Устройство для фокусировки Советский патент 1980 года по МПК G03B3/00 

Свет от источника 1, пр.оходя кристаллическую пластину 4, расщепляется на две волны обыкновенную о и необыкновенную е, не раз;деленные в пространстве. Вследствие этого объектив 5 создает два изображения штрихового растра 3 вблизи фокусируемой полупроводникавой лластины 6. разнесенных только по глубине, но в одной и той же точке на поверхности полупроводниковой пластины.

Растр устанавливают так, что в случае идеальной фокусировки его автоколлимационные изображения 3 и 3 находятся по разные стороны на одинаковом расстоянии от него самого. Отраженный от полупроводниковой пластины световой поток направляется полупрозрачным зеркалом 2 ,и коллективом 7 на сдвоенный фотонриемник 9, проходя яри этом вторую кристаллическую пластину S. При этом две волны о и е разделяются в пространстве и попадают на две светочувствительные площадки фотоприемника 9.

.Электрические сигналы с обеих площадок сдвоенного фотоприемника 9, соответствующие обыкновенной и необыкновенной волнам, поступают на дифференниальный усилитель 10, где один сигнал вычитается из другого и формируется разностный сигнал дефокусировки. Величина сигнала, равная нулю, соответствует положению фокусируемой полупроводниковой пластины при идеальной фокусировке.

Ори использовании изобретения увеличивается быстродействие системы вследствие отсутствия механического модулирующего элемента, повышается точность фокусировки, TaiK как изображения растра строятся о- и е-волпами одновременно и в одной и той же тачке фокусируемой пластины.

Ф о р iM у л а и 3 о -б р е т е н и я

Устройство для фокусировки, содержащее осветитель, светоделитель, штриховой растр, объектив, коллектив и сдвоенный фотоприемник, отличающееся там, что, с целью павыщения точности быстродействия фокусировки, в него перпендикулярно к оптической оси системы введены две плоскопараллельные пластины из оптически одноосного кристалла, одна из которых расположена между растром и объективом, а другая - между «оллектиSO.M и фотоприемником, при этом оптические оси первой и второй пластин- расположены соответственно параллельно и под острым yrinoM к их плоскостям, а проекции оптических осей пластин на плоскость, перпендикулярную к оптической оси системы, параллельны или перпендикулярны между собой.

Источники информадии, принятые во внимание при экснертизе:

1. Духопел И. iH. и др. Оптико-фотографический способ фокусирования на поверхность, «Оптико-механическая промышленность № 9, 197,2.

2. Авторское свидетельство СССР Ко 4061:82, «л. G 03 В 3/00, 197Г (прототип).

J.J

ч