Компаратор Советский патент 1979 года по МПК G05B1/01 

(54) КОМПАРАТОР Устройство содержит дифференциальную пару на транзисторах 1 и 2, источники опорного 3 и входного 4 сигнгшов, резистор 5, дополнительный транзистор 6, диод (транзистор в диодном включении) 7, дополнительную дифференциальную пару на транзисторах 8 и 9, источники смещения 10 и точка 11, туннельный диод 12, резистор 13. ПрийЦиЦ работы предлагаемого компаратора заключается в следующем. Устройство имеет Два режима работы, определяемые состояниями туннельного диода UT. и ит..ц , что соответствует положению рабочей точки соответственно на туннельной диффузионной ветви вольт-амперной Характеристики. Напряжение смещений выбирается в Соответствий со слёйующим выражением: , где и - Напряжение, соответствующее минимуму тока на вольт-ампбрной характеристике, Ов - напряжение, соответствующее максимуму тока на вольт-амперной характеристике. Если пред пол , чТо туннельный диод находится в состоянии тогда при равенстве значений опорного сигнала ЕОМ и входного сигнала Е вх суммарный ток управляемого тока (токового повторителя) выбирается таким образЬм, чтобы ток, протекающий через туннельный Диод, был близок к пиковому эйачению тока тунне 1ь ного диода. При превышении вхбДныМ сигналом Е опорного сигнала Eof, происходит переключение туннельного диода на диффузионную ветвь вс01ЬТ амперной характеристики, где он удер живается источником тока 11. В этом состоянии, когда Е U™, компар ато не чувствителен к воздействию входй го сигналаf таким образом исключают ся как перегрузка туннельного диода так и возможное возбуждение устрой84iCTBa. Воэвршиение компаратора в исхолноё состояние осуществляется импульсомг поступающим на клемму сброс. эффективность предложенной схемы обусловлена, во-первых, тем, что исключаются перегрузка туннельного диода и возможное возбуждение устройства, во-вторых, схему компаратора можно реализовать и, в гибридном или твердотельном исполнении. Формула изобретения КбмттараТор, содержащий дифференциальную на транзисторах, базы к6то{5ых подключены к источникам опорного и ВХодногО сигналов, причем й6лЛёк 6р первого транзистора дифференциальной пары подключен через резистор к шине источника питания, коллектор втброго транзистора подЙлючён к базе дополнительного транзистора, эмиттеромсоединенногр с Ийиой источника питания, и через диод к шиие источника питания, о тличающййся тем, что, с цельй Пойшений чувствительности, в него введены дополнительная дифференциальная пара на транзисторах, источники смещения и тока, резистор и туннельный диод, катод которого подключен к шине отрицательного источника питания,а анод - к входной шине сброс, коллектору допоЛнидельного транзистора и базе первого транзистора дополнительной дифференциальной пари, коллектор которого соеданен с шиной нулевого потенциал а,, а эмйтт4р - с источником тока и э alттeisoм второго транзистора дополнительной дифференциальной пары, за которого подключена к источнику смещения, а коллектор к эмиттерам транзисторов дифференцИальноЙ пары, причем база дополнительного транзистора подсоединена к шине нулевого потенциала через резистор.

Л