Способ изготовления контактного растра двойной линиатуры Советский патент 1980 года по МПК G03F5/00 

Изобретение относится к способам изготовления контактных растров, в частности позитивных контактных растров двойной линиатуры,-и может быть использовано для получения растровых фотоформ, применяющихся, например, при изготовлении печатных форм глубокой автотипии.

Известен способ изготовления контактных растров двойной линиатуры путем многократн.ого последовательного проецирования специальной диафрагмы через однолиниатурный проекционный растр на светочувствительный материал с последующей фотографической обработкой экспонированного материала 1.

Недостатком этого способа является его трудоемкость, связанная с необходимостью точной установки диафрагмы о- носительно проекционного растра при каждом последующем проецировании.

Целью изобретения является упрощение и удешевление процесса изготовления контактного растра.

Сущность способа состоит в том, что проецируют на светочувствительный материал диафрагму с отверстием, тлеющим форму симметричного неправильного двенадцатиугольника, в центре

которого расположена темная зона в виде четырехлучевой звезды,- при этом при проецировании диафрагму ориентируют так относительно проекционного растра, что диагонали, соединяющие противоположные вершины четырехлучевой звезды,, расположены параллельно сторонам квадратных ячеек растра.

На фиг. 1 изображена схема полу0чения контактного растра двойной: линиатуры; на фиг. 2 - диафрагма для получения контактного растра двойной линиатуры; на фиг. 3 - схема образования двухлиниатурной структуры

5 контактного растра.

Диафрагму 1 проецируют через проекционный растр 2 на фотоматериал 3. В процессе проецирования диафрагму 1 освещают рассеянным световым пото0ком 4 от источника света. Для проецирования используют диафрагму, представляющую собой отверстие 5 на непрозрачном фоне 6, имеющее форму симметричного неправильного двенад5цатиугольника. Двенадцатиугольник имеет четыре одинаковых коротких стороны 7, между каждой парой которых расположено по две одинаковых длинных стороны 8. В центре отверстия 5

0 располагается затемненная зона н виде четырехлучевой звезды 9, которая ориентирована относительно сторон jjBeHafluaTHyrojib}mKa так, что ее 10 располагаются против середины коротких сторон 7. Проецирование диафрагмы производят через обычный однолиниатурный крестообразный проекционный растр 2. При этом диафрагму ориентируют относительно проекционного растра так,, чтобы диагонали 11, соединятацие прот волежащие вершины 10 четырехлучевой звезды 9, были параллельны cxopoHciM квадратных ячеек 12 растра 2. . На фиг. 3 изображены проекции 13 диафрагмы 1 на фотоматериал 3 по отношению к положению прозрачных ячеек 12 проекционного растра. Участки миН№ альной освещенности размещаются НЭ фотоматериале с одной стороны напротив прозрачных ячеек 12 проекци онного растра за счет проекций 14 внутренней четырехлучевой звезды 9 диафрагмы и с другой - напротив цент ров пересечений непрозрачных линий проекционного растра за счет промежу ков 15 на стыках четырех соседних пр екций 13 наружного контура отверстия диафрагмы. В результате этого получается двухлиниатурная структура кон тактного растра. В верхнем левом углу показано получаемое при этом за счет полутоновых палений распределен освещенностей внутри получаемых раст ровых ячеек. Распределение оптически плотностей в растровых ячейках после фотографической обработки будет обратным по отношению : распределению освещенностей, т.е. центры растр 1вых ячеек будут иметь минимальную оптическую плотность, а периферия - максимальную. Вкачестве фотоматериала 3, на ко торый проецируется диафрагма 1 через проекционный растр 2, может быть при менен высококонтактный пленочный фотоматериал, пригодный для получения контактного растра, например пленка ФГ-31 или пленка Кодалит, тип.З. Переменйые факторы растрового про цесса (фиг. 1) связаны зависимостью; „V R - ji d .г где V - расстояние от плоскости диафрагмы . до плоскости фотослоя d - размер отверстия диафрагмы между короткими сторонами 7 , R - растровое расстояние; г - размер стороны ячейки проекционного крестообразного раст. ра ; п - эмперический поправочный коэффициент . Опытньм путем установлено, что оптимальные параметры контактного растра получаются при п от 0,37 до 0,40 и «(6fff3После проецирования диафрагмы на фотоматериал проводят обычную фотографическую обработку (проявление, промывка, фиксирование, окончательная промывка и сушка. Однократное проецирование и исключение необходимости точной установки диафрагмы относительно проекционного растра в описанном способе позволяет упростить и удешевить процесс изготовления контактного растра двЬйной линиатуры. Формула изобретения Способ изготовления контактного растра двойной линиатуры, путем проецирования диафрагмы через однолиниатурный проекционный растр на светочувствительный материал с последующей фотографической обработкой экспонированного материала, отличающийся тем, что, с целью упрощения и удешевления процесса изготовления контактного растра, проецируют на светочувствительный материал диафрагму с отверстием, имеющим форму симметричного неправильного двеналцатиугольника, в центре которого расположена темная зона в випе четырехлучевой звезды, при этом при проецировании диафрагму ориентируют так относительно проекционного растра, что диагонали, соедйнягяцие противоположные вершины четырехлучевой заезди, расположены параллельно сторонам квадратных ячеек растра. Источники информации,принятые во внимание при экспертизе I. Патент Франции 1488082, кл. G 03 F 5/OOf опублик. 1967 |1РОТОТИП. агЗ /J