное падение напряжения на его переходе эмиттер-база определйется током генератора 2 и устанавливается равным некоторой величине (нагфимер, 0,2 В) с помощью источника опорного напряжения. При этом для всех транзисторов данкого типа выполняется условие вп -const; вв - Von . Затем ключ 3 закрывается и измерительный ток благодаря запоминающему конденсатору 6 остается постоянным на время, значительно больщее, чем общее время измерение. По сигналу пуск запускается генератор 7 интервала времени нагрева, на время Тн он включает источники 1 и 5. При этом на испытуемом тран зисторе рассеивается мощность Рц - За -Ис за время 1 . После окончания импульса нагрева источники I и 5 выключаются и запускается пороговое устройство 4, один вход которого соединен с источником напряжения сравнения (Ucp.), а другой - с эмиттером испытуемого транзистора. Разница между начальным падением напряжени Цд„ и падением напряжения после отключения гре ющей мощности пропорциональна приращению температуры перехода под воздействием импульса греющей мощности. / . С, - где CT - теплое1йкость нагретой зоны. Приборы с дефектами структуры: несоосностью неоднородиостью толщины базы, перетравом и т.д имеют больщую температуру перегрева перехода по сравнению с хорощими приборами за счет локализации тока на дефектных участках и вызван ного этим уменьшения теплоемкости нагретой зоны, отбраковываются по значению температуры перехода. Граница отбраковки регулируется с помощью напряжения сравнения и устанавливается экспериментально. Пороговое устройство 4 имеет выход для подключения регистрирующих или исполнительных устройств. Формула изобретения Устройство для отбраковки полупроводниковых приборов, содержащее источники тока эмиттера и напряжения коллектора, элемент памяти, генератор измерительного тока, ключ, пороговое устройство, отличающееся тем, что, . увеличения точности и производительности отбраковки, а также упрощения устройства, оно дополнительно содержит генератор интервала времени, источник опорного напряжения и источник напряжения сравнения, причем выход источника опорного напряжения соединен с одним из входов генератора измерительного тока, один вывод элемента памяти соединен с выходом источника тока эмиттера, другой - с генератором измерительного тока непосредственно и через ключ с клемI мой для подключения эмиттера испытуемого прибора и с одним из входов порогового устройства, выход источника напряжения сравнения соединен с другим входом порогового устройства, пусковой вход которого соединен с одним из выходов генератора интервала времени, другой выход которого соединен с управляющим входом ключа и с входами источников тока эмиттера и напряжения коллектора, общая точка которых соединена с выводом элемента памяти и с клеммой для подключения базы испытуемого прибора, а клемма для подключения коллектора соединена с источником напряжения коллектора. Источники информации, принятые во внимание при экспертизе 1.Авторское свидетельство СССР № 432804, кл. G 01 R 31/26, 1970. 2.Авторское свидетельство СССР № 340984, кл. G 01 R 31/26, 1972.

Похожие патенты SU667918A1

название год авторы номер документа
Устройство для испытания транзисторов 1980
  • Рыскин Ефим Зиновьевич
SU947792A1
Устройство для контроля полупроводниковых приборов 1985
  • Резников Герман Залманович
SU1260883A1
Устройство для измерения допустимой мощности полупроводниковых приборов 1977
  • Рыскин Ефим Зиновьевич
SU646278A1
Устройство для измерения коэффициента передачи тока транзисторов 1981
  • Горюшкин Сергей Иванович
  • Овчинников Михаил Александрович
SU1041966A1
Устройство для измерения параметров транзисторов ВЧ и СВЧ-диапазонов 1981
  • Воробьев Владимир Васильевич
  • Инкерманлы Иван Леонтьевич
  • Петров Борис Константинович
  • Косой Анатолий Яковлевич
SU1125560A1
Цифровой измеритель статического коэффициента усиления транзисторов 1981
  • Косинов Генрих Андреевич
  • Боровиков Николай Васильевич
  • Журбенко Владимир Васильевич
  • Онищенко Александр Дмитриевич
SU974304A1
Устройство для отбраковки мощных транзисторов 1985
  • Сергеев Вячеслав Андреевич
  • Голенкин Павел Александрович
SU1247796A1
Устройство для разбраковки транзисторов по статическому коэффициенту передачи тока 1983
  • Бингялис Альгирдас Юльевич
  • Клебанский Сергей Александрович
  • Матусявичюс Генрикас Казимирович
  • Станкявичюс Леопольдас Леопольдович
  • Стукас Пятрас-Саулюс Пятрович
SU1138767A1
Устройство для измерения теплового сопротивления транзисторов 1981
  • Сергеев Вячеслав Андреевич
SU1020789A1
Измеритель заряда переключения транзисторов 1980
  • Иванютин Владимир Васильевич
SU945828A1

Иллюстрации к изобретению SU 667 918 A1

Реферат патента 1979 года Устройство для отбраковки полупроводниковых приборов

Формула изобретения SU 667 918 A1

SU 667 918 A1

Авторы

Рыскин Ефим Зиновьевич

Даты

1979-06-15Публикация

1976-03-29Подача