Изобретение относится к области ЗУ и может найти применение в ЭВМ. Известны сверхпроводящие элементы памяти использующие туннельный эффект Джозефсона. Один из таких элементов памяти содержит два прибора Джозефсона 1. Однако ом имеет большие габариты п не может быть использован для создания ЗУ большой емкости. Из известных устройств наиболее близким техническим решением к изобретению является сверхпроводящий элемент памяти, содержащий прибор Джозефсона, состоящий из двух плоских электродов, соединенных при помощи окисной пленкн, расположшной между ними 2. Недостатками этого элемента являются невысокое быстродействие и большая рассеиваемая мощность, объясняющиеся необходимостью иметь сверхпроводящую петлю для хранения информаюга. Целью изобретеиия является повышение быст родействия злемеота и уменьшение рассеиваемой в нем мош){ости. Поставлешяя цель достигается тем, что в предложенном элементе один из плоских электродов выполнен прямоугольной формы, а другой электрод выполнен из трех соединенных мсжду собой шин. При этом крайние шины имеют одинаковую ширину, а средняя - меньшую ширину и длину, равную пяти длинам проникновения Джозефсона. Сверхпроводящий элемент памяти целесообразно вьшолнить таким образом, что толщина окисной пленки под средней шиной была равна или больще толщины зтой пленки под крайними шинами. На фиг. 1. изображен сверхпроводящий элемент памяти, и его зквиваленшая схема. На фиг. 2 показана амплитудная харак еристика свехлроводящего элемента памяти. Сверхпроводящий элемент памяти (см.фиг.1) содержит прибор Джозефсона, состоящий из двух плоских электродов 1 и 2, соединенных при помощи расположенной между ними окисной пленкн 3. Электрод 1 имеет прямоугольную форму. Электрод 2 выполнен из трех соеданеннььх между собой шин 2i, 2j и 2з. Крайние тины 2i и 2j имеют одинаковую ширину; а средняя шина 2j имеет меньшую ширину и длину равную пяти длинам проникновения Джозефсона XJ , т.е. /AJ 5. Толщина окисной пленки 3 под средней шиной 2 2 равна или больше толщины пленки 3 под кранкими шинами 2i и 2з. Элемент в первом приближении можно представить в виде эквивалентной схемы, содержаще два соединения Джозефсона 4 и 5, связанных ил дуктивностью 6 (см. фиг. 1). Описанный элемент (см. фиг. 2) имеет характеристику с двумя, по крайней мере, вихревы йй режимами, накладывающимися частично один на другой. Благодаря этому в одном из вихревых режимов, по меньшей мере, один одиночный квант Магнитного потока может бьпь захвачен элементом, в то время как в любом другом вихревом режиме может быть захвачено другое число квантов магнитного потока, причем накладьгааюищеся вихревые режимы содтветствеинр связываются с хранимыми дифровь1ми велич1шами. Э; 1емент работает таким образом, что за искпючением переключения между вихревыми режимами он всегда остается в состоянии сверхпроводимости, т.е. его рабочие точки всегда остаются ниже сплоишой линии 7. В области ниже прямой линии 7 элемент мо жет быть в вихревом режиме А, в то время как ниже кривой8 элемент может быть в вихревом режиме В. В заштрихованной области 9 элeмeнf может быть в любом из двух режимов, в зависимости от того, в каком режиме будет элемент к6гда его рабочая точка попадает в область 9. Кривая линия 10 замыкает вихревой режим С следующего более высокого порядка. На фиг, 2 показаны только два первых вихревых режима. Например, если прикладывается сначала ток управления 3со,элемент находится в режиме А. Последовательным пршгожением тока смещения , который превышает критическую величину IKPUTА е;ц , элемент переключается из режима А в ре жим В. Когда ток ICMснимается, обратное.включение не происходит и соединение остается в режиме В. Если затем Лам снижается до Jco- AJc и опять прикладывается ток 1см I с м . то режим В становится нестабильным и элемент снова переключается в режим А. Последовательное снятие токов Ьм и оставляет элемент в режиме А. Благодаря тому, что каждый переход элемента от одного из его вихревых режимов к другому влечет за собой изменения содержащейся в нем энергии, возможно считывание хранимой информации. Переключение от режима к режиму происходит достаточно быстро и проявляется в виде очень короткого пика напряжения, амплитуда которого достаточна для того, чтобы его можно было отличить От фоовых щумов. Формула изобретения 1. Сверхпроводящий элемент памяти, содержащий прибор Джозефсона, состояищй из двух, плоских электродов, соединенных при помощи окисной пленки, расположенной между ними, отличающийся тем, что, с целью повышения быстродействия и уменьшения рассеиваемой мощности, один из плоских электродов вьшолнен прямоугольной формы, црутоя электрод вьшолнен из трех соедине1шых между собой щин, причем крайние шины имеют одинаковую ширину, средняя шииа имеет меньшую ширину, и , paBHj гогги длинам проникновения Джозефсона. 2. Элемент памяти по п. 1, о т л и ч а гощийся тем, что толщина окисной пленки под средней шиной равна или больше толщины этой пленки под крайними шинами. Источники информации, принятые во внимание при экспертизе 1.Патент США № 3626391, к л. (3 11 С 11/44, опублик. 1971. 2.Патент Швейцарии fC 539919, М. кл. G 11 С 11/44, опублик. 1973 (прототип).
I9
/CO 4/C IcO
at.f
10
Фиг i
