Способ считывания цилиндрических магнитных доменов Советский патент 1980 года по МПК G11C11/00 G11C11/14 G11C11/155 

37

во nfifrrionH двух соседних домоиов, noBbiiiKvние добротности )езоилсиых контуров за счет увеличения частоты форромлгпитпого резонанса приводит к резкому усложнению устройства в целом. Кроме того, частотл г}к рромпгнит1ЮГО ррзонансп (ФМР) сильно зависит как от магнитного поля ЦМД, так и от внешних управляющих магнитных нолей и чувствительность устройства для индикации и детектирования ЦМД микронных и субмикронных размеров недостаточная, чтобы обеспечить уровни выходных сигналов, достаточные для их дальнейшей обработки. Устройство, реализующее этот способ, сложно по конструкции и технологии.

Целью изобретения является повыще- ние уровня выходного сигнала и отношения сигнал/помеха при считывании ЦМД.

Поставленная цель достигается путем того, что возбуждают в тонкой ферромагнитной пленке гальваномагнитный резонанс а частоту переменного тока выбирают равной частоте собственного ферромагнитного резонанса тонкой ферромагнитной пленки.

На чертеже изображено устройство для считывания ЦМД, предназначенное для реализации предложенного способа считывания ЦМД.

Устройство для считывания ЦМД содержит магнитоодноосную пленку с ЦМД 1 на которой расположено второе высокочастотное устройство 2, являющееся чувствительным элементом считывания ЦМД. Чувствительный элемент представляет собой тонкую ферромагнитную пленку с контактными выводами 3 дли подачи на элемент 2 постоянного или перемен- ного электрического поля (напряжения). Ось легкого намагничивания (ОЛИ) чувствительного элемента совпадает с направлением вектора плотности тока. Через изолирующую и диамагнитную пленку 4 чувствительный элемент (второе высокочастотное ycтf)oйcтвo) магнитосвязан с магнитным потоком ВЧ-магнитного поля, созданного высокочастотным током первого высокочастотного устройства 5, которое выполнено в виде тонкопленочной шнаы (петли), которая расположена таким образок% чтобы вьгсокочпстотное магнит иое попе, созданное ею, было параллельно оси трудного намагничивания чувствитель- ного элемент я 2.

Устройство работает слепуюишм обргТзом.

8514

В момент отсутствия ЦМД второе высокочастотное устройство не выделяет сигнала, поскольку намагниченность М параллельна вектору плотности входного тока J , а амплитуды ВЧ-магнитного поля первого высокочастотного устройства 5 недостаточно для перемагничивания чувствительного элемента в направлении оси твердого намагничивания (ОТН). В момент прохождения ЦМД вблизи устройства чувствительный элемент второго высокочастотного устройства 2 перемагничивается в направлении ОТН (МП ОТН) и в нем возбуждается ФМР с частотой ш , определяемой полем домена НцмА и полем анизотропии Н .

Если частота высокочастотного магнитного поля Н совпадает с COQ , на выходе устройства появляется резонансный пик напряжения, который является сигналом считывания ЦМД. При отсутствии ЦМД в поле анизотропии возвращает вектор М в направление ОЛН.

Таким образом, устройства реализует влияние гальваномагнитного резонанса и может быть эффективно использовано для создания чувствительных устройств и систем вывода информации в доменных ЗУ. Поскольку уровень помехи при реализации предложенного способа не превышает этой величины в известном способе считывания ЦМД, отношение сигнал/помеха в предложенном способе считывания ЦМД на порядок выше.

Предложенное изобретение может быть использовано для считывания ЦМД микронных к субмикронных размеров с уровнями выходных сигналов 3-5 мВ без увеличени размеров ЦМД, а также для регистрации слабых магнитных потоков в устройствах измерительной техники.

Формула изобретения

Способ считывания цилиндрических магнитныгх доменов, основанный на воздействии на тонкую ферромагнитную пленку поля рассеяния цилиндрического магнитного домена и переменного тока, отличающийся тем, что, с целью повышения уровня выходного сигнала н отношения сигнал/помеха, возбуждаю в тонкой ферромагнитной пленке гальваномагнитный резонанс, а частоту переменного тока выбирают равной частоте собственного ферромагнитного резонанса тонкой ферромагнитной пленки.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1.AjiropCKof сгм1догол 1сгни С( Т1 по заявке jN 253754-1/1Н-24,

кл. G 11 С 7/00, 25.10.77.

2.Патент США № 3980181, кл. 34О-174, 1976 (прототип).

/

2 О®®® О®®.

5