Оптоэлектронное запоминающее устройство Советский патент 1980 года по МПК G11C11/42 

(54) ОПТОЭЛЁКТРОННОБ ЗАПОМИНАЮЩЕЕ УСТРОЙСТВО

инерционностью слоя фотопроводника и катушек для создания магнитного поля. Устройство отличается сложностью конструкции из-за необходимости приложения светового, электрического и магнитного в оздейстБИй и высокой стоимостью, яз-за применяемой монокристалличебкой среды. Емкость устройства ограничена чувствитбльнб« Рью применяемых запоминающих впементов, а также увеличением стоимос- , ти и резким снижением быстродействия при попытке увеличения размеров запоминающих плат.

Целью Изобретения является првышение быстродействия и информационной (- |j ТВ устройства. Поставленная цель дости;гается тем, что в устроистее каждый эап оминаютпий элемент матрицы выполнен из многослойного йЬлупроводникового , светочувствительного материала, напри- о Мер, МНОП, с прозрачным управляющим и выходным электродами; причем 11рОзрачныЙ управляющий электрод подключен к : выходу одного из разрядов входаого регистра, а выходной электрод - ко входу 25 Соответствующего разряда выходного регистра.

Схема устройства йривеяена на чертеже. Оно содержит: источник 1 электромагнитн:ого излучения, отклоняющий блок зо 2, регистр 3 адреса, расщепитель 4, фокусжрующий блок 5, блок 6 Мультипликации растров, запоминающие платы 7 с Матрицей запоминающих элементов, входной 8 и выходной 9 регистры.35

В К честве источника электромагнитного изл5гчения чаще всего применяется лазер, хотя в отдельных применениях это может быть электронно-лучевая пуипса и 40 тогда устройство должно быть помещено в вакуум. Со световым лучом в качестве отклоняющего блока используются электрооптический или акусторнтический дефлек,тор, с электронным лучом - отклоняю- 45 щие пластины.

В качестве расщепителя используется или Голограмма, или призматический расщепитель из двух лучепрепомляюших кристаллов или электронная линза. В ка- 50 честве фокусирующего блока чаще всего используется соответствующая линза или объектив. Впек мультипликации растров выполняется или в виде голограммы или из светоделительных кубиков, или в виде ss соответствующих электронных линз. Запоминающие элементы, расположёнНые в виде матрицы на запоминающих платах, выполнены из многослойного полупровод-

откового светочувствительного материала с прозрачным управляющим и выходным электродами и содержат каждый много запоминающих ячеек ( + 10 ), в которых хранится информация. Выборка одно из ячеек кансдого элемента определяется кодом адреса.

Устройство работает следующим образом. Во время выборки информации луч света от «Источника электромагнитного излучения проходит отклоняющий блок и от кдоняется в одно из положений. Определяемых кодом адреса на адресном регистре. Проходя расщепитель, луч расщепляется на множество лучей, которые образуют растр (например, -8 х 8 или. 16 х 16 положений). Проходя фокусирующий блок, лучи, образующие растр, фокуся зуются, в точке диаметром в несколько микрон на поверхности запоминающих плат (по од ной точке на каждый запоминающий элемент платы), расположенных на равном расстоянии от фокусирующего блока, равном фокусному; Между фокусирующим блоком и запоминающими платами расположен блок мультипликации растров, выполненный одним из известных сносрбов, например, голографическим в виде голограммы из светоделительных кубиков, или из полупрозрачных зеркал. Это устройство размножает световой растр, на рабочие поверхности всех элементов. Во время записи информации к управляющим электродам образцов многослойных полупроводниковых светочувствительных запоминающих элементов прик:ладываютсяположителные (для записи ) или ,отрицательные (для записи 1) напряжения, превышню-ii шие порюговое, которые вМесте со световым воздействием обеспечивают заряд ловушек на .границе двух диэлектриков или ;диэлектрика и полупроводника и соответствующий изгиб зон в полупроводнике. Этот заряд ловушек сохраняется при выключении пита1шя длительное время. Основные принципы работы многослойных светочувствительных, полупроводниковых элек гентов не отличаются от работы известных МНОП (металл-цитрид-окиселполупроводник) или МДПМ (металл-оиэлектрик-поттупроводиик-метэлл) приборов,.

При считывании информации к управляющим электропам запоминающих элемен-. тов прикладывается и я1ульс однополяр ного (нанрймер, отрицательного) напряжения, но Величине tie превышающего цорогопое. При этом в ячейке, оцределяемой точкой приложения светового икшуль.са, возникает считывание информации в виде электрического илтупьса напряжения на выходном «шектроде npit наличии в ячейке О, импульс отсутствует при наличии в ячейке l. При реализации предложения достйгаются указанные в цепи преимущества, Е ятедствие высокой чувствительности примененной запоминающей средь быстродействие и емкость устройства существенно стут по сравнению с прототипов на одиндва порядка. При этом отсутствует необходимость приложения магнитных попей. устран«ются фотопроводншс, анализатор и фотоприемншс, что упрощает устройство. f5 дейс4Г Р° . Формула изобретения -,20 Оптоэлектронное запоминающее устройство, содержащее расположенные на одной оптической оси источник электромагнитноге излучения, о-пслоняющий блок, соединенный 7144 о 97 с регистром адреса, расщепитель, фокуси. рующий блок и блок мультипликации растров на поверхности запоминающих плат; с матрицей запоминающих элементоё и входной и выходной регистры, о т л и14 а ю щ е е с я тем, что, с целью увёличешя информационной емкости и быстродействия устройства, в нем каждый запоминающий элемент матрицы выполнен из многослойного полупроводникового светочувсгвительного материала, например MHOn. с прозрачным управляющим и выходным электродами, п рачиый як. щий электрод пошлючеГк вьгходу из разрядов входного регистра, а выход - «о входу соой;тсГз, разряда выходного регистра. Источники информации, Принятые ВО внимание При гкспертизе 1. Авторское свидетельство СССР № 332494, кл. Q 11 С 11/42 1972 2, Журнал Appe. , IGTs У, 14, № 11, с, 2607-2613