Устройство для измерения обратных токов полупроводниковых приборов Советский патент 1979 года по МПК G01R31/26 

(54) УСТРОЙСТВО ДЛЯ ИЗМЕРЕНИЯ ОБРАТНЫХ ТОКОВ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ

суммарной емкости р-п-перехода испытуемого прибора и контактного устройства для его подключения. При малых обратных токах испытуемого прибора суммарная емкость медленно заряжается до напряжения установления режима, что снижает производительность контроля и может приводить к ошибкам при измерениях в массовом производстве полупроводниковых приборов.

Целью изобретения является уменьшение времени измерения.

Это достигается тем, что в устройство для измерения обратных токов полупроводниковых приборов введены ключевой элемент, дополнительный резистор и схема стробирования, причем ключевой элемент и дополнительный резистор последовательно включены в дополнительную цепь отрицательной обратной связи операционного усилителя, а схема стробирования включена между выходом схемы синхронизации и управляющим входом ключевого элемента.

На фиг. 1 представлена блок-схема устройства; на фиг. 2 даны временные диаграммы, поясняющие его работу.

Устройство содержит импульсный режимный источник напряжения 1, контактное устройство 2 для подключения испытуемого прибора, операционный усилитель 3, охваченный двумя параллельными цепями отрицательной обратной связи. В одной цепи постоянно включен резистор 4, а в другой, дополнительной, - последовательно соединенные резистор 5 и ключевой элемент 6. Устройство содержит также измеритель напряжения 7, подключенный к выходу операционного усилителя, схему синхронизации 8, предназначенную для управления работой режим ного источника 1, измерителя напряжения 7 и схемы стробирования 9, которая управляет ключевым элементом 6.

При работе устройства после подключения испытуемого полупроводникового прибора в контактное устройство 2 включается схема синхронизации 8, которая формирует сигнал управления для запуска режимного источника 1, измерителя напряжения 7 и схемы стробирования 9. Режимный источник с момента времени tj вырабатывает импульс напряжения обратной полярности, прикладываемый к испытуемому полупроводниковому прибору, амплитуда которого соответствует заданному режиму измерения обратного тока (фиг. 2 а). До момента времени tj ключевой элемент 6 открыт и суммарная емкость р-п-перехода испытуемого прибора и контактного устройства 2 быстро заряжается через открытый ключевой элемент и резистор 5, величина сопротивления которого много меньше сопротивления резистора 4 (фиг. 2 б). В момент времени tjj. схема стробирования 9 вырабатывает управляющий импульс длительности от ti до t, который закрывает ключевой элемент 6. На выходе операционного усилителя 3 при этом устанавливается напряжение (фиг. 2 в), пропорциональное величине обратного тока контролируемого р-п-перехода, которое определяется измерителем 7. В момент времени Ц ключевой элемент 6 снова открывается и через него осуществляется разряд суммарной емкости.

Данное устройство более эффективно по сравнению с известными, так как позволяет уменьщить время измерения обратных токов полупроводниковых приборов не менее чем в 4 раза. Это позволяет его использовать в быстродействующих автоматизированных измерительных системах.

Формула изобретения

Устройство для измерения обратных токов полупроводниковых приборов, содержащее последовательно включенные импульсный режимный источник напряжения, контактное устройство для подключения испытуемого прибора, операционный усилитель с резистором в цепи обратной связи, измеритель напряжения и схему синхронизации, управляющую режимным источником и измерителем, отличающееся те.м, что, с целью уменьшения времени измерения, в него введены ключевой элемент, дополнительный резистор и схема стробирования, причем ключевой элемент и дополнительный резистор последовательно включены в дополнительную цепь отрицательной обратной связи операционного усилителя, а схема стробирования включена между выходом схемы синхронизации и управляющим входом ключевого элемента.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1.Полупроводниковые диоды. Параметры, методы измерений. Под ред. И. И. Горюнова, Ю. Р. Носова, М., «Сов. радио, 1968, с. 33.

2.Грэм. Измерение параметров транзисторов с помощью схем на операционных усилителях. «Электроника, т. 45, № 5, 1972. с. 45-52.

3.Onstee Rabb Martin. Semiconductor leakage testers grow up «EDN, 1969, v. 14, № 21, p. 39-42.