Запоминающее устройство Советский патент 1979 года по МПК G11C11/14 

1

Изобретение относится к области вычислительной техники и может быть использовано при построении устройств хранения дискретной информации .

Известны запоминающие устройства (ЗУ), содержащие пластину магнитоодноосного материала с цилиндрическими магнитными доменами (ЦМД) и расположенные на ее ловерхности управляющие проводники 1 и 2.

Одно из известных ЗУ содержит пластину магнитоодноосного материала с ЦМД, координатную сетку управляющих проводников, расположенную на поверхности пластины, поляризационный излучатель и фотоприемник 1. Недостатком этого ЗУ является ограниченная область применения.

Наиболее близким по техническому решению к предложенному изобретению является ЗУ, которое содержит,.как и предложенное, в каждом разряде пластину магнитоодноосного материала с ЦМД и расположенную на ее поверхности координатную сетку управляюцщх проводников с пермаллоевыми аппликещиями в местах их пересече,ний., экран с отверстиями и поляриза:ционннй излучатель, расположенные

с одной стороны пластины, анализатор и фотоприемник, расположенные с другой стороны пластины, регистр числа, координатные дэиифраторы и формирователь тока 2.

Недостатком известного ЗУ является его относительная сложность и большая потребляемая мощность.

Целью изобретения является упро0щение известного ЗУ и снижение потребляемой мощности.

Поставленная цель достигается тем, что ЗУ содержит в каждом разряде источник магнитного поля, направ5ленного параллельно плоскости упомянутой пластины, подключенный через формирователь тока к регистру числа, а одноименные управляющие проводники всех разрядов соединены последо0вательно и подключены к координатным даыифраторам.

На фиг. 1 дана принципиальная , схема п-разрядного запоминающего устройства, на фиг. 2 - временная

5 диаграмма его работы.

Предложенное ЗУ (фиг. I) содержит в Ксокдом разряде пластину магнитоодноосного материала 1 с ЦМД 2, сформированными внешним полем смеще0ния 3, расположенную на пластине координатную сетку управляющих проводников 4, 5 с пермаллоевыми аппли кациями 6 в их перекрестиях, экран с отверстиями, поляризационный излу чатель 8, анализатор 9, фотоприемник Ю, состоящий из двух независимых половин, соединенных с дифферен циальным усилителем 11, источник магнитного паля 12, создающий магнитное пале, параУ1лвльное плоскости упомянутой пластины и выполненный в виде катушек, формирователь тока 13 регистр числа 14, координатные дешифраторы 15 и 16 . Работа предложенного ЗУ, эаключающаяся в записи п-разрядного слова из регистра числа 14 и его считывании, протекает следующим образом. Пусть в ЗУ необходимо записать такое число, у которогов первом разряде стоит . Запись 1 в выбранную ячейку означает перевод ЦМД 2 из позиции, условно принятой за инфсфмационный в другую по зицию, принятую за информационную 1. Обозначим один из концов аппликации 6 индексом А ( О ), угол Б, другой конец - В (. 1 ) Для пе ревода ЦМД 2 в состояние в систему управляющих проводников 4, 5, выбранных дешифраторам 15, 16, подается последовательность импульсов, соответствующих временной диаграмме, показанной на фиг. 2,а. Сна чала в проводник 4 подается импульс тока 3 такой полярности, который создает локальный градиент поля сме щения 3, перемещшощий домен 2 в направлении аппликации 6. Затем подается импульс тока Зг в проводник 5, создающий градиент -поля смещения, перемещающий домен 2 в направлении . Проводники 4, 5 выбираются дешифратора:ми 15, 16. Если в ЗУ нужно записать такое число, которое в первом разряде содержит О (временная диаграмма записи О показана на фиг. 2,6), то при записи О одновременно с подачей импульса тока в проводник 4 переводящего ЦМД 2 в направлении пермаллоевой аппликации 6, в катушки 12 от формирователя тока 13 управляемого регистром числа 14, по дается имлульс тока 3 такого напра лАния, который создает локальный диент поля смещения, препятствующий движению ЦМД 2 в направлении пермаллоевой аппликации 6, При считывании единичной информа ции ЦМД 2 переводится в положение 504 О. Для этого по проводнику 5, выбранному дешифратором 16, подается импульс тока такой полярности, который создает локальный градиент поля смещения, перемещающий домен из положения В-чБ пермаллоевой аппликации 6. Затем подается импульс тока в проводник 4, смещающий домен 2 по направлению . в момент прохождения ЦМД 2 под отверстием в экране 7 включается поляризационный излучатель 8 и производится индикация информации. Использование магнитооптического эффекта Фарадея позволяет анализатору 9 пропускать излучение, проходящее через домен 2, которое воздействует на одну из половин фотоприемника 10 и возбуждает усилитель 11. Использование предложенного технического решения обеспечивает более простую и экономическую организацию многоразрядной памяти с произвольной выборкой, использующую ЦМД в качестве носителей двоичной информации . Формула изобретения Запоминающее устройство, содержащее в каждом разряде пластину магнит оодноосного материала с цилиндрическими магнитными доменами и расположенную на ее поверхности координатную сетку управляющих- .проводников с пермаллоевыми аппликгщиями в местах их пересечений, экран с отверстиями и поляризационный излучатель, расположенные с одной стороны пластины, анализатор и фотоприекшик, расположенные с другой стороны пластины, регистр числа, координатные доиифраторы и формирователь тока, отличающеес я тем, что, с целью упрощения и снижения потребляемой мощности, оно содержит в каждом разряде источник магнитного поля, направленного параллельно плоскости пластины, подключенный через формирователь тока к регистру числа, а одноименные управляющие проводники всех разрядов соединены последовательно и подключены к координатным д шфраторам., Источники информации, принятые во внимание при экспертизе 1. Патент США 3878542, кл. 340-174,12.08.73. 2. Авторское свидетельство СССР по заявке 2118571/18-24, кл. G 11 С 11/14, 31.03.75Чпрототип).

Л

J,Запись „ 1

JH

Запись„о