Индикатор типа проводимости полупроводниковых термоэлектрических сплавов Советский патент 1980 года по МПК G01R31/02 

I

Предлагаемое изобретение относится к области исследования основных физических характеристик полупроводниковых термоэлектрических сплавов и ветвей термоэлементов (ВТ) на Ъснове висмута, теллура, селена и сурьмы и может быть использовано как при лабораторных исследованиях, так и при массовом изготовлении термоэлектробатарей (ТЭБ).

Известен термозонд для определения типа проводимости полупроводников на дисковый электрод помещают полупроводник с заранее известным типом проводимости, а затем дриводят с ним в соприкосновение нагретое острие стержня, в результате возникает термоэлектродвижущая сила и зеркальце гальванометра поворачивается в определенную сторону. Поворот зеркальца в противоположную сторону указывает на другой тип проводимости испытуемого полупроводника.

Недостатком описанного способа является его низкая производительность, что затрудняет его использование при массоВбМ производстве.

Известен индикатор для определения типа проводимости полупроводниковых термоэлектрических сплавов и ветвей термоэлементов 2, который представляет собой раствор азотнокислой меди. Приготавливают 40°/о-ный водный раствор HNOs, в который вводят приблизительно 0,5 г меди

на каждые 100 г раствора. Помещая в указанный раствор сплавы или ветви термоэлементов, получают различную их окраску в

зависимости от знака проводимости.

Недостатком такого индикатора является низкая производительность измерений, так как после обработки в индикаторном растворе необходима тщательная промывка исследуемых объектов, чтобы исключить

взаимодействие с ними агрессивного индикаторного раствора. Однако операция промывки становится вёсьйа трудоемкой и плохо контролируемой при попадании индикаторного раствора в узкие щели между ВТ

и слоем диэлектрика.

Известно использование компаунда для электроизолирования изделий, антикоррозионной защиты, склеивания металлов и неметаллических материалов и др 3. Целью изобретения является повыше 1Г1ф№ 1ЩйТёЖйостипр бТ1рёДте 1ё па проводимости полупровбднйковых термоэлектрических сплавов и ветвей термо Шементсвиаоснове висмута, теллура, селена и сурьмы. Цель достигается применением эпоксид ШГб Койпаунда й качестве индикатора для определения типа ароводккгостй полупроводниковых термоэлектри1 еских сплавов и ветвей термоэлелгентов на основе висмута, теллура, селена и сурьмы. Цример использования изобретения можно проиллюстрировать на ВТ, имеющих следующий состав, вес. °/о: ВТ/Г тйпа Bi - 53,165 Те - 43,822 е - 3,013 ВТр-типа Bi - 16,122 Те - 60,008 Sb --26,870 Легирующие добавки CdBrz и Рв соответственно для ВТ п- и р-типов. Поверхность ВТ (или часть ее) очища; ;to f ОТ ОКИСЛОВ oznfflfS из швеетаегх методов (например, притиркой или щлифованием). ВТ помещают в замкнутый объем (в стеклянный контейнер, под колпак вакуумной установки и др), туда же помещают эгтгоксидный компаунд. Затем содержимое объема откачивают до остаточного давления 0,1 мм рт. ст., нагревают до 20р-220°С и выдерживают в течение 0,5-1,0 ч. При указанных условиях входящие в компаунд вещестТ;ва частично испаряются, заполняют объем и взаимодействуют с ветвями р-типа, образуя на их поверхности пленку соединения черного цвета. Пленка имеет небольщую тол щину и легко удаляется при последующей механическойобработке. Цвет ветви п-типа при этом не изменяется. Аналогичный результат был получен при обработке партии , микромодульных ТЭБ типа МТС-300 и ПТП. В указаннь1х ТЭБ в качестве иколяционного материала между ВТ используется низковязкий теплостойкий эпоксидный компаунд марки УП-503Б. Заготовки ТЭБ протерли на наждачной щкурке по торцовым поверхностям, после чего их поместили в стеклянные контейнеры и обработали по приведенному выше режиму. После обработки заготовки ТЭБ имели характерное чередование темных и светлых участков, которые соответствовали ветвям п- и р-типов, что позволило контролировать правильность сборки ТЭБ перед коммутацией. Формула изобретения Применение эпоксидного компаунда в качестве индикатора тика проводимости полупроводниковых термоэлектрических сплаВОВ на основе висмута, теллура, селена и сурьмы. Источники информации, принятые во внимание при экспертизе 1.Соминский М. С. Полупроводники , «Наука, М., 1967, с. 257-258. 2.Авторское свидетельство по заявке № 2451320/25, кл. G 01 R 31/26, Н 01 L 35/34, 11.08.77. 3.Черняк К. И. Эпоксидные компаунды и их применение. Л., «Судостроение, 1967, с. 13.