менные диаграммы напряжений фиг. 3 - диаграмма pacпi вдвлвния поверхностного потенциала.
усилитель считывания состоит из диффузионной области 1 в полупроводниковой подложке2 регистра с зарядовой связью, на поверхности подложки расположены тактовые электроды регистра 3,4,5,6 и электрод считывания 7. Кроме этого устройство содержит первый 8, второй 9 и третий 10 МДП-транэисторы, а также шины питания Е, управления Ф, смещения тактовые шины и дополнительную шину питания
В исходном состоянии, при низком уровне напряжения на тактовой шине Т, транзистор 10 .закрыт, а транзистор 9 открыт, поэтому напряжение на электроде считывания 7 равно нулю, а в диффузионной области 1 локализован считываемый заряд. При «оступле НИИ импульса на тактовую шину Т из соседнего элемента памяти поступает следующий заряд,, транзисргор Ю открвается и напряжение на электроде считывания 7 достигает напряжения н дополнительной шине питания. Одновременно подается напряжение на затвор первого транзистора по шине управления и исходный заряд поступает в диффузионную область 1 через первый транзистор 8. Транзистор 9 при этом вначале также открыт, а затем закрывается, изоляция заряда под электродом 6 от заряда в диффузионной области 1 осуществляется потенциальным барьером под электродом считывания 7,
Затем транзистор 8 закрывается и диффузионная область 1 переводится в плавающий режим, при спаде тактового импульса заряд перетекает изпод электрода б в диффузионную область 1. С задержкой относительно тактового импульса, определяемой транзистором 9, снижается напряжение на электроде 7, так что к моменту окончания тактового импульса считываемый заряд располагается в
диффузионной области 1 ипод электродом считывания 7, а затем весь заряд передается в диффузионную область 1, обеспечивая тем самым максимально возможную величину считыс ваемого заряда на выходе усилителя считывания, что позволяет на 70% увеличить чувствительность усилители считывания и вдвое повысить быстродействие устройства
При ЭТОМ рекомендуется подавать следующие напряжения на шины; основная шина питания и шина управления 12В, дополнительная шина питания 5В и шина смешения минус 5В.
Формула изобретения
Усилитель считывания для регистра с зарядовой связью, содержащий первый МДП-транзистор, исток которого соединен с диффузионной областью регистра, сток - с основной шиной питания, затвор - с шиной управления, а подложка -,с шиной смещения, и тактовую шину, отличающийся тем, что, с целью увеличения чувствительности усилителя считывания, он содержит второй и третий МДП-транзисторы и дополнительную шину питания, соединенную с затвором второго и стоком третьего МДП-транзисторов, исток второго и затвор третьего МДП-транзисторов соединены с тактовой шиной, сток второго и исток третьего МДПтранэисторов соединены с электродом считывания регистра, а подложки второго и третьего МДП-транзисторов подключены к шине смещения.
Источники информации, принятые во внимание при экспертизе 1, Микроэлектроника, АН СССР,
3, с. 189-199.
1974, т. 3,
2 Носов Ю.Р., Шилин В.А. Полупроводниковые приборы с зарядовой связью, М., Сов. радио, 197,6, с. 59. 5 3, Электронная техника серия Полупроводниковые приборы , 1974, 9, с. 33-49 (прототип).
см I
f c
у
fc/ч
