Способ разбраковки изделий электроннойТЕХНиКи пО иНфРАКРАСНОМу излучЕНию Советский патент 1981 года по МПК G01J5/00 

Изобретение касается неразрушающего контрсяя изделий электронной техники (ИЭТ), в частности разбраковки потенциально ненадежных транзисторов по инфракрасному излучению, когда тепловые параметры являются яритерием -годности изделий. Известен -способ}ксжтропяполей ИЭТ по ИК-излученто путем последовагельнр.го поэлементного сканирования пбвергсности изделия. В результате последовательного анализа сигналов, получаемых от каж дого элемента поверхности, или после получения всей картины теплового полЯ| делается вывод о качестве данного нзде.лия l. Недостатком указанного способа является низкая производительность, всле дсгвие чего еда неприемлем для проязводс венного контроля серийно выпускаемых ИЭТ. Наиболее близким к изобретению из известных является способ контроля И по ИК-излучению, заключающийся в йзмерении излучения со всей поверхности контролируемого изделия и сравнении его с излучением эталона. По результатам сравнения делают вывод о том, к какой группе качества отнести данное изделие 2. В то же время этот способ разбраювки имеет существенный недостаток: низкую достоверность разбраковки, так как в число годных попадает значительное число потёнцйапьнб ненадёжных изделий, имеющих скрытые дефекты, котсрые данным способом не метут быть вьшвлены на общем фоне суммарного сигнала, находящегося в допустимых пределах. Эти дефекты, образующие участки перегревов и недогревов, особенно характерны для таких ИЭТ, каи транзисторы, интегральные схемы, катодяо-подогревательные узлы электронно-лучевых приборов. Целью предлагаемого способа является поеьицение, достоверности разбра совки путем выявления нздепий, имеющих участки перегреве® и недогревов.