Амплитудный модулятор Советский патент 1979 года по МПК H03C1/38 

I

Изобретение отнскится к радиотехнике, может использоваться для формирования амплитудно-модулированных сигналов в приемо-передаюших устройствах и т.д.

Известен амплитудный модулятор, содержащий источник модулирующего сиг нала, а также два транзистора с резисторами 6 цепях коллекторов и эмиттеров. При этом между эмиттерами транзисторов включена цепь, состоящая из двух встречно- -последовательно включенных диодов; база первого транзистора .подключена к источнику модулируемого сигнала, а база второго - к общей щине tlJ .

Однако в выходном сигнале известного устройства имеется паразитная амплитудная модуляция вследствие возникновения на коллекторах транзисторов дифференциального каскада больших вариаций синфазного уровня.

Цель изобретения - уменьщение пара. зитной амплитуднсА модуляции выходного ,игнала.

Для этого в амплитудный модулятор, содержащий источник модулирующего сигнала, а также два транзистора с резисторами в цепях каплекторов и эмиттеров, причем между эмиттерами транзисторов включена цепь, состоящая из двух встречно-последовательновключенных диодов, база первого транзистора подключена к источнику модулируемого сигнала, а база второго - к общей щине, введен тсясозадающи каскад на двух транзисторах, эмиттеры которых объединены, а точка их соединения, а также базы транзисторов токозадающего каскада соединены с щиной источника питания через соответствующие резисторы, база транзистора токозадающего каскада подключена через резистор к общей шине, а коллектор - к .резисторам цепей эмиттеров первого н второго транзисторов, база другого транзистора токозадающего каскада подключена через резистор к источнику модулирующего сигнала, а коллектор - к точке соединения диодов.tie чертеже представлена принципиальная электрическая схема предложенного устройства. Амплитудный модулятор содержит источник модулирующего сигнала 1, транзисторы 2 и 3 с резисторами в цепях коллекторов и эмиттеров 4 и 5 и 6 и 7, цепь из двух встречно-последовательно включенных диодов 8 и 9, источник модулируемого сигнала 10, а также токрза- дающий каскад 11 на транзисторах 12 и 13, резисторах 14 - 18. Амплитудный модулятор работает следующим образом. Когда на базу транзистора 2 подан мо дулируемьА сигнал от источника 10, а модулирующий сигнал от источника 1 отсутствует, транзистор 13 заперт, транзистор 12 открыт и обеспечивает исходный тсж через транзисторы 2 и 3. Диоды 8 и 9 при этом обесточены. Коэффициент усиления дифференциального усилителя на транзисторах 2 и 3, обусловленньй подбором номиналов резисторов 9 и 1.0 мал, и сигнал на выходе амплитудного модулятора отсутствует. С появлением на входе модулятора модулирующего сигнала от ис точника 1 появляется ксщлекторный ток транзистора 13, пропорционально которому увеличивается проводимость диодов 8 и 9. Резисторы 6 и 7 непрерывно компенсируют ток, сохраняя при этом дейст вне модуляции. Это приводит к уменьщени отрицательной обратной связи в плечах Г дифференциального усилителя на транзисторах 8 и 9 и, как следствие, пропорциональному повышению коэффициента усиления устройства. Таким образом, сигнал от источника 1 модулирует амплитуду сигнала от источни ка 10. При изменении величины модулирующе сигнала от источника 1, в силу балансны свойств токозадающего каскада 11, плечами которого являются транзисторы 12 и 13, суммарный ток через общий резиотор 18 практически не изменяется. Так как этот же ток, симметрично разделенный, проходит через транзисторы 2 и 3, то в процессе мбдуляции сдвига синфазного уровня выходного сигнала не происходит. Таким образом, в предложенном амплитудном модуляторе уменьщается паразитная амплитудная модуляция выходного сигнала. Формула изобретения Амплитудный модулятор, содержащий ис.точник модулирующего сигнала, а также . первый и второй транзисторы с резисторами в цепях коллекторов и эмиттеров, при этом между эмиттерами первого и второго транзисторов включена цепь, состоящая из двух встречно-последовательно .включенных диодов, база первого транзистора подключена к источнику модулируемого сигнала, а база второго транзистора - к общей щине, отлича.ющийс я тен что, с целью уменьщения паразит ной амплитудной модуляции выходного СИ1 нала, в него введен токозадающий каскад. выполненный на двух транзисторах, эмиттеры которых объединены, а точка их соединения, а также базы транзисторов токозадающего каскада соединены с щиной источника питания через соответствующие резисторы, база одного транзистора токозадающего каскада подключена через резистор к общей шине, а кйллектор - к резисторам цепей эмиттеров первого и второго транзисторов, база другого транзистора токозадающего каскада подключена через резистор к источнику модулирующего сигнала, а коллектор- к точке соеди.нения диодов. Источкики информации, прин$ггые во ;внимание при экспертизе 1. Патент ПНР № 69133, 21а 18/07 (Н 03 G 3/1О), 1973.

L:

1