Источник заряженных частиц Советский патент 1981 года по МПК H01J3/04 

Изобретение относится к ускорительной технике и может быть использовано в инжекторах, линейных и высоковольтных ускорителях. Известны плазменные источники заряженных частиц, в которых отбор частиц осуществляется с развитой поверхности плазмы газового разряда l . Известен также источник заряженных Частиц - доуплазматрон, содержащий катод, анод с эмиссионным отверс- тием, экспандер проникающий плазмы и вытягивакнций .электрод 2. Одним из недостатков этого источни ка заряженных частиц является радиаль ная неоднородность плазмы в экспандере, обусловленная двойным контрагированием плазмы перед выходом ее через эмиссионное отверстие в экспандере .,Наличие максимума в радиальном распределении плотности частиц в проникающей плазме ни оси экспандера и минимума потенциала электрического вытягивающего поля в этой же области приводит к искривлению эмиссионной поверхности плазмы, образованной многоскоростной структуры и соответственно к увеличению его эмитг танса. Это ограничивает величиьгу тока ускоряемого пучка в существующих ускорителях и делает необходимым увеличение аксентанса ускорительных систем проектируемых ускорителей. Цель изобретения - уменьшение -эммитанса поручаемого частиц. Это достигается тем, что источник снабжен электродом, выполненным в виде тела вращения и установленным внутри экспандера соосно с эммисионным отверстием. Введение в экспандер электрода, расположенного на оси потока плазмы, позволяет управлять радиальным распределением плотности плазмы в потоке и обеспечивать согласование этого распределения с распределением потенциала электрического поля в области формирования и первичного ускорения