1
Изобретение откссится к области исследований физического свойства вещества, в частности, к способам измерения электронной температуры п.г1азмы, как в гаэорязрядных приборах, так и в термоядерных установках например, в адиабатических ловушках.
Известен способ определения температуры электронов, заключающийся в том, что электронная температура плазмы в магнитном поле в некоторых случаях определяется с помощью электрического лентмюровского зонда. Зонд вводится в плазму и представляет собой металлический электрод, размеры которого малы по сравнению с изучаемой областью плазмы. Получаемая -с помощью зонда вольт-амперная характеристика позволяет определить температуру электронов в плазме 1.
ic ОСНОВНЫМ недостаткам этого метода измерения электронной температуры относится возмущение плазмы внесеннь..и в нее зондом, что искажает истинное значение ее температуры, невозможность измерения электронной температуры при больших магнитных полях, а также невозможность использования электрических зондов при диагностике высокотемпературной
сильно ионизованной плазмы, например, в термоядерных установках.
Известен также способ измерения электронной температуры плазмы, на ходящейся в магнитном поле, путем пропускания через плазму электромагнитной волны с частотой, соответствующей электронной циклотронной частоте сканирования указанной -час10 тоты, измерения профиля линии поглощения зондирующей волны и определения температуры электронов по измеренному профилю 2.
В известном способе электромагнитная волна пропускается через плазму. Епли частота электромагнитной волны tt совпадает с электронной циклотронеВ
ной частотой . ff г° вследствие 20 электронного циклотронного резонанса происходит интенсивное ее поглощение, Если частота волны несколько отличается от электронной циклотронной частоты, то с волной будут 25 взаимодействовать электроны, движущиеся относительно электромагнитной волны. Это происходит вследствие доплеровского сдвига, из-за которого частота волны tu- tut Kv сравнивается 30 с электронной циклотронной частотой
. Здесь В - индукция магнитного поля; е и m - заряд и масса электрона, соответственно; С - скорость све та; К - волновое число колебаний; V - скорость электронов. С увеличением рассоглассования между частотой электромагнитной волны to и электронной циклотронной частотой , число электронов, взгшмодействующих с волной, а, следовательно, и коэффициент поглощения мощности волны в плазме
ci{u.i) будет падать. При этом закон коэффициента ((w) , профиль лийии поглощения, связан с температурой электронов в плазме Те следующей формулой:
т,1°кЬ
2эе (jj.
-постоянная Больцмана;
где
эе f
-полуширина линии циклотронного поглощения.
Измеряя f , из профиля линии поглощения, определяют Т. Недостатком известного способа является то, что он может быть использован для определения электронной температуры плазмы только в том случае, если плазма помещена в однородное внешнее магнитное поле.
:Проведение измерений электронной температуры в неоднородном магнитном поле известным способом невозможно поскольку в этом случае величина коэффициента поглощения вообще не зависит от температуры электронов, а определяется градиентом магнитного поля и плотностью плазмы.
Вместе с тем представляет интерес определять температуру электронов в плазме, помещенной в немонотонно измняющееся в пространстве магнитное поле с экстремумом. Это обусловлено тем, что некоторые технические применения плазьфл, как, например, получение управляег«)й термоядерной реакции синтеза, возможны как раз в плазме, помещенной в неоднородное магнитное поле.
Цель предлагаемого изобретения - измерение локальной температуры , находящейся в неоднородном магнитном поле в области минимума или максимума поля.
Для этого выбирают направление распространения; электромагнитной волны , совпадающее с направлением вектора магнитного поля в точке экстремума, значение частоты зондирующей волны задают равной электронно циклотронной частоте в минимуме или максимуме магнитного поля, значение ча;стоты зондирующей волны уменьшают в случае минимума магнитного поля и увеличивают в случае максимума от заданного значения, а значение электронной температуры вычисляют из следующей зависимости:
Т,К 3,43МО-V cMlu;4ceK- (Ц J
UJ
где д - коэффициент поглощения
, мощности электромагнитной волны в плазме.
.П
L а2Г
- производная магнитная поля В по координате z в точке экстремума; - частота электромагнитной
,ВОЛНЫ tJuJ 006 ЭЬСТР 4 tf,
Предлагаемый способ определения электронной температуры плазмы поясняется чертежом,где изображено изменение электронной циклотронной частоты LU в пространстве вдоль оси Z (линия А). Вектор магнитного поля направлен по оси Z . Фиг.1 соответствует минимуму магнитного ПОЛЯ; фиг.2 - максимуму. Плазма помещается в магнитное поле с экстремумом. Вдоль оси Z сквозь плазму пропускается электромагнитная волна с частотой oj , представленная линией Б.Фиг. соответствует случаю, когда магнитное поле имеет минимум в точке , лежащей в области, занятгОй рлазмой. При этом
UJ - мин ,.
мин Задавая частоту пропускаемой сквозь
плазму электромагнитной волны, равно уменьшая ее, измеряем профиль линии поглощения в зависимости от сУш именин В случае, изображенном на фиг.2, магнитное поле максимум. При этом в о...,,.
tUo
rrtC
Задавая частоту пропускаемой сквозь плазму электромагнитной волны, равной
-емакс увеличивая ее, измеряем профиль линии поглощения fw,) в зависимости от (ш
При других значениях S J ко.элфициента поглощения не зависит от температуры электронов и не может быть использован при ее определении.
Зная зависимость л (ш), по зависимости, указанной в формуле, можно определить электронную температуру плазмы. Необходимая для определения температуры электронов расстройка -частоты (полу1хмрина лини1,погло11ения)
5ои / ит« %%
дается выражением гр-j ,
CXJ W
Предлагаемый способ позволяет определять локальное значение температуры около точки экстремум и магнитного поля. Это связано с тем, что поглощение волны происходит около этой точки и поэтому необходимо, чтобы направление распространением электромагнитной волны совпадало с направлением вектора магнитного поля в точке экстремума.
название | год | авторы | номер документа |
---|---|---|---|
Способ измерения тока в плазме,помещенной в магнитное поле | 1980 |
|
SU906284A1 |
Способ определения параметров неоднородной плазмы в магнитном поле | 1980 |
|
SU987483A1 |
Способ создания стационарного тока в плазме | 1984 |
|
SU1216805A1 |
Способ высокочастотного нагрева плазмы | 1984 |
|
SU1157971A1 |
СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ ПЛОТНОСТИ ЭЛЕКТРОНОВ В ПЛАЗМЕ МЕТОДОМ ОПТИЧЕСКОЙ СПЕКТРОСКОПИИ | 2013 |
|
RU2587468C2 |
Способ высокочастотного нагрева плазмы в термоядерных магнитных ловушках | 1987 |
|
SU1455364A1 |
ПЛАЗМЕННЫЙ ДВИГАТЕЛЬ И СПОСОБ ГЕНЕРИРОВАНИЯ ДВИЖУЩЕЙ ПЛАЗМЕННОЙ ТЯГИ | 2012 |
|
RU2610162C2 |
Способ стабилизации плазмы | 1976 |
|
SU646474A1 |
Способ возбуждения медленных кинетических волн в магнитоактивной плазме | 1989 |
|
SU1603544A1 |
Способ высокочастотного нагрева плазмы | 1986 |
|
SU1350662A1 |
Авторы
Даты
1980-03-05—Публикация
1977-02-14—Подача